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MOSFET N-CH 20V 5.47A 3-Pin automotriz SOT-23 T/R del transporte de los DIODOS DMG3420UQ-7
Especificaciones técnicas del producto
UE RoHS |
Obediente |
ECCN (LOS E.E.U.U.) |
EAR99 |
Situación de la parte |
Activo |
HTS |
8541.21.00.95 |
Automotriz |
Sí |
PPAP |
Sí |
Categoría de producto |
MOSFET del poder |
Configuración |
Solo |
Modo del canal |
Aumento |
Tipo de canal |
N |
Número de elementos por microprocesador |
1 |
Voltaje máximo de la fuente del dren (v) |
20 |
Voltaje de fuente de puerta máximo (v) |
±12 |
Voltaje máximo del umbral de la puerta (v) |
1,2 |
Dren continuo máximo (a) actual |
5,47 |
Corriente máxima de la salida de la fuente de la puerta (nA) |
100 |
IDSS máximo (UA) |
1 |
Resistencia máxima de la fuente del dren (MOhm) |
29@10V |
Carga típica @ Vgs (nC) de la puerta |
5.4@4.5V |
Capacitancia entrada típica @ Vds (PF) |
434.7@10V |
Disipación de poder máxima (mW) |
740 |
Tiempo de caída típico (ns) |
5,3 |
Tiempo de subida típico (ns) |
8,3 |
Tiempo de retraso típico de la vuelta-Apagado (ns) |
21,6 |
Tiempo de retraso de abertura típico (ns) |
6,5 |
Temperatura de funcionamiento mínima (°C) |
-55 |
Temperatura de funcionamiento máximo (°C) |
150 |
Grado de la temperatura del proveedor |
Automotriz |
Empaquetado |
Cinta y carrete |
Paquete del proveedor |
SOT-23 |
Pin Count |
3 |
Nombre del paquete estándar |
SOT-23 |
Montaje |
Soporte superficial |
Altura del paquete |
0,98 |
Longitud del paquete |
2,9 |
Anchura del paquete |
1,3 |
El PWB cambió |
3 |
Forma de la ventaja |
Gaviota-ala |
Carro de la investigación
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