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UE RoHS | Obediente |
ECCN (LOS E.E.U.U.) | EAR99 |
Situación de la parte | Activo |
Automotriz | No |
PPAP | No |
Categoría de producto | MOSFET del poder |
Material | Si |
Configuración | Solo |
Tecnología de proceso | HEXFET |
Modo del canal | Aumento |
Tipo de canal | N |
Número de elementos por microprocesador | 1 |
Voltaje máximo de la fuente del dren (v) | 30 |
Voltaje de fuente de puerta máximo (v) | ±20 |
Voltaje máximo del umbral de la puerta (v) | 1 (minuto) |
Dren continuo máximo (a) actual | 1,2 |
Resistencia máxima de la fuente del dren (MOhm) | 250@10V |
Carga típica @ Vgs (nC) de la puerta | 3.3@10V |
Carga típica @ 10V (nC) de la puerta | 3,3 |
Puerta típica para drenar la carga (nC) | 1,1 |
Puerta típica a la carga de la fuente (nC) | 0,48 |
Carga reversa típica de la recuperación (nC) | 22 |
Capacitancia entrada típica @ Vds (PF) | 85@25V |
Capacitancia de salida típica (PF) | 34 |
Disipación de poder máxima (mW) | 540 |
Tiempo de caída típico (ns) | 1,7 |
Tiempo de subida típico (ns) | 4 |
Tiempo de retraso típico de la vuelta-Apagado (ns) | 9 |
Tiempo de retraso de abertura típico (ns) | 3,9 |
Temperatura de funcionamiento mínima (°C) | -55 |
Temperatura de funcionamiento máximo (°C) | 150 |
Empaquetado | Cinta y carrete |
Pin Count | 3 |
Nombre del paquete estándar | BORRACHÍN |
Paquete del proveedor | SOT-23 |
Montaje | Soporte superficial |
Altura del paquete | 1,02 (máximo) |
Longitud del paquete | 3,04 (máximo) |
Anchura del paquete | 1,4 (máximo) |
El PWB cambió | 3 |
Forma de la ventaja | Gaviota-ala |