Sunbeam Electronics (Hong Kong) Limited

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Casa / Productos / High Power MOSFET / MOSFET FDC6312P del poder más elevado MOSFET dual del P-canal PowerTrench®, 1.8V especificado, -20V, -2.3A, 115mΩ /

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Sunbeam Electronics (Hong Kong) Limited
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País/Región:china
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MOSFET FDC6312P del poder más elevado MOSFET dual del P-canal PowerTrench®, 1.8V especificado, -20V, -2.3A, 115mΩ

MOSFET FDC6312P del poder más elevado
 MOSFET dual del P-canal PowerTrench<sup>®</sup>, 1.8V especificado, -20V, -2.3A, 115mΩ
  • MOSFET FDC6312P del poder más elevado
 MOSFET dual del P-canal PowerTrench<sup>®</sup>, 1.8V especificado, -20V, -2.3A, 115mΩ
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