MOSFET N-CH 20V 6.7A 8-Pin SOIC N T/R del transporte de FDS6812A FAIRCHILD
Number modelo :FDS6812A
Lugar del origen :China
Cantidad de orden mínima :100
Condiciones de pago :PayPal, T/T
Capacidad de la fuente :10K
Plazo de expedición :7-15 días
Detalles de empaquetado :2500
MPN :FDS6812A
MFR :FAIRCHILD
Categoría de producto :MOSFET del poder
Nombre del paquete estándar :SOP8
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Ver descripción del producto
Especificaciones técnicas del producto
UE RoHS |
Obediente |
ECCN (LOS E.E.U.U.) |
EAR99 |
Situación de la parte |
Obsoleto |
Automotriz |
No |
PPAP |
No |
Categoría de producto |
MOSFET del poder |
Configuración |
Dren dual dual |
Modo del canal |
Aumento |
Tipo de canal |
N |
Número de elementos por microprocesador |
2 |
Voltaje máximo de la fuente del dren (v) |
20 |
Voltaje de fuente de puerta máximo (v) |
±12 |
Dren continuo máximo (a) actual |
6,7 |
Resistencia máxima de la fuente del dren (MOhm) |
22@4.5V |
Carga típica @ Vgs (nC) de la puerta |
12@4.5V |
Capacitancia entrada típica @ Vds (PF) |
1082@10V |
Disipación de poder máxima (mW) |
2000 |
Tiempo de caída típico (ns) |
8 |
Tiempo de subida típico (ns) |
8 |
Tiempo de retraso típico de la vuelta-Apagado (ns) |
24 |
Tiempo de retraso de abertura típico (ns) |
8 |
Temperatura de funcionamiento mínima (°C) |
-55 |
Temperatura de funcionamiento máximo (°C) |
150 |
Empaquetado |
Cinta y carrete |
Paquete del proveedor |
SOIC N |
Pin Count |
8 |
Nombre del paquete estándar |
COMPENSACIÓN |
Montaje |
Soporte superficial |
Altura del paquete |
1,65 (máximo) |
Longitud del paquete |
4,9 |
Anchura del paquete |
3,9 |
El PWB cambió |
8 |
Forma de la ventaja |
Gaviota-ala |
Carro de la investigación
0