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transistor de efecto de campo programable del modo del aumento del canal N de los chips CI 2n7002a-7

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Ciudad:shenzhen
Provincia / Estado:guangdong
País/Región:china
Persona de contacto:MissSharon Yang
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China transistor de efecto de campo programable del modo del aumento del canal N de los chips CI 2n7002a-7 wholesale
  • China transistor de efecto de campo programable del modo del aumento del canal N de los chips CI 2n7002a-7 wholesale

transistor de efecto de campo programable del modo del aumento del canal N de los chips CI 2n7002a-7
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Número de modelo :2N7002A-7
Lugar del origen :Original
Cantidad de orden mínima :5pcs
Condiciones de pago :T/T, Western Union, Paypal
Capacidad de la fuente :290pcs
Plazo de expedición :día 1
Detalles de empaquetado :éntreme en contacto con por favor para los detalles
VDSS :60 V
VGSS :±20 V
Identificación :73 mA
RθJA :500 °C/W
TJ, Tstg :°C -55 a +150
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TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO DEL MODO DEL AUMENTO DEL CANAL N 2N7002A-7

transistor de efecto de campo programable del modo del aumento del canal N de los chips CI 2n7002a-7

Características

• MOSFET del canal N

• En-resistencia baja

• Voltaje bajo del umbral de la puerta

• Capacitancia baja de la entrada

• Velocidad de transferencia rápida

• Pequeño paquete superficial del soporte

• Puerta protegida ESD, 1.2kV HBM

• La ventaja, el halógeno y el antimonio liberan, dispositivo “verde” obediente de RoHS (notas 2 y 4)

• Calificado a los estándares AEC-Q101 para la alta confiabilidad

 

 

Datos mecánicos

• Caso: SOT-23

• Material del caso: Plástico moldeado. Clasificación de la inflamabilidad de la UL que valora 94V-0

• Sensibilidad de humedad: Nivel 1 por J-STD-020D

• Terminales: Solderable por MIL-STD-202, método 208

• Galjanoplastia sin plomo (final mate de la lata recocido sobre el leadframe de cobre).

• Conexiones terminales: Vea el diagrama

• Información de la marca: Véase la página 3

• Información el ordenar: Véase la página 3

• Peso: 0,008 gramos (de aproximado)

 

 

LISTA COMÚN

HY6264ALP-10 2460 HY 15+ DIP-28
MC33179PG 1811 EN 11+ INMERSIÓN
MC68HRC705KJ1CDW 4102 MOT 10+ SOP-16
FZH145 3460 SIEMENS 16+ DIP-16
PE-65968 3790 PULSO 1307+ SOP-6
MAX328EPE 4024 MÁXIMA 10+ DIP-16
MAX680EPA 5479 MÁXIMA 11+ DIP-8
AD633ANZ 2450 ANUNCIO 16+ DIP-8
DDA010 1025 INFINEON 16+ DIP-8
CNY17-3 4450 EVERLIGHT 16+ DIP-6
EL3041 2970 EVERLIGH 15+ DIP-6
DB157G 1325 SEPT 16+ DIP-4
COM20020ILJP 4275 SMSC 15+ PLCC28
LP3966ES-ADJ 2932 NSC 15+ TO-263
MT9042BP 3946 MITEL 10+ PLCC
CY7B923-JC 500 CYPRESS 0408+ PLCC-28
M7010C 3556 EPSON 15+ SOP-14
16141635* 1867 PHI 16+ SOP-14
ICL7660ESA 2460 MÁXIMA 16+ SOP-8
LTC4002ES8-4.2 3244 LT 14+ COMPENSACIÓN
LTC4352CMS 3088 LT 14+ MSOP-12
MT9196AP 3010 MITEL 14+ PLCC28
CY7B933-JC 3000 CYPRESS 13+ PLCC28
FZT651 3700 ZETEX 15+ SOT-223
DS1487M 6120 NSC 15+ SOP-8
MC33186DH 3634 FREESCAL 14+ HSOP

 

 

transistor de efecto de campo programable del modo del aumento del canal N de los chips CI 2n7002a-7

 

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