Opto-Edu (Beijing) Co., Ltd.

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8x-800000x Microscopio electrónico de barrido de emisión Schottky Gun A63.7080 Std Feg Sem

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8x-800000x Microscopio electrónico de barrido de emisión Schottky Gun A63.7080 Std Feg Sem

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Número de modelo :A63.7080
Lugar del origen :China
Cantidad de orden mínima :1 pc
Condiciones de pago :T / T, West Union, Paypal
Capacidad de la fuente :mes de 5000 PC
Plazo de expedición :5 ~ 20 días
Detalles de empaquetado :Embalaje del cartón, para el transporte de la exportación
Resolución :1.5nm@15KV (SE); 3nm@20KV (EEB)
Ampliación :8x~800000x
Arma de electrón :Pistola de electrones de emisión Schottky
Voltaje de aceleración :0~30KV
Sistema del vacío :Ion Pump, bomba molecular de la rotación del、 de la bomba de Turbo
Etapa del espécimen :Etapa motorizada eucéntrica de cinco ejes
Corriente de haz de electrones :10pA~0.3μA
Diámetro máximo de la muestra :175m m
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  • 8x~800000x con el detector SED+CCD, la etapa manual de cinco hachas o la etapa motorizada
  • Aceleración del E-haz con imagen excelente estable de la fuente actual del haz bajo baja tensión
  • No la muestra de la conducción se puede observar directamente ninguna necesidad de ser farfullado en la baja tensión
  • Interfaz fácil y amistoso de la operación, controlado todo por el ratón en el sistema de Windows
  • El sitio grande de la muestra con cinco hachas Eucentric motorizó la etapa de gran tamaño, Max Specimen Dia .175m m
8x-800000x Microscopio electrónico de barrido de emisión Schottky Gun A63.7080 Std Feg Sem
 
8x-800000x Microscopio electrónico de barrido de emisión Schottky Gun A63.7080 Std Feg Sem
 
8x-800000x Microscopio electrónico de barrido de emisión Schottky Gun A63.7080 Std Feg Sem
8x-800000x Microscopio electrónico de barrido de emisión Schottky Gun A63.7080 Std Feg Sem
 
8x-800000x Microscopio electrónico de barrido de emisión Schottky Gun A63.7080 Std Feg Sem
 
8x-800000x Microscopio electrónico de barrido de emisión Schottky Gun A63.7080 Std Feg Sem
 
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8x-800000x Microscopio electrónico de barrido de emisión Schottky Gun A63.7080 Std Feg Sem
 
8x-800000x Microscopio electrónico de barrido de emisión Schottky Gun A63.7080 Std Feg Sem
 
A63.7080, función principal del software A63.7081
El encargar integrado de alto voltaje Filamento automático con./desc. Regulación potencial del cambio
Ajuste del brillo Eléctrico al ajuste central Brillo automático
Ajuste de contraste Ajuste de la lente objetiva Foco auto
Ajuste de ampliación El desmagnetizar objetivo Eliminación automática del astigmatismo
Modo de exploración del área seleccionada Ajuste eléctrico de la rotación Gestión de los parámetros del microscopio
Modo de exploración del punto Ajuste de la dislocación del haz electrónico Exhibición en tiempo real del tamaño de campo de exploración
Línea modo de exploración Ajuste de la inclinación del haz electrónico Ajuste de la lente del arma
Exploración superficial Ajuste de la velocidad de exploración Entrada de varios canales
Supervisión de alto voltaje del poder Centro del oscilación Medida de la regla
 
 
8x-800000x Microscopio electrónico de barrido de emisión Schottky Gun A63.7080 Std Feg Sem
 
