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TRANSISTOR BIPOLAR AISLADO transistor de la PUERTA del Mosfet del poder de GP4068D

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Ciudad:shenzhen
Provincia / Estado:guangdong
País/Región:china
Persona de contacto:MissSharon Yang
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TRANSISTOR BIPOLAR AISLADO transistor de la PUERTA del Mosfet del poder de GP4068D

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Número de modelo :GP4068D
Lugar del origen :Fábrica original
Cantidad de orden mínima :20pcs
Condiciones de pago :T / T, Western Union, PayPal
Capacidad de la fuente :8700pcs
Plazo de expedición :día 1
Detalles de empaquetado :éntreme en contacto con por favor para los detalles
Voltaje del Colector-a-emisor :600 V
Corriente de colector continua :96 A
Corriente de colector del pulso :192 A
Disipación de poder máxima :330 W
Temperatura de empalme de funcionamiento :-55 a +175°C
Temperatura de almacenamiento :-55 a +175°C
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IRGP4068DPbF

IRGP4068D-EPbF

TRANSISTOR BIPOLAR AISLADO DE LA PUERTA CON EL DIODO VF ULTRA-BAJO PARA LA CALEFACCIÓN DE LA INDUCCIÓN Y LOS APLICACIONES SUAVE DE LA CONMUTACIÓN

Caracteristicas

• Tecnología de IGBT de zanja baja V (ON)

• Bajas pérdidas de conmutación

• Temperatura máxima de la conexión 175 ° C

• SOA de cortocircuito de 5 μS

• RBSOA cuadrado

• 100% de las partes probadas para corriente nominal 4X (I LM )

• Positivo V CE (ON) Coeficiente de temperatura

• Diodo Hiperfast Ultra V bajo

• Distribución de parámetros ajustada

• Paquete sin plomo

Beneficios

• Dispositivo optimizado para aplicaciones de calefacción por inducción y conmutación suave

• Alta Eficiencia gracias a Baja V CE ( encendido ) , Bajas Pérdidas de Conmutación y Ultra V Baja

• Robusto rendimiento transitorio para mayor confiabilidad

• Excelente compartición de corriente en funcionamiento paralelo

• Baja EMI

Índices absolutos máximos

Parámetro Max Unidades
V CES Tensión de colector a emisor 600 V
I C $ _ {T } $ C = 25 ° C Corriente continua del colector 96 UN
I C $ _ {T } $ C = 100 ° C Corriente continua del colector 48 UN
I CM Corriente del colector de impulsos 192 UN
Lm Corriente de carga inductiva enclavada 192 UN
I F $ ^ { T } $ C = 160 ° C Corriente continua continua del diodo 8.0 UN
I FSM Diodo Corriente de pico no repetitiva @ T J = 25 ° C 175 UN
I FM Corriente delantera repetitiva de pico de diodo dieciséis UN
V GE Voltaje continuo de puerta a emisor ± 20 V
Tensión transitorio de puerta a emisor ± 30 V
P $ _ { D } $ C $ _ $ = 25 ° C Dissipación máxima de energía 330 W
P $ _ { D } $ C = 100 ° C Dissipación máxima de energía 170 W

T J

T STG

Rango de temperatura de la unión y el almacenamiento en funcionamiento -55 a +175 DO
Temperatura de soldadura, durante 10 seg. 300 (1,6 mm) del estuche) DO
Par de montaje, 6-32 o M3 Tornillo 10 lbf · in (1,1 N · m)

Oferta de acciones (Venta caliente)

Nº de pieza Cantidad Marca CORRIENTE CONTINUA Paquete
FR9886SOGTR 47000 FITIPOWER 15+ SOP-8
FS225R12KE3 167 Infineon 15+ MÓDULO
FS8205A 65000 FORTUNA 13+ TSSOP-8
FSA2567MPX 9570 FAIRCHILD 11+ QFN16
Fsdh321 17522 FAIRCHILD 16+ DIP-8
FSDM0365RNB 7292 FAIRCHILD 16+ DIP-8
FSDM0565REWDTU 1807 FAIRCHILD 15+ TO-220F-6L
FSFM300N 4508 FAIRCHILD 10+ DIP-8
FSFR1700XSL 4634 FAIRCHILD 16+ ZIP-9
FSQ0565RWDTU 13538 FAIRCHILD 11+ TO-220
FT2232D 2890 FTDI 16+ LQFP-48
FT230XQ-R 4455 FTDI 15+ QFN16
FT230XS-R 4107 FTDI 16+ TSSOP-16
FT231XS-R 4426 FTDI 16+ SSOP-20
FT232BL 1469 FTDI 16+ LQFP-32
FT232RL 4137 FTD 16+ SSOP-28
FT232RQ 2226 FTDI 13+ QFN
FTOH104ZF 3680 Comité ejecutivo nacional 13+ DIP-2
FTP11N08A 9728 IPS 14+ TO-220
FTR-B3GA003Z-B10 18011 FUJITSU 12+ SMD
FW342-TL-E 4035 SANYO 16+ SOP-8
FZ600R65KF1 143 Infineon 15+ MÓDULO
FZT1053ATA 48000 ZETEX 14+ SOT-223
FZT658TA 20930 DIODOS 15+ SOT-223
G3VM-61ER 6239 OMRON 16+ SOP-6
G4A-1A-PE-12VDC 11550 OMRON 15+ INMERSIÓN
G5626P11U 4731 GMT 12+ SOP-8
G5LE-1-12VDC 9699 OMRON 12+ INMERSIÓN
G5LE-14-12VDC 13715 OMRON 16+ INMERSIÓN
G5NB-1A-E-12VDC 5649 OMRON 14+ INMERSIÓN

Carro de la investigación 0