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Sunbeam Electronics (Hong Kong) Limited

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Pin SOT-23 T/R del MOSFET N-CH Si 30V 1.2A 3 del poder más elevado de IRLML2803TRPBF

Categorías de Producto

Crystal Electronic Component

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Diodos y transistores electrónicos

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Unidad MCU del microcontrolador

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Conector del tablero del PWB

 [38]

Circuito integrado de SMD

 [302]

Módulo electrónico de Digitaces

 [12]

MOSFET del poder más elevado

 [2910]

Optoelectrónica LED

 [42]

Componentes electrónicos pasivos

 [40]

Circuito impreso flexible de Fpc

 [12]

Servicio de la asamblea del PWB

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Tablero electrónico del indicador digital

 [12]

Retransmisión del poder de la señal

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Interruptor DIP de SMD

 [50]

Herramientas del desarrollador

 [12]

Cable de alambre de la UL

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Sensores del componente electrónico

 [42]

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China Pin SOT-23 T/R del MOSFET N-CH Si 30V 1.2A 3 del poder más elevado de IRLML2803TRPBF wholesale
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Number modelo :IRLML2803TRPBF
Lugar del origen :CHINA
MPN :IRLML2803TRPBF
MFR :Infineon
Categoría :MOSFET
Tamaño :1.02*3.04*1.4m m
Cantidad de orden mínima :Qty del paquete
Detalles de empaquetado :cinta y carrete
Plazo de expedición :2 semanas
Condiciones de pago :T/T
Capacidad de la fuente :1000+
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MOSFET N-CH Si 30V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R del transporte de IRLML2803TRPBF Infineon

Especificaciones técnicas del producto

UE RoHS Obediente
ECCN (LOS E.E.U.U.) EAR99
Situación de la parte Activo
Automotriz No
PPAP No
Categoría de producto MOSFET del poder
Material Si
Configuración Solo
Tecnología de proceso HEXFET
Modo del canal Aumento
Tipo de canal N
Número de elementos por microprocesador 1
Voltaje máximo de la fuente del dren (v) 30
Voltaje de fuente de puerta máximo (v) ±20
Voltaje máximo del umbral de la puerta (v) 1 (minuto)
Dren continuo máximo (a) actual 1,2
Resistencia máxima de la fuente del dren (MOhm) 250@10V
Carga típica @ Vgs (nC) de la puerta 3.3@10V
Carga típica @ 10V (nC) de la puerta 3,3
Puerta típica para drenar la carga (nC) 1,1
Puerta típica a la carga de la fuente (nC) 0,48
Carga reversa típica de la recuperación (nC) 22
Capacitancia entrada típica @ Vds (PF) 85@25V
Capacitancia de salida típica (PF) 34
Disipación de poder máxima (mW) 540
Tiempo de caída típico (ns) 1,7
Tiempo de subida típico (ns) 4
Tiempo de retraso típico de la vuelta-Apagado (ns) 9
Tiempo de retraso de abertura típico (ns) 3,9
Temperatura de funcionamiento mínima (°C) -55
Temperatura de funcionamiento máximo (°C) 150
Empaquetado Cinta y carrete
Pin Count 3
Nombre del paquete estándar BORRACHÍN
Paquete del proveedor SOT-23
Montaje Soporte superficial
Altura del paquete 1,02 (máximo)
Longitud del paquete 3,04 (máximo)
Anchura del paquete 1,4 (máximo)
El PWB cambió 3
Forma de la ventaja Gaviota-ala
Etiquetas de productos:

mosfet irf3205

irf520 mosfet

to220 mosfet
Carro de la investigación 0

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