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Tipo MOSFET del MOS del canal del silicio P del transistor del Mosfet del poder del efecto de campo TPC8111 del poder de HEXFET

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Ciudad:shenzhen
Provincia / Estado:guangdong
País/Región:china
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China Tipo MOSFET del MOS del canal del silicio P del transistor del Mosfet del poder del efecto de campo TPC8111 del poder de HEXFET wholesale
  • China Tipo MOSFET del MOS del canal del silicio P del transistor del Mosfet del poder del efecto de campo TPC8111 del poder de HEXFET wholesale

Tipo MOSFET del MOS del canal del silicio P del transistor del Mosfet del poder del efecto de campo TPC8111 del poder de HEXFET
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Número de modelo :TPC8111
Lugar del origen :Taiwan
Cantidad de orden mínima :5pcs
Condiciones de pago :T/T, Western Union, Paypal
Capacidad de la fuente :580pcs
Plazo de expedición :día 1
Detalles de empaquetado :éntreme en contacto con por favor para los detalles
VDSS :−30 V
VDGR :−30 V
VGSS :±20 V
Identificación :−11 A
Paladio :1,9 W
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Tipo MOSFET del MOS del canal del silicio P del transistor de efecto de campo TPC8111 del poder de HEXFET

Tipo MOSFET del MOS del canal del silicio P del transistor del Mosfet del poder del efecto de campo TPC8111 del poder de HEXFETUsos de la batería de ión de litio

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Usos portátiles del equipo

 

 

 

• Pequeña huella debido al paquete pequeño y fino

• Dren-fuente baja EN resistencia: MΩ 8,1 del RDS (ENCENDIDO) = (tipo.)

• Alta entrada de transferencia delantera: |Yfs| = 23 S (tipo.)

• Corriente baja de la salida: ΜA IDSS = −10 (máximo) (VDS = −30 V)

• Aumento-modo: Vth = −0.8 a −2.0 V (VDS = −10 V, identificación = −1 mA)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Nota: Para (nota 1), (nota 2), (nota 3) y (la nota 4), refiere por favor a la página siguiente. Este transistor es un dispositivo sensible electrostático. Dirija por favor con cautela

 

 

 

 

Grados máximos (TA = 25°C)

Características  Símbolo Clasificación  Unidad
voltaje de la Dren-fuente  VDSS  −30 V
voltaje de la Dren-puerta (RGS = kΩ 20)  VDGR  −30 V
voltaje de la Puerta-fuente  VGSS  ±20  V
Drene la disipación de poder (t = 10 s) Paladio  1,9  W
Drene la disipación de poder (t = 10 s) Paladio  1,0   W
Escoja la energía de la avalancha del pulso EAS  31,5  mJ
Corriente de la avalancha  IAR  −11 A
Energía repetidor de la avalancha OÍDO 0,19 mJ
Temperatura del canal  Tch  150 °C

 

 

Tipo MOSFET del MOS del canal del silicio P del transistor del Mosfet del poder del efecto de campo TPC8111 del poder de HEXFET

 

 

LISTA COMÚN 

HMHAA280R1 1520 FAIRCHILD 16+ SOP-4
LQH55PN100MROL 6782 MURATA 16+ SMD
MSS1260-683MLD 6890 COILCRAFT 16+ SMD
TSL1112RA-102JR50-PF 10000 TDK 14+ INMERSIÓN
MJE340G 10000 EN 16+ TO-126
BD139-16 5500 ST 16+ TO-126
BD140-16 5500 ST 15+ TO-126
2SC2625 3000 FUJI 15+ TO-3P
TR600-150 38000 TYCO 16+ INMERSIÓN
A1324LUA-T 3420 ALLEGRO 15+ SIP-3
LVR040K 38000 RAYCHEM/T 16+ INMERSIÓN
LVR025S 38000 RAYCHEM/T 16+ INMERSIÓN
MF-R010 38000 BOURNS 16+ INMERSIÓN
MF-R017 25000 BOURNS 16+ INMERSIÓN
BFR96TS 5000 VISHAY 15+ TO-50
M28S 20000 UTC 10+ TO-92
MF-R040 40000 BOURNS 14+ INMERSIÓN
LVR040S 38000 RAYCHEM/T 16+ INMERSIÓN
LVR075S 5063 RAYCHEM/T 16+ INMERSIÓN
MF-R600 10000 BOURNS 16+ INMERSIÓN
MF-R090 38000 BOURNS 16+ INMERSIÓN
PKM13EPYH4000-AO 5000 NURATA 10+ INMERSIÓN
DE1E3KX102MJ5BA01 900 MURATA 15+ INMERSIÓN
LVR012 38000 TYCO 16+ INMERSIÓN
CS1024 3750 ZX 15+ TO-92S
20D151K 3000 ZOV 16+ INMERSIÓN
LPD6803S 30000 LPD 15+ SOP-16
MICROSMD005F-2 25000 TYCO 16+ SMD
BLM21BD601SN1D 8000 MURATA 15+ SMD
BLM21AG01SN1D 8000 MURATA 15+ SMD
AT24C02D-SSHM-T 4000 ATMEL 15+ SOP-8
VESD05A1B-02Z-GS08 40000 VISHAY 15+ SOD-923
AT24C02BN-SH-T 4000 ATMEL 15+ SOP-8
MICROSMD050F-2 25000 TYCO 16+ SMD
NDT2955 16800 FAIRCHILD 14+ SOT-223
AY1112H-TR 8000 STANLEY 09+ SMD
NFM3DCC223R1H3L9 38000 MURATA 16+ SMD
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