· VDD1 = 1.8V (1.7V a 1.95V)
· VDD2, VDDCA y VDDQ = 1.1V (1,06 a 1,17)
· VSSQ terminó las señales de DQ (DQ, DQS_t, DQS_c, DMI)
· Los solos datos valoran la arquitectura para el comando y la dirección;
- todo el control y dirección trabados en el borde de levantamiento del reloj
· Arquitectura doble de la tarifa de datos para el ómnibus de datos;
- dos accesos a datos por ciclo de reloj
· Entradas de reloj diferenciado (CK_t, CK_c)
· Estroboscópico diferenciado bidireccional de los datos (DQS_t, DQS_c)
- Transacción síncrona de los datos de la fuente alineada con el estroboscópico diferenciado bidireccional de los datos (DQS_t, DQS_c)
· La ayuda del perno de DMI para escribe los datos que enmascaran y la función de DBIdc
· RL programable (estado latente leído) y WL (escriba el estado latente)
· Longitud de la explosión: 16 (defecto), 32 y simultáneamente
- El modo simultáneo es permitido por la SEÑORA
· El auto restaura y el uno mismo restaura apoyado
· Todo el auto del banco restaurar y dirigido por el auto del banco restaura apoyado
· TCSR auto (el uno mismo compensado temperatura restaura)
· PASR (el uno mismo parcial del arsenal restaura) por la máscara del banco y la máscara del segmento
· Calibración del fondo ZQ

**Especificaciones de producto**
Número de parte.	Guarida.	Org.	Vol.	Velocidad	Poder	PAQUETE	Situación del producto
H9HCNNNBUUMLHR	16Gb	x16	1.8V-1.1V-1.1V	L	Energía baja	200	Producción en masa
H9HKNNNBTUMUAR	16Gb	x16	1.8V-1.1V-1.1V	L	Energía baja	272	Producción en masa
H9HKNNNBTUMUBR	16Gb	x16	1.8V-1.1V-1.1V	L	Energía baja	366	Producción en masa
H9HKNNNDGUMUAR	24Gb	x16	1.8V-1.1V-1.1V	L	Energía baja	272	Producción en masa
H9HKNNNDGUMUBR	24Gb	x16	1.8V-1.1V-1.1V	L / M	Energía baja	366	Producción en masa
H9HKNNNCTUMUAR	32Gb	x16	1.8V-1.1V-1.1V	L	Energía baja	272	Producción en masa
H9HKNNNCTUMUBR	32Gb	x16	1.8V-1.1V-1.1V	L / M	Energía baja	366	Producción en masa

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Chip de memoria de la COPITA de H9HCNNNBUUMLHR, Ram de la memoria 16gb para LPDDR4 de computadora personal BGA200

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