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MOSFET del poder más elevado IPB200N25N3, Pin D2PAK T/R del Mosfet 250V 64A 3 de N Ch

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Sunbeam Electronics (Hong Kong) Limited

Ciudad:shenzhen

País/Región:china

Persona de contacto:MrLarry Fan

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China MOSFET del poder más elevado IPB200N25N3, Pin D2PAK T/R del Mosfet 250V 64A 3 de N Ch wholesale

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Number modelo :IPB200N25N3

Lugar del origen :CHINA

MPN :IPB200N25N3

MFR :Infineon

Categoría :MOSFET

Tamaño :4.57*10.31*9.45m m

Cantidad de orden mínima :Qty del paquete

Detalles de empaquetado :cinta y carrete

Plazo de expedición :2 semanas

Condiciones de pago :T/T

Capacidad de la fuente :1000+

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MOSFET N-CH 250V 64A 3-Pin (2+Tab) D2PAK T/R del transporte de IPB200N25N3 Infineon

Especificaciones técnicas del producto

UE RoHS	Obediente con la exención
ECCN (LOS E.E.U.U.)	EAR99
Situación de la parte	Activo
SVHC	Sí
SVHC excede el umbral	Sí
Automotriz	No
PPAP	No
Categoría de producto	MOSFET del poder
Configuración	Solo
Tecnología de proceso	OptiMOS 3
Modo del canal	Aumento
Tipo de canal	N
Número de elementos por microprocesador	1
Voltaje máximo de la fuente del dren (v)	250
Voltaje de fuente de puerta máximo (v)	±20
Dren continuo máximo (a) actual	64
Resistencia máxima de la fuente del dren (MOhm)	20@10V
Carga típica @ Vgs (nC) de la puerta	64@10V
Carga típica @ 10V (nC) de la puerta	64
Capacitancia entrada típica @ Vds (PF)	5340@100V
Disipación de poder máxima (mW)	300000
Tiempo de caída típico (ns)	12
Tiempo de subida típico (ns)	20
Tiempo de retraso típico de la vuelta-Apagado (ns)	45
Tiempo de retraso de abertura típico (ns)	18
Temperatura de funcionamiento mínima (°C)	-55
Temperatura de funcionamiento máximo (°C)	175
Empaquetado	Cinta y carrete
Pin Count	3
Nombre del paquete estándar	TO-263
Paquete del proveedor	D2PAK
Montaje	Soporte superficial
Altura del paquete	4,57 (máximo)
Longitud del paquete	10,31 (máximo)
Anchura del paquete	9,45 (máximo)
El PWB cambió	2
Etiqueta	Etiqueta

Etiquetas de productos:

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