Casa / Productos / High Power MOSFET / MOSFET FDB1D7N10CL7 del poder más elevado MOSFET del poder, canal N, puerta estándar, 100 V, 268 A, mΩ 1,7 /

show pictures

Categorías de Producto

Crystal Electronic Component

Diodos y transistores electrónicos

Unidad MCU del microcontrolador

Almacenamiento de datos de memoria Flash

Conector del tablero del PWB

Circuito integrado de SMD

Módulo electrónico de Digitaces

MOSFET del poder más elevado

Optoelectrónica LED

Componentes electrónicos pasivos

Circuito impreso flexible de FPC

Servicio de la asamblea del PWB

Tablero electrónico del indicador digital

Retransmisión del poder de la señal

Interruptor DIP de SMD

Herramientas del desarrollador

Cable de alambre de la UL

Sensores del componente electrónico

Resbalón Ring Assemblies

Contacta

Sunbeam Electronics (Hong Kong) Limited

Ciudad:shenzhen

País/Región:china

Persona de contacto:MrLarry Fan

Ver detalles de contacto

Contacta

MOSFET FDB1D7N10CL7 del poder más elevado MOSFET del poder, canal N, puerta estándar, 100 V, 268 A, mΩ 1,7

MOSFET FDB1D7N10CL7 del poder más elevado
MOSFET del poder, canal N, puerta estándar, 100 V, 268 A, mΩ 1,7

Productos detallados

MOSFET del poder del MOSFET FDB1D7N10CL7 del poder más elevado, canal N, puerta estándar, 100 V, 268 A, mΩ 1,7 [Quién somos?] Co. Ltd de la electr...

Ver productos detallados →

Etiquetas de productos:

No puedo creerlo. mosfet 100a mosfet 200a

Home Products Suppliers About Us Contact Us Help Site Map 公司介绍联系我们

Français Русский язык Español 日本語 Português

China Hot Products: A | B | C | D | E | F | G | H | I | J | K | L | M | N | O | P | Q | R | S | T | U | V | W | X | Y | Z | 0~9

Copyright © 2009-2025 Everychina.com. All rights reserved. 京ICP备09074326号-4