| UE RoHS |
Obediente |
| ECCN (LOS E.E.U.U.) |
EAR99 |
| Situación de la parte |
Activo |
| HTS |
8541.21.00.95 |
| Automotriz |
No |
| PPAP |
No |
| Categoría de producto |
Pequeña señal |
| Configuración |
Dual |
| Modo del canal |
Aumento |
| Tipo de canal |
N |
| Número de elementos por microprocesador |
2 |
| Voltaje máximo de la fuente del dren (v) |
60 |
| Voltaje de fuente de puerta máximo (v) |
±20 |
| Voltaje máximo del umbral de la puerta (v) |
2 |
| Temperatura de empalme de funcionamiento (°C) |
-55 a 150 |
| Dren continuo máximo (a) actual |
0,23 |
| Corriente máxima de la salida de la fuente de la puerta (nA) |
10 |
| IDSS máximo (UA) |
1 |
| Resistencia máxima de la fuente del dren (MOhm) |
7500@5V |
| Capacitancia entrada típica @ Vds (PF) |
22@25V |
| Capacitancia reversa típica @ Vds (PF) de la transferencia |
2@25V |
| Voltaje mínimo del umbral de la puerta (v) |
1 |
| Capacitancia de salida típica (PF) |
11 |
| Disipación de poder máxima (mW) |
400 |
| Tiempo de retraso típico de la vuelta-Apagado (ns) |
11 |
| Tiempo de retraso de abertura típico (ns) |
7 |
| Temperatura de funcionamiento mínima (°C) |
-55 |
| Temperatura de funcionamiento máximo (°C) |
150 |
| Grado de la temperatura del proveedor |
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| Empaquetado |
Cinta y carrete |
| Voltaje de fuente de puerta positivo máximo (v) |
20 |
| Corriente continua máxima del dren en PWB @ TC=25°C (a) |
0,23 |
| Disipación de poder máxima en PWB @ TC=25°C (w) |
0,4 |
| Máximos pulsados drenan la corriente @ TC=25°C (a) |
0,8 |
| Resistencia termal ambiente del empalme máximo en PWB (°C/W) |
318 |
| Voltaje delantero del diodo típico (v) |
0,78 |
| Voltaje delantero del diodo máximo (v) |
1,5 |
| Pin Count |
6 |
| Nombre del paquete estándar |
BORRACHÍN |
| Paquete del proveedor |
SOT-363 |
| Montaje |
Soporte superficial |
| Altura del paquete |
0,95 |
| Longitud del paquete |
2,15 |
| Anchura del paquete |
1,3 |
| El PWB cambió |
6 |
| Forma de la ventaja |
Gaviota-ala |