8x-800000x Microscopio electrónico de barrido de emisión Schottky Gun A63.7080 Std Feg Sem     
SEM A63.7069 A63.7080 A63.7081
Resolución 3nm@30KV (SE)
6nm@30KV (EEB)
1.5nm@30KV (SE)
3nm@30KV (EEB)
1.0nm@30KV (SE)
3.0nm@1KV (SE)
2.5nm@30KV (EEB)
Ampliación ampliación NOR exclusiva 8x~300000x ampliación NOR exclusiva 8x~800000x ampliación NOR exclusiva 6x~1000000x
Arma de electrón Cartucho Pre-centrado del filamento del tungsteno Arma de la emisión de campo de Schottky Arma de la emisión de campo de Schottky
Voltaje El voltaje de aceleración 0~30KV, ajustable continuo, ajusta el paso 100V@0-10Kv, 1KV@10-30KV
Visión rápida Una función rápida dominante de la imagen de la visión N/A N/A
Sistema de lente lente afilada electromágnetica de los Tres-niveles lente afilada electromágnetica de los Multi-niveles
Abertura 3 aberturas objetivas del molibdeno, exterior ajustable del sistema del vacío, ninguna necesidad desmontan objetivo para cambiar la abertura
Sistema del vacío 1 bomba molecular de Turbo
1 bomba mecánica
Sitio Vacuum>2.6E-3Pa de la muestra
Sitio de arma de electrón Vacuum>2.6E-3Pa
Control completamente auto del vacío
Función del dispositivo de seguridad del vacío

Modelo opcional: A63.7069-LV
1 bomba molecular de Turbo
2 bombas mecánicas
Sitio Vacuum>2.6E-3Pa de la muestra
Sitio de arma de electrón Vacuum>2.6E-3Pa
Control completamente auto del vacío
Función del dispositivo de seguridad del vacío
Gama baja 10~270Pa del vacío para el interruptor rápido en 90 segundos para EEB (LV)
1 Ion Pump Set
1 bomba molecular de Turbo
1 bomba mecánica
Sitio Vacuum>6E-4Pa de la muestra
PA del sitio de arma de electrón Vacuum>2E-7
Control completamente auto del vacío
Función del dispositivo de seguridad del vacío
1 farfulle a Ion Pump
1 comprador Ion Compound Pump
1 bomba molecular de Turbo
1 bomba mecánica
Sitio Vacuum>6E-4Pa de la muestra
PA del sitio de arma de electrón Vacuum>2E-7
Control completamente auto del vacío
Función del dispositivo de seguridad del vacío
Detector SE: Detector electrónico secundario del alto vacío (con la protección del detector) SE: Detector electrónico secundario del alto vacío (con la protección del detector) SE: Detector electrónico secundario del alto vacío (con la protección del detector)
EEBSegmentación del semiconductor 4
Detector trasero de la dispersión

Modelo opcional: A63.7069-LV
EEB (LV)Segmentación del semiconductor 4
Detector trasero de la dispersión
Opcional Opcional
CCD: Cámara CCD infrarroja CCD: Cámara CCD infrarroja CCD: Cámara CCD infrarroja
Amplíe portuario 2 extienda los puertos en el sitio de la muestra para
EDS, DEB, WDS etc.
4 extienda los puertos en el sitio de la muestra para
EEB, EDS, DEB, WDS etc.
4 extienda los puertos en el sitio de la muestra para
EEB, EDS, DEB, WDS etc.
Etapa del espécimen Etapa de 5 hachas, control manual 4 +1 autos
Gama del viaje:
X=70mm, Y=50mm, Z=45mm,
R=360°, T=-5°~+90° (manual)
Alarma del tacto y función de la parada
Etapa media auto de 5 hachas
Gama del viaje:
X=80mm, Y=50mm, Z=30mm,
R=360°, T=-5°~+70°
Alarma del tacto y función de la parada

