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Sunbeam Electronics (Hong Kong) Limited

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Pin automotriz 4 SOT-223 del Mosfet 100V 1A del canal de BSP322PH6327XTSA1 P T/R

Categorías de Producto

Crystal Electronic Component

 [140]

Diodos y transistores electrónicos

 [54]

Unidad MCU del microcontrolador

 [68]

Almacenamiento de datos de memoria Flash

 [40]

Conector del tablero del PWB

 [42]

Circuito integrado de SMD

 [336]

Módulo electrónico de Digitaces

 [12]

MOSFET del poder más elevado

 [3000]

Optoelectrónica LED

 [42]

Componentes electrónicos pasivos

 [42]

Circuito impreso flexible de FPC

 [12]

Servicio de la asamblea del PWB

 [4]

Tablero electrónico del indicador digital

 [12]

Retransmisión del poder de la señal

 [26]

Interruptor DIP de SMD

 [50]

Herramientas del desarrollador

 [12]

Cable de alambre de la UL

 [4]

Sensores del componente electrónico

 [42]

Resbalón Ring Assemblies

 [26]
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Sunbeam Electronics (Hong Kong) Limited
Ciudad:shenzhen
País/Región:china
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China Pin automotriz 4 SOT-223 del Mosfet 100V 1A del canal de BSP322PH6327XTSA1 P T/R wholesale
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Pin automotriz 4 SOT-223 del Mosfet 100V 1A del canal de BSP322PH6327XTSA1 P T/R
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Number modelo :BSP322PH6327XTSA1
Lugar del origen :CHINA
MPN :BSP322PH6327XTSA1
MFR :Infineon
Categoría :MOSFET
Tamaño :6.5*3.5*1.6m m
Cantidad de orden mínima :Qty del paquete
Detalles de empaquetado :cinta y carrete
Plazo de expedición :2 semanas
Condiciones de pago :T/T
Capacidad de la fuente :1000+
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MOSFET P-CH 100V 1A 4-Pin automotriz (3+Tab) SOT-223 T/R del transporte de BSP322PH6327XTSA1 Infineon

Especificaciones técnicas del producto

UE RoHS Obediente
ECCN (LOS E.E.U.U.) EAR99
Situación de la parte Activo
Automotriz Sí
PPAP Desconocido
Categoría de producto Pequeña señal
Configuración Solo dren dual
Tecnología de proceso SIPMOS
Modo del canal Aumento
Tipo de canal P
Número de elementos por microprocesador 1
Voltaje máximo de la fuente del dren (v) 100
Voltaje de fuente de puerta máximo (v) ±20
Voltaje máximo del umbral de la puerta (v) 1
Dren continuo máximo (a) actual 1
Resistencia máxima de la fuente del dren (MOhm) 800@10V
Carga típica @ Vgs (nC) de la puerta 12.4@10V
Carga típica @ 10V (nC) de la puerta 12,4
Puerta típica para drenar la carga (nC) 4,3
Puerta típica a la carga de la fuente (nC) 0,8
Carga reversa típica de la recuperación (nC) 84
Capacitancia entrada típica @ Vds (PF) 280@25V
Capacitancia de salida típica (PF) 70
Disipación de poder máxima (mW) 1800
Tiempo de caída típico (ns) 8,3
Tiempo de subida típico (ns) 4,3
Tiempo de retraso típico de la vuelta-Apagado (ns) 21,2
Tiempo de retraso de abertura típico (ns) 4,6
Temperatura de funcionamiento mínima (°C) -55
Temperatura de funcionamiento máximo (°C) 150
Empaquetado Cinta y carrete
Pin Count 4
Nombre del paquete estándar BORRACHÍN
Paquete del proveedor SOT-223
Montaje Soporte superficial
Altura del paquete 1,6
Longitud del paquete 6,5
Anchura del paquete 3,5
El PWB cambió 3
Etiqueta Etiqueta
Forma de la ventaja Gaviota-ala
Etiquetas de productos:

p-channel mosfet sot-23

sot23 mosfet

sot 23 mosfet
Carro de la investigación 0

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