MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R del transporte de 2N7002LT1G ONSEMI
ENCENDIDO los MOSFETs del semiconductor se han diseñado para minimizar rato de la resistencia del en-estado proporcionan funcionamiento que cambiaba rugoso, confiable, y rápido. Su disipación de poder máxima es 300 mW. El voltaje máximo de la fuente del dren del producto es 60 V y el voltaje de fuente de puerta es ±20 V. Este MOSFET tiene una gama de temperaturas de funcionamiento de -55°C a 150°C.
Características y ventajas:
• prefijo 2V para los usos automotrices y otros que requieren requisitos únicos del cambio del sitio y de control; AEC-Q101 calificó y PPAP capaz (2V7002L)
• Estos dispositivos son Pb-libres, el halógeno Free/BFR libres y son RoHS obediente
Uso:
• Control de motor servo
• Conductores de la puerta del MOSFET del poder
Especificaciones técnicas del producto
| UE RoHS |
Obediente |
| ECCN (LOS E.E.U.U.) |
EAR99 |
| Situación de la parte |
Activo |
| Automotriz |
No |
| PPAP |
No |
| Categoría de producto |
Pequeña señal |
| Configuración |
Solo |
| Modo del canal |
Aumento |
| Tipo de canal |
N |
| Número de elementos por microprocesador |
1 |
| Voltaje máximo de la fuente del dren (v) |
60 |
| Voltaje de fuente de puerta máximo (v) |
±20 |
| Voltaje máximo del umbral de la puerta (v) |
2,5 |
| Temperatura de empalme de funcionamiento (°C) |
-55 a 150 |
| Dren continuo máximo (a) actual |
0,115 |
| Corriente máxima de la salida de la fuente de la puerta (nA) |
100 |
| IDSS máximo (UA) |
1 |
| Resistencia máxima de la fuente del dren (mOhm) |
7500@10V |
| Capacitancia reversa típica @ Vds (PF) de la transferencia |
5 @25V (máximos) |
| Voltaje mínimo del umbral de la puerta (v) |
1 |
| Capacitancia de salida típica (PF) |
25 (máximo) |
| Disipación de poder máxima (mW) |
300 |
| Tiempo de retraso típico de la vuelta-Apagado (ns) |
40 (máximo) |
| Tiempo de retraso de abertura típico (ns) |
20 (máximo) |
| Temperatura de funcionamiento mínima (°C) |
-55 |
| Temperatura de funcionamiento máximo (°C) |
150 |
| Empaquetado |
Cinta y carrete |
| Voltaje de fuente de puerta positivo máximo (v) |
20 |
| Disipación de poder máxima en PWB @ TC=25°C (w) |
0,225 |
| Máximos pulsados drenan la corriente @ TC=25°C (a) |
0,8 |
| Resistencia termal ambiente del empalme máximo en PWB (°C/W) |
556 |
| Voltaje delantero del diodo máximo (v) |
1,5 |
| Pin Count |
3 |
| Nombre del paquete estándar |
BORRACHÍN |
| Paquete del proveedor |
SOT-23 |
| Montaje |
Soporte superficial |
| Altura del paquete |
0,94 |
| Longitud del paquete |
2,9 |
| Anchura del paquete |
1,3 |
| El PWB cambió |
3 |
| Forma de la ventaja |
Gaviota-ala |