Modelo opcional:
A63.7080-M 5 disminuye la etapa manual
A63.7080-L 5 disminuye la etapa grande auto
Etapa grande auto de 5 hachas
Gama del viaje:
X=150mm, Y=150mm, Z=60mm,
R=360°, T=-5°~+70°
Alarma del tacto y función de la parada
Max Specimen Dia.175mm, altura 35m m Dia.175mm, altura 20m m Dia.340mm, altura 50m m
Sistema de la imagen Pixeles inmóviles reales de Max Resolution 4096x4096 de la imagen,
Formato de archivo de imagen: BMP (defecto), GIF, JPG, png, TIF
Pixeles inmóviles reales de Max Resolution 16384x16384 de la imagen,
Formato de archivo de imagen: TIF (defecto), BMP, GIF, JPG, png
Vídeo: Expediente auto Digital. AVI Video
Pixeles inmóviles reales de Max Resolution 16384x16384 de la imagen,
Formato de archivo de imagen: TIF (defecto), BMP, GIF, JPG, png
Vídeo: Expediente auto Digital. AVI Video
Ordenador y software Sistema del triunfo 10 de la estación de trabajo de la PC, con el software de análisis profesional de imagen para controlar completamente a SEM Microscope Operation entero, especificación I5 no menos que inter 3.2GHz, 4G memoria, 24" del ordenador monitor LCD del IPS, 500G disco duro, ratón, teclado
Exhibición de la foto El nivel de la imagen es Rich And Meticulous, mostrando la ampliación en tiempo real, regla, voltaje, Gray Curve
Dimensión
Y peso
Cuerpo del microscopio 800x800x1850m m
Cuadro de funcionamiento 1340x850x740m m
Peso total 400Kg
Cuerpo del microscopio 800x800x1480m m
Cuadro de funcionamiento 1340x850x740m m
Peso total 450Kg
Cuerpo del microscopio 1000x1000x1730m m
Cuadro de funcionamiento 1330x850x740m m
Peso total 550Kg
Accesorios opcionales
Accesorios opcionales Espectrómetro de radiografía dispersivo de la energía de A50.7002 EDS
A50.7011 Ion Sputtering Coater
Parte posterior de la EEB A50.7001 que dispersa el detector electrónico
Espectrómetro de radiografía dispersivo de la energía de A50.7002 EDS
A50.7011 Ion Sputtering Coater
A50.7030 motorizan el panel de control
Parte posterior de la EEB A50.7001 que dispersa el detector electrónico
Espectrómetro de radiografía dispersivo de la energía de A50.7002 EDS
A50.7011 Ion Sputtering Coater
A50.7030 motorizan el panel de control
 
8x-800000x Microscopio electrónico de barrido de emisión Schottky Gun A63.7080 Std Feg Sem
 
