Sunbeam Electronics (Hong Kong) Limited

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MOSFET del poder más elevado IPB200N25N3, Pin D2PAK T/R del Mosfet 250V 64A 3 de N Ch

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Sunbeam Electronics (Hong Kong) Limited
Ciudad:shenzhen
País/Región:china
Persona de contacto:MrLarry Fan
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MOSFET del poder más elevado IPB200N25N3, Pin D2PAK T/R del Mosfet 250V 64A 3 de N Ch

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Number modelo :IPB200N25N3
Lugar del origen :CHINA
MPN :IPB200N25N3
MFR :Infineon
Categoría :MOSFET
Tamaño :4.57*10.31*9.45m m
Cantidad de orden mínima :Qty del paquete
Detalles de empaquetado :cinta y carrete
Plazo de expedición :2 semanas
Condiciones de pago :T/T
Capacidad de la fuente :1000+
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MOSFET N-CH 250V 64A 3-Pin (2+Tab) D2PAK T/R del transporte de IPB200N25N3 Infineon

Especificaciones técnicas del producto

UE RoHS Obediente con la exención
ECCN (LOS E.E.U.U.) EAR99
Situación de la parte Activo
SVHC
SVHC excede el umbral
Automotriz No
PPAP No
Categoría de producto MOSFET del poder
Configuración Solo
Tecnología de proceso OptiMOS 3
Modo del canal Aumento
Tipo de canal N
Número de elementos por microprocesador 1
Voltaje máximo de la fuente del dren (v) 250
Voltaje de fuente de puerta máximo (v) ±20
Dren continuo máximo (a) actual 64
Resistencia máxima de la fuente del dren (MOhm) 20@10V
Carga típica @ Vgs (nC) de la puerta 64@10V
Carga típica @ 10V (nC) de la puerta 64
Capacitancia entrada típica @ Vds (PF) 5340@100V
Disipación de poder máxima (mW) 300000
Tiempo de caída típico (ns) 12
Tiempo de subida típico (ns) 20
Tiempo de retraso típico de la vuelta-Apagado (ns) 45
Tiempo de retraso de abertura típico (ns) 18
Temperatura de funcionamiento mínima (°C) -55
Temperatura de funcionamiento máximo (°C) 175
Empaquetado Cinta y carrete
Pin Count 3
Nombre del paquete estándar TO-263
Paquete del proveedor D2PAK
Montaje Soporte superficial
Altura del paquete 4,57 (máximo)
Longitud del paquete 10,31 (máximo)
Anchura del paquete 9,45 (máximo)
El PWB cambió 2
Etiqueta Etiqueta
Carro de la investigación 0