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Transistor del Mosfet del poder

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Anterwell Technology Ltd.

Ciudad:shenzhen

Provincia / Estado:guangdong

País/Región:china

Persona de contacto:MissSharon Yang

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Recorte regulador del transistor del Mosfet del poder 2SK2382, convertidor de DC−DC

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Número de modelo :2SK2382

Lugar del origen :Fábrica original

Cantidad de orden mínima :10pcs

Condiciones de pago :T / T, Western Union, PayPal

Capacidad de la fuente :10000PCS

Plazo de expedición :día 1

Detalles de empaquetado :éntreme en contacto con por favor para los detalles

Voltaje de Drain−source :200 V

Voltaje de Drain−gate (RGS = kΩ 20) :200 V

Voltaje de Gate−source :±20 V

Drene la disipación de poder :45 W

Sola energía de la avalancha del pulso :166 mJ

Corriente de la avalancha :15 A

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Tipo del MOS del canal N del silicio del transistor de efecto de campo de TOSHIBA (π−MOSV)

2SK2382

Recorte regulador, convertidor de DC−DC y usos de la impulsión del motor

Drain−source bajo EN resistencia: R_{DS(ENCENDIDO)} = 0,13 Ω (tipo.)

Alta entrada de transferencia delantera: |Y_fs| = 17 S (tipo.)

Corriente baja de la salida: I_DSS = μA 100 (máximo) (V_DS = 200 V)

Modo del aumento: _Th V = 1,5 a 3,5 V (V_DS = 10 V, I_D = 1 mA)

Grados máximos absolutos (TA = 25°C)

Características		Símbolo	Clasificación	Unidad
Voltaje de Drain−source		V_DSS	200	V
Voltaje de Drain−gate (R_GS = kΩ 20)		V_DGR	200	V
Voltaje de Gate−source		V_GSS	±20	V
Drene la corriente	DC (nota 1)	I_D	15	A
Drene la corriente	Pulso (nota 1)	I_DP	45	A
Drene la disipación de poder (Tc = 25°C)		P_D	45	W
Sola energía de la avalancha del pulso (nota 2)		E_COMO	166	mJ
Corriente de la avalancha		I_AR	15	A
Energía repetidor de la avalancha (nota 3)		E_AR	4,5	mJ
Temperatura del canal		Tch	150	°C
Gama de temperaturas de almacenamiento		Tstg	−55 a 150	°C

Nota: El usar continuamente bajo cargas pesadas (e.g el uso de alta temperatura/de corriente/de voltaje y del cambio significativo en temperatura, el etc.) puede hacer este producto disminuir en la confiabilidad perceptiblemente incluso si las condiciones de funcionamiento (es decir temperatura de funcionamiento/corriente/voltaje, etc.) están dentro de los grados máximos absolutos. Diseñe por favor la confiabilidad apropiada sobre el repaso del manual de la confiabilidad del semiconductor de Toshiba (“dirigiendo”/de “de las precauciones que reduce la capacidad normal concepto y los métodos ") y los datos de confiabilidad individuales (es decir informe de prueba de confiabilidad y porcentaje de averías, etc estimados).

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Número de parte.

Cantidad

Marca

D/C

Paquete

SST27SF512-70-3C-PG	8616	SST	14+	DIP-28
UDN2597A	2507	ALLEGRO	16+	DIP-20
TDA16888P	14748	INFINEON	13+	DIP-20
S3F9454BZZ-DK94	36868	SAMSUNG	14+	DIP-20
TDA4919A	1478	SIEMENS	16+	DIP-20
ST62T20CB6	2054	ST	14+	DIP-20
SR215C104KAATR1	13046	AVX	07+	DIP-2
B72214S0321K101	15000	EPCOS	15+	DIP-2
S14K320	14648	EPCOS	15+	DIP-2
PT204-6B	72000	EVERLIGHT	16+	DIP-2
PT204-6C	63000	EVERLIGHT	16+	DIP-2
PT333-3B	66000	EVERLIGHT	16+	DIP-2
PT334-6C	144000	EVERLIGHT	16+	DIP-2
QED234	10454	FAIRCHILD	10+	DIP-2
QSD2030F	8520	FAIRCHILD	13+	DIP-2
S1133-01	698	HAMAMAT	15+	DIP-2
SFH203FA	8366	OSRAM	13+	DIP-2
SFH205	14944	OSRAM	14+	DIP-2
SFH309FA	13184	OSRAM	12+	DIP-2
SFH409-2	14922	OSRAM	10+	DIP-2
SFH4110	13316	OSRAM	06+	DIP-2
SFH487-2	22768	OSRAM	14+	DIP-2
RUEF250	120000	RAYCHEM	16+	DIP-2
TRF250-180	123000	RAYCHEM	16+	DIP-2
RPT-34PB3F	11336	ROHM	14+	DIP-2
SIR-34ST3F	11292	ROHM	16+	DIP-2
SLR-342MG3F	15998	ROHM	16+	DIP-2
SLR-342YY3F	9968	ROHM	16+	DIP-2
UCN5810A-1	27348	ALLEGRO	16+	DIP-18
UCN5810AF	27432	ALLEGRO	16+	DIP-18

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