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Sunbeam Electronics (Hong Kong) Limited

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Pin automotriz 4 SOT-223 del Mosfet 60V 1.9A del poder del canal de BSP170PH6327 P T/R

Categorías de Producto

Crystal Electronic Component

 [140]

Diodos y transistores electrónicos

 [54]

Unidad MCU del microcontrolador

 [68]

Almacenamiento de datos de memoria Flash

 [40]

Conector del tablero del PWB

 [42]

Circuito integrado de SMD

 [336]

Módulo electrónico de Digitaces

 [12]

MOSFET del poder más elevado

 [3000]

Optoelectrónica LED

 [42]

Componentes electrónicos pasivos

 [42]

Circuito impreso flexible de FPC

 [12]

Servicio de la asamblea del PWB

 [4]

Tablero electrónico del indicador digital

 [12]

Retransmisión del poder de la señal

 [26]

Interruptor DIP de SMD

 [50]

Herramientas del desarrollador

 [12]

Cable de alambre de la UL

 [4]

Sensores del componente electrónico

 [42]

Resbalón Ring Assemblies

 [26]
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Sunbeam Electronics (Hong Kong) Limited
Ciudad:shenzhen
País/Región:china
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China Pin automotriz 4 SOT-223 del Mosfet 60V 1.9A del poder del canal de BSP170PH6327 P T/R wholesale
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Pin automotriz 4 SOT-223 del Mosfet 60V 1.9A del poder del canal de BSP170PH6327 P T/R
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Number modelo :BSP170PH6327
Lugar del origen :CHINA
MPN :BSP170PH6327
MFR :Infineon
Categoría :MOSFET
Tamaño :6.5*3.5*1.6m m
Cantidad de orden mínima :Qty del paquete
Detalles de empaquetado :cinta y carrete
Plazo de expedición :2 semanas
Condiciones de pago :T/T
Capacidad de la fuente :1000+
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MOSFET P-CH 60V 1.9A 4-Pin automotriz (3+Tab) SOT-223 T/R del transporte de BSP170PH6327 Infineon

Especificaciones técnicas del producto

UE RoHS Obediente
ECCN (LOS E.E.U.U.) EAR99
Situación de la parte Activo
Automotriz Sí
PPAP Desconocido
Categoría de producto Pequeña señal
Configuración Solo dren dual
Tecnología de proceso SIPMOS
Modo del canal Aumento
Tipo de canal P
Número de elementos por microprocesador 1
Voltaje máximo de la fuente del dren (v) 60
Voltaje de fuente de puerta máximo (v) ±20
Voltaje máximo del umbral de la puerta (v) 4
Dren continuo máximo (a) actual 1,9
Corriente máxima de la salida de la fuente de la puerta (nA) 100
IDSS máximo (UA) 1
Resistencia máxima de la fuente del dren (MOhm) 300@10V
Carga típica @ Vgs (nC) de la puerta 10@10V
Carga típica @ 10V (nC) de la puerta 10
Capacitancia entrada típica @ Vds (PF) 328@25V
Disipación de poder máxima (mW) 1800
Tiempo de caída típico (ns) 60
Tiempo de subida típico (ns) 28
Tiempo de retraso típico de la vuelta-Apagado (ns) 92
Tiempo de retraso de abertura típico (ns) 14
Temperatura de funcionamiento mínima (°C) -55
Temperatura de funcionamiento máximo (°C) 150
Grado de la temperatura del proveedor Automotriz
Empaquetado Cinta y carrete
Paquete del proveedor SOT-223
Pin Count 4
Nombre del paquete estándar BORRACHÍN
Montaje Soporte superficial
Altura del paquete 1,6
Longitud del paquete 6,5
Anchura del paquete 3,5
El PWB cambió 3
Etiqueta Etiqueta
Forma de la ventaja Gaviota-ala
Etiquetas de productos:

p-channel mosfet sot-23

sot23 mosfet

sot 23 mosfet
Carro de la investigación 0

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