Los componentes de la electrónica de HEF4093B Quad disparador entrado 2 del NAND Schmitt

Los componentes de la electrónica de HEF4093B Quad disparador entrado 2 del NAND Schmitt

1. Descripción general

El HEF4093B es una puerta de NAND de la dos-entrada del patio. Cada entrada tiene un circuito de disparador de Schmitt. La puerta cambia en diversos puntos para las señales positivo-que van y negativo-que van. La diferencia entre el voltaje positivo (VT+) y el voltaje negativo ( del VT) se define como voltaje (VH) de la histéresis. Actúa sobre una gama recomendada de la fuente de alimentación de VDD de 3 V a 15 V referidos al VSS (molido generalmente). Las entradas inusitadas se deben conectar con VDD, el VSS, u otra entrada.

2. Características y ventajas

Discriminación de la entrada de disparador de Schmitt

Operación completamente estática

5 V, 10 V, y 15 grados paramétricos de V

Características de salida simétricas estandardizadas

De -40°C a +85 °C especificado y -40°C a +125°C

Cumple con JEDEC JESD estándar 13-B

3. Usos

Talladoras de la onda y de pulso

 Multivibradores Astable

Multivibradores monoestables

4. Información el ordenar

Información el ordenar del cuadro 1. que todos los tipos actúan desde -40°C a +125°C

5. Diagrama funcional

6. Fijación de la información

6,1 fijación

6,2 descripción del Pin

Descripción del Pin del cuadro 2. 

Descripción del Pin del símbolo

1A a 4A 1, 5, 8, 12 entró

el 1B a 4B 2, 6, 9, 13 entró

1Y a 4Y 3, 4, 10, 11 hizo salir

Voltaje de fuente de VDD 14

Tierra del VSS 7 (0 V)

7. Descripción funcional

Tabla de función del cuadro 3.

Entrada-salida

nY del nA NOTA

L L H

L H H

H L H

H H L

8. Valores límites

Valores límites del cuadro 4.

De acuerdo con el sistema de calificación máximo absoluto (IEC 60134). Los voltajes se refieren a VSS = 0 V (tierra).

El parámetro del símbolo condiciona la unidad máxima mínima

Voltaje de fuente de VDD -0,5 +18 V

IK entró la fijación de la corriente con abrazadera VI <> VDD + 0,5 V - ± 10 mA

Voltaje de entrada VI -0,5 VDD + 0,5 V

IOK hizo salir la fijación del Vo con abrazadera actual <> VDD + 0,5 V - ±10 mA

Corriente de la entrada-salida de II/O - ±10 mA

Corriente de la fuente de IDD - 50 mA

°C +150 de la temperatura de almacenamiento de Tstg -65

°C +125 de la temperatura ambiente -40 de Tamb

°C de Tamb= -40 de la disipación de poder total de Ptot al °C +125

                                                       DIP14 [1] - 750 mW

                                                      SO14 [2] - 500 mW

Disipación de poder de P por la salida - 100 mW

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