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EP T/R del Pin PQFN del MOSFET P-CH Si 30V 21A 8 del poder más elevado de IRFH9310TRPBF

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Sunbeam Electronics (Hong Kong) Limited

Ciudad:shenzhen

País/Región:china

Persona de contacto:MrLarry Fan

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China EP T/R del Pin PQFN del MOSFET P-CH Si 30V 21A 8 del poder más elevado de IRFH9310TRPBF wholesale

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Number modelo :IRFH9310TRPBF

Lugar del origen :CHINA

MPN :IRFH9310TRPBF

MFR :Infineon

Categoría :MOSFET

Tamaño :5*6*0.95m m

Cantidad de orden mínima :Qty del paquete

Detalles de empaquetado :cinta y carrete

Plazo de expedición :2 semanas

Condiciones de pago :T/T

Capacidad de la fuente :1000+

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EP T/R del MOSFET P-CH Si 30V 21A 8-Pin PQFN del transporte de IRFH9310TRPBF Infineon

Especificaciones técnicas del producto

UE RoHS	Obediente
ECCN (LOS E.E.U.U.)	EAR99
Situación de la parte	Activo
Automotriz	No
PPAP	No
Categoría de producto	MOSFET del poder
Material	Si
Configuración	Fuente triple del solo dren del patio
Tecnología de proceso	HEXFET
Modo del canal	Aumento
Tipo de canal	P
Número de elementos por microprocesador	1
Voltaje máximo de la fuente del dren (v)	30
Voltaje de fuente de puerta máximo (v)	±20
Dren continuo máximo (a) actual	21
Resistencia máxima de la fuente del dren (MOhm)	4.6@10V
Carga típica @ Vgs (nC) de la puerta	58@4.5V\|110@10V
Carga típica @ 10V (nC) de la puerta	110
Capacitancia entrada típica @ Vds (PF)	5250@15V
Disipación de poder máxima (mW)	3100
Tiempo de caída típico (ns)	70
Tiempo de subida típico (ns)	47
Tiempo de retraso típico de la vuelta-Apagado (ns)	65
Tiempo de retraso de abertura típico (ns)	25
Temperatura de funcionamiento mínima (°C)	-55
Temperatura de funcionamiento máximo (°C)	150
Empaquetado	Cinta y carrete
Pin Count	8
Nombre del paquete estándar	QFN
Paquete del proveedor	EP DE PQFN
Montaje	Soporte superficial
Altura del paquete	0,95 (máximo)
Longitud del paquete	5
Anchura del paquete	6
El PWB cambió	8
Forma de la ventaja	Ninguna ventaja

Etiquetas de productos:

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