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INTERRUPTORES DE ALTA VELOCIDAD de los transistores de transferencia del transistor NPN del Mosfet del poder 2N2222A

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Provincia / Estado:guangdong
País/Región:china
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China INTERRUPTORES DE ALTA VELOCIDAD de los transistores de transferencia del transistor NPN del Mosfet del poder 2N2222A wholesale
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INTERRUPTORES DE ALTA VELOCIDAD de los transistores de transferencia del transistor NPN del Mosfet del poder 2N2222A
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Número de modelo :2N2222A
Lugar del origen :Fábrica original
Cantidad de orden mínima :100PCS
Condiciones de pago :T / T, Western Union, PayPal
Capacidad de la fuente :20000pcs
Plazo de expedición :día 1
Detalles de empaquetado :éntreme en contacto con por favor para los detalles
Voltaje de la Colector-Base :75 V
Voltaje del Colector-Emisor :40 V
voltaje de la Emisor-base :6 V
Corriente de colector (DC) :800 mA
corriente de colector máxima :800 mA
Temperatura ambiente de funcionamiento :−65 al °C +150
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Transistores de transferencia de NPN 2N2222; 2N2222A

 

CARACTERÍSTICAS

• De gran intensidad (máximo 800 mA)

• Baja tensión (máximo 40 V).

 

USOS

• Amplificación y transferencia lineares.

 

DESCRIPCIÓN

Transistor de transferencia de NPN en un paquete del metal TO-18. Complemento de PNP: 2N2907A.

 

FIJACIÓN

PIN DESCRIPCIÓN
1 emisor
2 base
3 colector, conectado con el caso

 

INTERRUPTORES DE ALTA VELOCIDAD de los transistores de transferencia del transistor NPN del Mosfet del poder 2N2222A

 

VALORES LÍMITES

De acuerdo con el sistema de calificación máximo absoluto (IEC 134).

SÍMBOLO PARÁMETRO CONDICIONES MÍNIMO. MÁXIMO. UNIDAD
VCBO

voltaje de la colector-base

2N2222

2N2222A

 abra el emisor

 

-

-

 

60

75

 

V

V
VCEO

voltaje del colector-emisor

2N2222

2N2222A

 abra la base

 

-

-

 

30

40

 

V

V
VEBO

voltaje de la emisor-base

2N2222

2N2222A

 abra el colector

 

-

-

 

5

6

 

V

V
IC corriente de colector (DC)   - 800 mA
ICM corriente de colector máxima   - 800 mA
IBM corriente baja máxima   - 200 mA
Bebéde P disipación de poder total °Cdel ≤ 25 delamb de T - 500 mW
°Cdel ≤ 25 delcaso de T - 1,2 W
Stgde T temperatura de almacenamiento   -65 +150 °C
Tj temperatura de empalme   - 200 °C
Ambde T temperatura ambiente de funcionamiento   -65 +150 °C

 

 

 

 

Oferta común (venta caliente)

Número de parte. Cantidad Marca D/C Paquete
S29JL064H70TF100 500 SPANSIO NUEVO TSSOP
XC95288XL-6TQ144C 500 XILINX NUEVO QFP
XCS20XL-4PQ208C 500 XILINX NUEVO QFP
08-0579-01 500 CICSO NUEVO QFP
CY7C1041BV33L-12ZXC 500 CYRESS NUEVO TSSOP
IXFE44N60 500 IXYS NUEVO SOT227
MRF5P21240H 500 FREESCALE NUEVO NI-360
MRF9045L 500 FREESCALE NUEVO NI-360
PEF82912 500   NUEVO QFP
S9050-100 500 SABIO NUEVO QFP
XC95288-15BG352I 500 XILINX NUEVO BGA
2N6081 500 MOTOROLA NUEVO NI-360
ADSP-2141LKS-N1 500 ADI NUEVO QFP
AQY414SX 500 CACEROLA NUEVO SMD4
MIC2941AWU 50000 MICREL NUEVO TO263
MPC8260ACZUMHBB 200 FREESCALE NUEVO BGA
VNP10N06 2500 ST NUEVO TO-220
CS5532-ASZ/BSZ 2000 CIRRO NUEVO SSOP20
M27C512-90F1 500 ST NUEVO DIP28
MPC8248CZQMIBA 100 FREESCAL NUEVO BGA
VCT6973G-B3-000 500 MICRONAS NUEVO QFP
PEB20320HV3.4 2000   NUEVO QFP
TMS320C6701GJC150 300 TI NUEVO BGA

 

 

 

 

Etiquetas de productos:

npn switching transistor

switching npn transistor

transistor switch npn
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