Sunbeam Electronics (Hong Kong) Limited

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GD25LQ64CWIGR Gigadevice dual y memoria Flash de Spi del patio 133 megaciclos

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Sunbeam Electronics (Hong Kong) Limited
Ciudad:shenzhen
País/Región:china
Persona de contacto:MrLarry Fan
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GD25LQ64CWIGR Gigadevice dual y memoria Flash de Spi del patio 133 megaciclos

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Number modelo :GD25LQ64CWIGR
Lugar del origen :CHINA
Cantidad de orden mínima :Qty del paquete
Detalles de empaquetado :cinta y carrete
Plazo de expedición :2 semanas
Condiciones de pago :T/T
Capacidad de la fuente :1000+
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GD25LQ64CWIGR Gigadevice se doblan y flash serial del patio

 
  • Fabricante Part Number:

    GD25LQ64CWIGR

  • Código de Rohs:

  • Código del ciclo de vida de la parte:

    Fabricante del contacto

  • Descripción del paquete:

    WSON-8

  • Código de la conformidad del alcance:

    desconocido

  • Código de ECCN:

    EAR99

  • Código del HTS:

    8542.32.00.51

  • Fabricante:

    GigaDevice Semiconductor (Beijing) Inc

  • Fila del riesgo:

    5,45

  • Reloj Frecuencia-máximo (fCLK):

    133 megaciclos

  • Código JESD-30:

    R-PDSO-N8

  • Longitud:

    6 milímetros

  • Densidad de memoria:

    pedazo 67108864

  • Tipo de IC de la memoria:

    FLASH

  • Anchura de la memoria:

    1

  • Número de funciones:

    1

  • Número de terminales:

    8

  • Número de palabras:

    67108864 palabras

  • Número de código de palabras:

    64000000

  • Modo de funcionamiento:

    SÍNCRONO

  • Funcionamiento Temperatura-máximo:

    °C 85

  • Temperatura-minuto de funcionamiento:

    -40 °C

  • Organización:

    64MX1

  • Material del cuerpo del paquete:

    PLASTIC/EPOXY

  • Código del paquete:

    HVSON

  • Forma del paquete:

    RECTANGULAR

  • Estilo del paquete:

    PEQUEÑO ESQUEMA, HEATSINK/SLUG, PERFIL FINO MISMO

  • Paralelo/serial:

    SERIAL

  • Temperatura máxima del flujo (Cel):

    NO ESPECIFICADO

  • Voltaje programado:

    1,8 V

  • Altura-máximo asentada:

    0,8 milímetros

  • Fuente Voltaje-máxima (Vsup):

    2 V

  • Voltaje-minuto de la fuente (Vsup):

    1,65 V

  • Voltaje-Nom de la fuente (Vsup):

    1,8 V

  • Soporte superficial:

  • Tecnología:

    Cmos

  • Grado de la temperatura:

    INDUSTRIAL

  • Forma terminal:

    NINGUNA VENTAJA

  • Echada terminal:

    1,27 milímetros

  • Posición terminal:

    DUAL

  • Flujo de Time@Peak (s) Temperatura-máximo:

    NO ESPECIFICADO

  • Tipo:

    NI TIPO

  • Anchura:

    5 milímetros

Carro de la investigación 0