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EP automotriz del Pin TDSON del MOSFET N CH 80V 11A del poder más elevado de BSC123N08NS3G 8

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Sunbeam Electronics (Hong Kong) Limited

Ciudad:shenzhen

País/Región:china

Persona de contacto:MrLarry Fan

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China EP automotriz del Pin TDSON del MOSFET N CH 80V 11A del poder más elevado de BSC123N08NS3G 8 wholesale

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Number modelo :BSC123N08NS3G

Lugar del origen :CHINA

MPN :BSC123N08NS3G

MFR :Infineon

Categoría :MOSFET

Tamaño :1*5.15*5.9m m

Cantidad de orden mínima :Qty del paquete

Detalles de empaquetado :cinta y carrete

Plazo de expedición :2 semanas

Condiciones de pago :T/T

Capacidad de la fuente :1000+

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EP automotriz del MOSFET N-CH 80V 11A 8-Pin TDSON del transporte de BSC123N08NS3G Infineon

Especificaciones técnicas del producto

UE RoHS	Obediente con la exención
ECCN (LOS E.E.U.U.)	EAR99
Situación de la parte	Activo
SVHC	Sí
SVHC excede el umbral	Sí
Automotriz	Desconocido
PPAP	Desconocido
Categoría de producto	MOSFET del poder
Tecnología de proceso	OptiMOS
Configuración	Fuente triple del solo dren del patio
Modo del canal	Aumento
Tipo de canal	N
Número de elementos por microprocesador	1
Voltaje máximo de la fuente del dren (v)	80
Voltaje de fuente de puerta máximo (v)	±20
Dren continuo máximo (a) actual	11
Resistencia máxima de la fuente del dren (MOhm)	12.3@10V
Carga típica @ Vgs (nC) de la puerta	19@10V
Carga típica @ 10V (nC) de la puerta	19
Capacitancia entrada típica @ Vds (PF)	1430@40V
Disipación de poder máxima (mW)	2500
Tiempo de caída típico (ns)	4
Tiempo de subida típico (ns)	18
Tiempo de retraso típico de la vuelta-Apagado (ns)	19
Tiempo de retraso de abertura típico (ns)	12
Temperatura de funcionamiento mínima (°C)	-55
Temperatura de funcionamiento máximo (°C)	150
Pin Count	8
Nombre del paquete estándar	HIJO
Paquete del proveedor	EP DE TDSON
Montaje	Soporte superficial
Altura del paquete	1
Longitud del paquete	5,15
Anchura del paquete	5,9
El PWB cambió	8
Forma de la ventaja	Ninguna ventaja

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