MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R del transporte de BSS138LT1G ONsemi
EN EL MOSFET del semiconductor es un transistor del MOSFET del canal N que actúa en modo del aumento. Su disipación de poder máxima es 225 mW. El voltaje máximo de la fuente del dren del producto es 50 V y el voltaje de fuente de puerta es ±20 V. Este MOSFET tiene una gama de temperaturas de funcionamiento de -55°C a 150°C.
Características y ventajas:
• Voltaje bajo del umbral (VGS (th): 0,85 V-1.5 V) hacen ideal para los usos de la baja tensión
• El paquete superficial miniatura del soporte SOT-23 ahorra el espacio del tablero
• Prefijo de BVSS para los usos automotrices y otros que requieren requisitos únicos del cambio del sitio y de control; AEC-Q101 calificó y PPAP capaz
• Estos dispositivos son Pb-libres, el halógeno Free/BFR libres y son RoHS obediente
Uso:
• Convertidores de DC-DC
• Gestión del poder en productos portátiles y con pilas tales como ordenadores
• Impresoras
• Tarjetas de PCMCIA
• Celular y teléfonos inalámbricos.
Especificaciones técnicas del producto
| UE RoHS |
Obediente |
| ECCN (LOS E.E.U.U.) |
EAR99 |
| Situación de la parte |
Activo |
| HTS |
8541.21.00.95 |
| Automotriz |
No |
| PPAP |
No |
| Categoría de producto |
MOSFET del poder |
| Configuración |
Solo |
| Modo del canal |
Aumento |
| Tipo de canal |
N |
| Número de elementos por microprocesador |
1 |
| Voltaje máximo de la fuente del dren (v) |
50 |
| Voltaje de fuente de puerta máximo (v) |
±20 |
| Voltaje máximo del umbral de la puerta (v) |
1,5 |
| Temperatura de empalme de funcionamiento (°C) |
-55 a 150 |
| Dren continuo máximo (a) actual |
0,2 |
| Corriente máxima de la salida de la fuente de la puerta (nA) |
100 |
| IDSS máximo (UA) |
0,5 |
| Resistencia máxima de la fuente del dren (MOhm) |
3500@5V |
| Capacitancia entrada típica @ Vds (PF) |
40@25V |
| Capacitancia reversa típica @ Vds (PF) de la transferencia |
3,5 |
| Voltaje mínimo del umbral de la puerta (v) |
0,85 |
| Capacitancia de salida típica (PF) |
12 |
| Disipación de poder máxima (mW) |
225 |
| Tiempo de retraso típico de la vuelta-Apagado (ns) |
20 (máximo) |
| Tiempo de retraso de abertura típico (ns) |
20 (máximo) |
| Temperatura de funcionamiento mínima (°C) |
-55 |
| Temperatura de funcionamiento máximo (°C) |
150 |
| Empaquetado |
Cinta y carrete |
| Voltaje de fuente de puerta positivo máximo (v) |
20 |
| Máximos pulsados drenan la corriente @ TC=25°C (a) |
0,8 |
| Voltaje típico de la meseta de la puerta (v) |
1,9 |
| Pin Count |
3 |
| Nombre del paquete estándar |
BORRACHÍN |
| Paquete del proveedor |
SOT-23 |
| Montaje |
Soporte superficial |
| Altura del paquete |
0,94 |
| Longitud del paquete |
2,9 |
| Anchura del paquete |
1,3 |
| El PWB cambió |
3 |
| Forma de la ventaja |
Gaviota-ala |
Amplifique las señales electrónicas y cambie entre ellas con la ayuda EN del MOSFET del poder del BSS138LT1G del semiconductor. Su disipación de poder máxima es 225 mW. Para asegurar entrega segura y permitir el montaje rápido de este componente después de entrega, será embalada en la cinta y el carrete que empaquetan durante el envío. Este transistor del MOSFET tiene una gama de temperaturas de funcionamiento del °C -55 a 150 °C. Este dispositivo utiliza tecnología de los tmos. Este transistor del MOSFET del canal N actúa en modo del aumento.
