Ver descripción del producto
MOSFET N-CH 900V 5.1A 3-Pin (2+Tab) DPAK T/R del transporte de IPD90R1K2C3 Infineon
Especificaciones técnicas del producto
| UE RoHS |
Obediente con la exención |
| ECCN (LOS E.E.U.U.) |
EAR99 |
| Situación de la parte |
Activo |
| SVHC |
Sí |
| SVHC excede el umbral |
Sí |
| Automotriz |
No |
| PPAP |
No |
| Categoría de producto |
MOSFET del poder |
| Configuración |
Solo |
| Tecnología de proceso |
CoolMOS |
| Modo del canal |
Aumento |
| Tipo de canal |
N |
| Número de elementos por microprocesador |
1 |
| Voltaje máximo de la fuente del dren (v) |
900 |
| Voltaje de fuente de puerta máximo (v) |
±20 |
| Voltaje máximo del umbral de la puerta (v) |
3,5 |
| Temperatura de empalme de funcionamiento (°C) |
-55 a 150 |
| Dren continuo máximo (a) actual |
5,1 |
| Corriente máxima de la salida de la fuente de la puerta (nA) |
100 |
| IDSS máximo (UA) |
1 |
| Resistencia máxima de la fuente del dren (MOhm) |
1200@10V |
| Carga típica @ Vgs (nC) de la puerta |
28@10V |
| Carga típica @ 10V (nC) de la puerta |
28 |
| Capacitancia entrada típica @ Vds (PF) |
710@100V |
| Disipación de poder máxima (mW) |
83000 |
| Tiempo de caída típico (ns) |
40 |
| Tiempo de subida típico (ns) |
20 |
| Tiempo de retraso típico de la vuelta-Apagado (ns) |
400 |
| Tiempo de retraso de abertura típico (ns) |
70 |
| Temperatura de funcionamiento mínima (°C) |
-55 |
| Temperatura de funcionamiento máximo (°C) |
150 |
| Empaquetado |
Cinta y carrete |
| Voltaje de fuente de puerta positivo máximo (v) |
20 |
| Voltaje delantero del diodo máximo (v) |
1,2 |
| Pin Count |
3 |
| Nombre del paquete estándar |
TO-252 |
| Paquete del proveedor |
DPAK |
| Montaje |
Soporte superficial |
| Altura del paquete |
2,41 (máximo) |
| Longitud del paquete |
6,73 (máximo) |
| Anchura del paquete |
6,22 (máximo) |
| El PWB cambió |
2 |
| Etiqueta |
Etiqueta |
| Forma de la ventaja |
Gaviota-ala |
Carro de la investigación
0
