IRFP9240, SiHFP9240
MOSFET del poder
CARACTERÍSTICAS 
• Grado dinámico de dV/dt
• Avalancha repetidor clasificada
• P-canal
• Agujero de montaje central aislado
• Transferencia rápida
• Facilidad de ser paralelo a
• Requisitos simples de la impulsión
• Ventaja (Pb) - disponible libre
RESUMEN DEL PRODUCTO
| VDS (V) |
- 200 V |
| RDS(encendido) (máximo) (Ω) |
VGS = - 10 V |
0,50 |
| Qg (máximo) (nC) |
44 |
| Qgs (nC) |
7,1 |
| Gdde Q (nC) |
27 |
| Configuración |
Solo |
DESCRIPCIÓN
Los MOSFETs del poder de la tercera generación de Vishay proveen del diseñador la mejor combinación de transferencia rápida, de diseño construido sólidamente del dispositivo, de en-resistencia baja y de rentabilidad.
El paquete TO-247 se prefiere para los usos comercial-industriales donde los niveles de mayor potencia impiden el uso de los dispositivos TO-220. El TO-247 es similar pero superior al paquete anterior TO-218 debido a su agujero de montaje aislado. También proporciona mayor distancia de contorneamiento entre los pernos para cumplir los requisitos de la mayoría de las especificaciones de seguridad.
GRADOS MÁXIMOS ABSOLUTOS TC = °C 25, a menos que se indicare en forma diferente
| PARÁMETRO |
SÍMBOLO |
LÍMITE |
UNIDAD |
| Voltaje de la Dren-fuente |
VDS |
- 200 |
V |
| Voltaje de la Puerta-fuente |
VGS |
± 20 |
V |
| Corriente continua del dren |
VGS en - 10 V |
TC = °C 25 |
ID |
- 12 |
A |
| TC = °C 100 |
- 7,5 |
| Corriente pulsada a del dren |
IDM |
-48 |
A |
| Factor que reduce la capacidad normal linear |
|
1,2 |
W/°C |
| Sola energía b de la avalancha del pulso |
ECOMO |
790 |
mJ |
| Corriente repetidor a de la avalancha |
IAR |
- 12 |
A |
| Energía repetidor a de la avalancha |
EAR |
15 |
mJ |
| Disipación de poder máxima |
TC = °C 25 |
PD |
150 |
W |
| Recuperación máxima dV/dt c del diodo |
dV/dt |
- 5,0 |
V/ns |
| Gama de temperaturas de funcionamiento del empalme y de almacenamiento |
TJ, stgde T |
- 55 a + 150 |
°C |
| Recomendaciones que sueldan (temperatura máxima) |
para 10 s |
|
300 d |
°C |
| Esfuerzo de torsión del montaje |
6-32 o tornillo M3 |
|
10 |
lbf·en |
| 1,1 |
N·m |
Notas
a. Grado repetidor; anchura de pulso limitada por temperatura de empalme máxima (véase fig. 11).
b. VDD = - 50 V, comenzando TJ = 25 °C, L = 8,2 Mh, RG = 25 Ω, ICOMO = - 12 A (véase fig. 12).
c. I ≤ delSD - 12 A, ≤ 150 A/µs, ≤ VDS, ≤ 150 °C. de dI/dtde laDD de V de TJ.
d. 1,6 milímetros del caso.
Oferta común (venta caliente)
| Número de parte. |
Cantidad |
Marca |
D/C |
Paquete |
| MOC3020 |
4000 |
FSC |
14+ |
INMERSIÓN |
| MX25L1005CMI-12G |
4000 |
MXIC |
14+ |
SOP-8 |
| NFM18CC222R1C3D |
4000 |
|
14+ |
SMD |
| OB2269AP |
4000 |
OB |
16+ |
DIP8 |
| P6SMB22A |
4000 |
EN |
16+ |
SMB |
| PIC18F2550-I/SP |
4000 |
MICROCHIP |
13+ |
INMERSIÓN |
| RS1M |
4000 |
PLINGSEMI |
15+ |
SMA |
| SD4841 |
4000 |
SILAN |
16+ |
INMERSIÓN |
| SFH610A-3 |
4000 |
VISHAY |
16+ |
DIP-4 |
| SK110 |
4000 |
CAC |
14+ |
SMB |
| SMCJ30A |
4000 |
VISHAY |
14+ |
VISHAY |
| SN65HVD11DR |
4000 |
TI |
14+ |
SOP-8 |
| SN75176BP |
4000 |
TI |
16+ |
INMERSIÓN |
| SUM65N20-30 |
4000 |
VISHAY |
16+ |
TO-263 |
| TS5A3159DBVR |
4000 |
TI |
13+ |
SOT23-6 |
| H11F1 |
4001 |
FSC |
15+ |
DIP-6 |
| PS2561 |
4001 |
NEC |
16+ |
SOP4 |
| SP202ECP |
4001 |
SIPEX |
16+ |
INMERSIÓN |
| EXB841 |
4002 |
FUJI |
14+ |
ZIP-13 |
| PC451 |
4002 |
AGUDO |
14+ |
SOP-4 |
| SFH610A-3 |
4002 |
VISKAY |
14+ |
DIP-4 |
| HT9032C |
4008 |
HOLTEK |
16+ |
COMPENSACIÓN |
| MJE15033G |
4008 |
EN |
16+ |
TO-220 |
| LF347 |
4022 |
TI |
13+ |
SOP14 |
| 1.5KE300CA |
8000 |
VISHAY |
15+ |
DO-201AD |
| ICS501 |
4100 |
ICS |
16+ |
SOP8 |
| IRFIZ34N |
4100 |
IR |
16+ |
TO-220F |
| NCP1396ADR2G |
4100 |
EN |
14+ |
SOP15 |
| ZTX712 |
4100 |
ZETEX |
14+ |
TO-92 |
| MBR20200 |
4110 |
EN |
14+ |
TO-220 |