8x-800000x Microscopio electrónico de barrido de emisión Schottky Gun A63.7080 Std Feg Sem
A50.7001 Detector de la EEB Detector trasero de la dispersión del segmento del semiconductor cuatro;
Disponible en los ingredientes A+B, A-B de la información de la morfología;
La muestra disponible observa sin oro de la farfulla;
Disponible adentro observe la impureza y la distribución del mapa del Grayscale directamente.
A50.7002 EDS (X Ray Detector) Ventana del nitruro de silicio (Si3N4) para optimizar la transmisión de la radiografía de la energía baja para el análisis ligero del elemento;
Resolución excelente y su electrónica de poco ruido avanzada proporcionar funcionamiento excepcional de la producción;
La pequeña huella ofrece flexibilidad para asegurar condiciones ideales de la geometría y de la colección de Aata;
Los detectores contienen un microprocesador 30mm2.
A50.7003 EBSD (difracción retrorreflejada del haz electrónico) el usuario podría la orientación cristalina del análisis, la fase cristalina y textura micro de materiales y funcionamiento relacionado de los materiales, etc.
optimización automática de los ajustes de la cámara de EBSD
durante la recopilación de datos, haga el análisis en tiempo real interactivo para obtener la información máxima
todos los datos fueron calificados con la etiqueta del tiempo, que se puede ver en cualquier momento
alta resolución 1392 x X12 1040
Velocidad de la exploración y del índice: 198 puntos/sec, con el Ni como el estándar, bajo condición de 2~5nA, puede asegurar la tarifa el ≥99% del índice;
trabajos bien bajo condición de la tensión actual y baja baja del haz de 5kV en 100pA
exactitud de medición de la orientación: Mejor de 0,1 grados
Usando sistema triple del índice: ninguna necesidad confiar en la sola definición de la banda, indexación de direcciones fácil de la calidad pobre del modelo
base de datos dedicada: Base de datos especial de EBSD obtenida por la difracción de electrón: estructura de la fase >400
Ponga en un índice la capacidad: puede poner en un índice automáticamente todos los materiales cristalinos de 7 sistemas cristalinos.
Las opciones avanzadas incluyen el cálculo de la tiesura elástico (tiesura elástico), factor de Taylor (Taylor), factor de Schmidt (Schmid) y así sucesivamente.
A50.7010 Máquina de capa Shell de protección de cristal: ∮250mm; 340m m altos;
Cámara de proceso de cristal:
∮88mm; alto de 140m m, ∮88mm; 57m m altos;
Tamaño de la etapa del espécimen: ∮40mm (máximo);
Sistema del vacío: bomba del molecula y bomba mecánica;
Detección del vacío: Indicador de Pirani;
Vacío: mejor de PA 2 x 10-3;
Protección del vacío: PA 20 con la válvula de la inflación de la microescala;
Movimiento del espécimen: Rotación plana, precedencia de la inclinación.
A50.7011 Ion Sputtering Coater Cámara de proceso de cristal: ∮100mm; 130m m alto;
Tamaño de la etapa del espécimen: ∮40mm (tazas del espécimen del control 6);
Tamaño de oro de la blanco: ∮58mm*0.12mm (grueso);
Detección del vacío: Indicador de Pirani;
Protección del vacío: PA 20 con la válvula de la inflación de la microescala;
Gas medio: argón o aire con la entrada de aire especial del gas del argón y gas que regula en microescala.
A50.7012 Argón Ion Sputtering Coater La muestra fue plateada con el carbono y el oro bajo alto vacío;
Tabla rotativa de la muestra, capa uniforme, tamaño de partícula sobre 3-5nm;
Ninguna selección de material de blanco, ningún daño a las muestras;
Las funciones de Ion Cleaning And Ion Thinning pueden ser observadas.
A50.7013 Secador del punto crítico Diámetro interno: 82m m, longitud interna: 82m m;
Gama de presión: 0-2000psi;
Gama de temperaturas: 0°-50° C (32°-122° F)
A50.7014 Litografía de haz electrónico De acuerdo con el microscopio electrónico de exploración, un sistema nuevo de la Nano-exposición fue desarrollado;
      El Modificaton ha guardado todos la línea imagen de Sem Functions For Making Nanoscale de la anchura;
El sistema Widly de Modificated Ebl aplicado en los dispositivos microelectrónicos, dispositivos optoelectrónicos, dispositivos de Quantun, sistema R&d. de la microelectrónica.
 
8x-800000x Microscopio electrónico de barrido de emisión Schottky Gun A63.7080 Std Feg Sem
A63.7080, equipo estándar de los materiales consumibles A63.7081
1 Filamento de la emisión de campo Instalado en microscopio 1 PC
2 Taza de la muestra Dia.13mm 5 PC
3 Taza de la muestra Dia.32mm 5 PC
4 Cinta conductora de doble cara del carbono 6m m 1 paquete
5 Grasa del vacío   10 PC
6 Paño sin pelo   1 tubo
7 Goma de pulido   1 PC
8 Caja de la muestra   2 bolsos
9 Esponja de algodón   1 PC
10 Filtro de la niebla del aceite   1 PC
Las herramientas A63.7080, A63.7081 y las piezas estándar equipan
1 Llave inglesa interna del hexágono 1.5mm~10m m 1 sistema
2 Pinzas Longitud 100-120m m 1 PC
3 Destornillador ranurado 2*50m m, 2*125m m 2 PC
4 Destornillador cruzado 2*125mmm 1 PC
5 Tubo limpio del respiradero Dia.10/6.5mm (hacia fuera diámetro/diámetro interno) los 5m
6 Válvula manorreductora del respiradero Presión 0-0.6MPa de la salida 1 PC
7 Fuente de alimentación que cuece interna 0-3A DC 2 PC
8 Fuente de alimentación de UPS 10kVA 2 PC

8x-800000x Microscopio electrónico de barrido de emisión Schottky Gun A63.7080 Std Feg Sem
 
Carro de la investigación 0