Sunbeam Electronics (Hong Kong) Limited

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Casa / Productos / High Power MOSFET / MOSFET FDD7N60NZ del poder más elevado Canal N, UniFETTM II, 600 V, 5,5 A, 1,25 Ω, DPAK /

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Sunbeam Electronics (Hong Kong) Limited
Ciudad:shenzhen
País/Región:china
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MOSFET FDD7N60NZ del poder más elevado Canal N, UniFETTM II, 600 V, 5,5 A, 1,25 Ω, DPAK

MOSFET FDD7N60NZ del poder más elevado
 Canal N, UniFET<sup>TM</sup> II, 600 V, 5,5 A, 1,25 Ω, DPAK
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