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Anterwell Technology Ltd.

Ciudad:shenzhen

Provincia / Estado:guangdong

País/Región:china

Persona de contacto:MissSharon Yang

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Transistor del Mosfet del poder de TYN1012RG SENSIBLE y ESTÁNDAR (SCR 12A)

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Número de modelo :TYN1012RG

Lugar del origen :Fábrica original

Cantidad de orden mínima :20 PC

Condiciones de pago :T / T, Western Union, PayPal

Capacidad de la fuente :10000 PCS

Plazo de expedición :día 1

Detalles de empaquetado :éntreme en contacto con por favor para los detalles

Corriente del en-estado del RMS (ángulo de la conducción 180°) :12 A

Corriente media del en-estado (ángulo de la conducción 180°) :8 A

Índice crítico de subida del en-estado actual IG = 2 x IGT, ≤ 100 ns del tr :50 A/µs

Corriente máxima de la puerta :4 A

Disipación de poder media de la puerta :1 W

Temperatura de empalme de funcionamiento :- 40 + al °C 125

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Serie TN12, TS12 y TYNx12

SCR SENSIBLES y ESTÁNDAR 12A

Características principales

Símbolo	Valor	Unidad
I_T(RMS)	12	A
V_DRM/VRRM	600 a 1000	V
I_GT	0,2 a 15	mA

DESCRIPCIÓN

Disponible en (TN12/TYN) la puerta sensible (TS12) o estándar que acciona niveles, la serie del SCR 12A es conveniente caber todos los modos de control, encontrados en usos tales como protección de la palanca de la sobretensión, circuitos de control de motor en herramientas eléctricas y ayudas de la cocina, circuitos limitadores de la avalancha, ignición capacitiva de la descarga y circuitos de la regulación de voltaje…

Disponible en paquetes del por-agujero o del superficie-soporte, proporcionan un funcionamiento optimizado en un área de espacio limitada.

Grados absolutos (valores límites)

Símbolo	Parámetro			Valor		Unidad
				TN12-G TYN12	TN12-B/H TS12-B/H
I_T(RMS)	Corriente del en-estado del RMS (ángulo de la conducción 180°)		Tc = 105°C	12		A
I_{T(SISTEMA DE PESOS AMERICANO)}	Corriente media del en-estado (ángulo de la conducción 180°)		Tc = 105°C	8		A
I_TSM	Corriente no repetidor del onstate del pico de la oleada	t_p = ms 8,3	Tj = 25°C	145	115	A
		t_p = ms 10		140	110
I ² t	I valor del ² t para fundirse	t_p = ms 10	Tj = 25°C	98	60	²S
dI/dt	Índice crítico de subida del en-estado corriente I_G = 2 x I_GT, ≤ 100 ns de t_r	F = 60 herzios	Tj = 125°C	50		A/µs
I_GM	Corriente máxima de la puerta	t_p = 20 µs	Tj = 125°C	4		A
P_{G(SISTEMA DE PESOS AMERICANO)}	Disipación de poder media de la puerta		Tj = 125°C	1		W
Tstg Tj	Gama de temperaturas de empalme del almacenamiento Gama de temperaturas de funcionamiento de empalme			- 40 a + 150 - 40 a + 125		°C
V_RGM	Voltaje de puerta reversa máximo máximo (para TN12 y TYN12 solamente)			5		V

Oferta común (venta caliente)

Número de parte.

Cantidad

Marca

D/C

Paquete

MDM6600	500	QUALCOMM	NUEVO	BGA
T90RIA120	500	IR	NUEVO	SMD
VSP9415B/C3	500	MICRONAS	NUEVO	QFP
XC2V3000-5FF1152C	500	XILINX	NUEVO	BGA
MRF5S21090L	500	MOTOROLA	NUEVO	SMD
PEX8114-BD13BIG	500	PLX	NUEVO	BGA
AAPQ8084-1AA	500	QUALCOMM	NUEVO	BGA
AF82801JIR	500	INTEL	NUEVO	BGA
TMS320C6711GDP250	500	TI	NUEVO	BGA
TE28F640J3D75	500	INTEL	NUEVO	TSSOP
CY7C1360C-16AXC	500	CYPREES	NUEVO	QFP
EPM7128STC100-7	500	ALTERA	NUEVO	QFP
QL4009-1PF100C	500	QUICKLC	NUEVO	QFP
SAB80C32	500	SSIEMENS	NUEVO	PLCC44
RM7000A-350T	500	PMC	NUEVO	BGA
MPC8245LVV350D	500	FREESCALE	NUEVO	BGA
MPC8321VRAFDC	500	FREESCALE	NUEVO	BGA
CY62256VLL-70ZC	500	CYPRESS	NUEVO	TSSOP
DS90C385AMTX	500	NSC	NUEVO	SSOP
EP1SGX25FF1020C7	500	ALTERA	NUEVO	FBGA
LC4064V-25T44C	500	ENREJADO	NUEVO	QFP
LM2576TV-5	500	EN	NUEVO	TO263
LTC3727EG-1#TRPBF	500	LT	NUEVO	SSOP
MAX3740AETG	500	MÁXIMA	NUEVO	QFN
MSM8994-OVV	500	QUALCOMM	NUEVO	BGA
SC85430HEHXANG	500	FREESCALE	NUEVO	BGA
UPD720101GJ-UEN-A	500	NEC	NUEVO	QFP
21152-AB	500	INTEL	NUEVO	QFP
88W8310-A7-BAN-C000	500	MARVELL	NUEVO	BGA
EP2C70F672C8KK	500	ALTERA	NUEVO	BGA

Etiquetas de productos:

Transistor del Mosfet del poder de TYN1012RG SENSIBLE y ESTÁNDAR (SCR 12A)

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Transistor del Mosfet del poder de TYN1012RG SENSIBLE y ESTÁNDAR (SCR 12A)

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