Casa / Productos / High Power MOSFET / MOSFET FDS2670 del poder más elevado MOSFET 3.0A, 130mΩ de PowerTrench® del canal N 200V /

show pictures

Categorías de Producto

Crystal Electronic Component

Diodos y transistores electrónicos

Unidad MCU del microcontrolador

Almacenamiento de datos de memoria Flash

Conector del tablero del PWB

Circuito integrado de SMD

Módulo electrónico de Digitaces

MOSFET del poder más elevado

Optoelectrónica LED

Componentes electrónicos pasivos

Circuito impreso flexible de Fpc

Servicio de la asamblea del PWB

Tablero electrónico del indicador digital

Retransmisión del poder de la señal

Interruptor DIP de SMD

Herramientas del desarrollador

Cable de alambre de la UL

Sensores del componente electrónico

montajes del anillo colectando

Contacta

Sunbeam Electronics (Hong Kong) Limited

Ciudad:shenzhen

País/Región:china

Persona de contacto:Mrpeter

Ver detalles de contacto

Contacta

MOSFET FDS2670 del poder más elevado MOSFET 3.0A, 130mΩ de PowerTrench® del canal N 200V

MOSFET FDS2670 del poder más elevado
MOSFET 3.0A, 130mΩ de PowerTrench® del canal N 200V

Productos detallados

MOSFET 3.0A, 130mΩ de PowerTrench® del canal N del MOSFET FDS2670 200V del poder más elevado [Quién somos?] Co. Ltd de la electrónica del rayo de sol ...

Ver productos detallados →

Etiquetas de productos:

irf520 mosfet P55nfo energía mosfet Irfz44n mosfet

Home Products Suppliers About Us Contact Us Help Site Map 公司介绍联系我们

Français Русский язык Español 日本語 Português

China Hot Products: A | B | C | D | E | F | G | H | I | J | K | L | M | N | O | P | Q | R | S | T | U | V | W | X | Y | Z | 0~9

Copyright © 2009-2025 Everychina.com. All rights reserved. 京ICP备09074326号-4