MOSFET FQI7N80 del poder más elevado Canal N QFET®, 800 V, 6,6 A, 1,5 Ω, I2PAK Fotos del producto, MOSFET FQI7N80 del poder más elevado Canal N QFET®, 800 V, 6,6 A, 1,5 Ω, I2PAK Imágenes del producto

Crystal Electronic Component

[140]

Diodos y transistores electrónicos

[54]

Unidad MCU del microcontrolador

[68]

Almacenamiento de datos de memoria Flash

[40]

Conector del tablero del PWB

[42]

Circuito integrado de SMD

[336]

Módulo electrónico de Digitaces

[12]

MOSFET del poder más elevado

[3000]

Optoelectrónica LED

[42]

Componentes electrónicos pasivos

[42]

Circuito impreso flexible de FPC

[12]

Servicio de la asamblea del PWB

[4]

Tablero electrónico del indicador digital

[12]

Retransmisión del poder de la señal

[26]

Interruptor DIP de SMD

[50]

Herramientas del desarrollador

[12]

Cable de alambre de la UL

[4]

Sensores del componente electrónico

[42]

Resbalón Ring Assemblies

[26]

show pictures

Crystal Electronic Component

Diodos y transistores electrónicos

Unidad MCU del microcontrolador

Almacenamiento de datos de memoria Flash

Conector del tablero del PWB

Circuito integrado de SMD

Módulo electrónico de Digitaces

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Componentes electrónicos pasivos

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Retransmisión del poder de la señal

Interruptor DIP de SMD

Herramientas del desarrollador

Cable de alambre de la UL

Sensores del componente electrónico

Resbalón Ring Assemblies

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