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Sunbeam Electronics (Hong Kong) Limited

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EP automotriz del Pin TDSON del MOSFET N CH 80V 11A del poder más elevado de BSC123N08NS3G 8

Categorías de Producto

Crystal Electronic Component

 [133]

Diodos y transistores electrónicos

 [51]

Unidad MCU del microcontrolador

 [67]

Almacenamiento de datos de memoria Flash

 [40]

Conector del tablero del PWB

 [38]

Circuito integrado de SMD

 [302]

Módulo electrónico de Digitaces

 [12]

MOSFET del poder más elevado

 [2910]

Optoelectrónica LED

 [42]

Componentes electrónicos pasivos

 [40]

Circuito impreso flexible de Fpc

 [12]

Servicio de la asamblea del PWB

 [2]

Tablero electrónico del indicador digital

 [12]

Retransmisión del poder de la señal

 [24]

Interruptor DIP de SMD

 [50]

Herramientas del desarrollador

 [12]

Cable de alambre de la UL

 [4]

Sensores del componente electrónico

 [42]

montajes del anillo colectando

 [26]
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Sunbeam Electronics (Hong Kong) Limited
Ciudad:shenzhen
País/Región:china
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China EP automotriz del Pin TDSON del MOSFET N CH 80V 11A del poder más elevado de BSC123N08NS3G 8 wholesale
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EP automotriz del Pin TDSON del MOSFET N CH 80V 11A del poder más elevado de BSC123N08NS3G 8
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Number modelo :BSC123N08NS3G
Lugar del origen :CHINA
MPN :BSC123N08NS3G
MFR :Infineon
Categoría :MOSFET
Tamaño :1*5.15*5.9m m
Cantidad de orden mínima :Qty del paquete
Detalles de empaquetado :cinta y carrete
Plazo de expedición :2 semanas
Condiciones de pago :T/T
Capacidad de la fuente :1000+
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EP automotriz del MOSFET N-CH 80V 11A 8-Pin TDSON del transporte de BSC123N08NS3G Infineon

Especificaciones técnicas del producto

UE RoHS Obediente con la exención
ECCN (LOS E.E.U.U.) EAR99
Situación de la parte Activo
SVHC Sí
SVHC excede el umbral Sí
Automotriz Desconocido
PPAP Desconocido
Categoría de producto MOSFET del poder
Tecnología de proceso OptiMOS
Configuración Fuente triple del solo dren del patio
Modo del canal Aumento
Tipo de canal N
Número de elementos por microprocesador 1
Voltaje máximo de la fuente del dren (v) 80
Voltaje de fuente de puerta máximo (v) ±20
Dren continuo máximo (a) actual 11
Resistencia máxima de la fuente del dren (MOhm) 12.3@10V
Carga típica @ Vgs (nC) de la puerta 19@10V
Carga típica @ 10V (nC) de la puerta 19
Capacitancia entrada típica @ Vds (PF) 1430@40V
Disipación de poder máxima (mW) 2500
Tiempo de caída típico (ns) 4
Tiempo de subida típico (ns) 18
Tiempo de retraso típico de la vuelta-Apagado (ns) 19
Tiempo de retraso de abertura típico (ns) 12
Temperatura de funcionamiento mínima (°C) -55
Temperatura de funcionamiento máximo (°C) 150
Pin Count 8
Nombre del paquete estándar HIJO
Paquete del proveedor EP DE TDSON
Montaje Soporte superficial
Altura del paquete 1
Longitud del paquete 5,15
Anchura del paquete 5,9
El PWB cambió 8
Forma de la ventaja Ninguna ventaja
Etiquetas de productos:

transistor 2sc1946a

4435 mosfet

9014 transistor
Carro de la investigación 0

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