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Sunbeam Electronics (Hong Kong) Limited

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Pin automotriz 3 SOT-23 del MOSFET P CH 30V 2A del poder más elevado BSS308PEH6327XTSA1 T/R

Categorías de Producto

Crystal Electronic Component

 [133]

Diodos y transistores electrónicos

 [51]

Unidad MCU del microcontrolador

 [67]

Almacenamiento de datos de memoria Flash

 [40]

Conector del tablero del PWB

 [38]

Circuito integrado de SMD

 [302]

Módulo electrónico de Digitaces

 [12]

MOSFET del poder más elevado

 [2910]

Optoelectrónica LED

 [42]

Componentes electrónicos pasivos

 [40]

Circuito impreso flexible de Fpc

 [12]

Servicio de la asamblea del PWB

 [2]

Tablero electrónico del indicador digital

 [12]

Retransmisión del poder de la señal

 [24]

Interruptor DIP de SMD

 [50]

Herramientas del desarrollador

 [12]

Cable de alambre de la UL

 [4]

Sensores del componente electrónico

 [42]

montajes del anillo colectando

 [26]
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Sunbeam Electronics (Hong Kong) Limited
Ciudad:shenzhen
País/Región:china
Persona de contacto:Mrpeter
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China Pin automotriz 3 SOT-23 del MOSFET P CH 30V 2A del poder más elevado BSS308PEH6327XTSA1 T/R wholesale
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Number modelo :BSS308PEH6327XTSA1
Lugar del origen :CHINA
MPN :BSS308PEH6327XTSA1
MFR :Infineon
Categoría :MOSFET
Tamaño :1*1.3*2.9m m
Cantidad de orden mínima :Qty del paquete
Detalles de empaquetado :cinta y carrete
Plazo de expedición :2 semanas
Condiciones de pago :T/T
Capacidad de la fuente :1000+
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MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin automotriz SOT-23 T/R del transporte de BSS308PEH6327XTSA1 Infineon

Especificaciones técnicas del producto

UE RoHS Obediente
ECCN (LOS E.E.U.U.) EAR99
Situación de la parte Activo
Automotriz Sí
PPAP Desconocido
Categoría de producto Pequeña señal
Configuración Solo
Tecnología de proceso OptiMOS
Modo del canal Aumento
Tipo de canal P
Número de elementos por microprocesador 1
Voltaje máximo de la fuente del dren (v) 30
Voltaje de fuente de puerta máximo (v) ±20
Dren continuo máximo (a) actual 2
Resistencia máxima de la fuente del dren (MOhm) 80@10V
Carga típica @ Vgs (nC) de la puerta 5@10V
Carga típica @ 10V (nC) de la puerta 5
Capacitancia entrada típica @ Vds (PF) 376@15V
Disipación de poder máxima (mW) 500
Tiempo de caída típico (ns) 2,8
Tiempo de subida típico (ns) 7,7
Tiempo de retraso típico de la vuelta-Apagado (ns) 15,3
Tiempo de retraso de abertura típico (ns) 5,6
Temperatura de funcionamiento mínima (°C) -55
Temperatura de funcionamiento máximo (°C) 150
Empaquetado Cinta y carrete
Paquete del proveedor SOT-23
Pin Count 3
Nombre del paquete estándar SOT-23
Montaje Soporte superficial
Altura del paquete 1 (máximo)
Longitud del paquete 2,9
Anchura del paquete 1,3
El PWB cambió 3
Forma de la ventaja Gaviota-ala
Etiquetas de productos:

4435 mosfet

sot 23 mosfet

id mosfet
Carro de la investigación 0

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