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Memoria Flash serial Página-borrable electrónica de la baja tensión de Mbit del chip CI 8 de M25PE80-VMN6TP

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Ciudad:shenzhen
Provincia / Estado:guangdong
País/Región:china
Persona de contacto:MissSharon Yang
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Memoria Flash serial Página-borrable electrónica de la baja tensión de Mbit del chip CI 8 de M25PE80-VMN6TP

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Número de modelo :M25PE80-VMN6TP
Lugar del origen :Fábrica original
Cantidad de orden mínima :20 PC
Condiciones de pago :T / T, Western Union, PayPal
Capacidad de la fuente :10000 PCS
Plazo de expedición :día 1
Detalles de empaquetado :éntreme en contacto con por favor para los detalles
Temperatura de almacenamiento :– °C 65 a 150
Entrada y voltaje de salida (en cuanto a la tierra) :– 0,6 a VCC + 0,6 V
Voltaje de fuente :– 0,6 a 4,0 V
Voltaje de la descarga electrostática (modelo del cuerpo humano) :– 2000 a 2000 V
Corriente de la salida de la entrada :µA del ± 2
Corriente de la salida de la salida :µA del ± 2
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M25PE80

8 Mbit, memoria Flash serial de baja tensión, Página-borrable con la alterabilidad del byte, autobús de 50 megaciclos SPI, pinout estándar

 

Características

Interfaz en serie compatible del autobús de SPI del ■

memoria Flash Página-borrable del ■ 8-Mbit

Tamaño de página del ■: 256 bytes

  – La página escribe en el ms 11 (típico)

  – Programa de la página en 0,8 ms (típicos)

  – Borrado de la página en el ms 10 (típico)

Borrado del subsector del ■ (4 kilobytes)

Borrado del sector del ■ (64 kilobytes)

Borrado del bulto del ■ (8 Mbits)

 

el ■ 2,7 V a 3,6 V escoge voltaje de fuente

■ tarifa de reloj de 50 megaciclos (máximo)

ΜA profundo del modo 1 del poder-abajo del ■ (típico)

Firma electrónica del ■

  – Firma de dos bytes estándar de JEDEC (8014h)

El software del ■ escribe la protección en una base del sector de 64 kilobytes

El hardware del ■ escribe la protección de la zona de memoria seleccionada usando los pedazos BP0, BP1 y BP2

El ■ más de 100 000 escribe ciclos

■ retención de más de 20 datos del año

Paquetes del ■ – ECOPACK® (RoHS obediente)

 

Memoria Flash serial Página-borrable electrónica de la baja tensión de Mbit del chip CI 8 de M25PE80-VMN6TP

 

Descripción

El M25PE80 es 8 Mbit (1 serial del × del Mb 8) paginó memoria Flash alcanzada por un autobús SPI-compatible de alta velocidad.

 

La memoria se puede escribir o los 1 a 256 bytes programados a la vez, usando la página escriba o pagine la instrucción de programa. La página escribe la instrucción consiste en un ciclo integrado del borrado de la página seguido por un ciclo de programa de la página.

 

La memoria se organiza como 16 sectores que se dividan más a fondo para arriba en 16 subsectores cada uno (256 subsectores en total). Cada sector contiene 256 páginas y cada subsector contiene 16 páginas. Cada página es 256 bytes de par en par. Así, la memoria entera se puede ver como consistir en 4096 páginas, o 1 048 576 bytes

 

La memoria se puede borrar una página a la vez, usando la instrucción del borrado de la página, un subsector a la vez, usando la instrucción del borrado del subsector, un sector a la vez, usando la instrucción del borrado del sector, o en conjunto, usando la instrucción a granel del borrado.

 

La memoria puede ser escribe - protegido por el soporte físico o el software usando una mezcla de características de protección volátiles y permanentes, dependiendo de las necesidades del uso. La granulosidad de la protección está de 64 kilobytes (granulosidad del sector).

 

Para cumplir requisitos ambientales, el ST ofrece el M25PE80 en paquetes de ECOPACK®. Los paquetes de ECOPACK® son sin plomo y RoHS obedientes.

 

Grados máximos absolutos

Símbolo Parámetro Minuto Máximo Unidad
TSTG Temperatura de almacenamiento – 65 150 °C
VENTAJADE T Temperatura de la ventaja durante soldar   Vea (1)  
VIO Entrada y voltaje de salida (en cuanto a la tierra) – 0,6 VCC + 0,6 V
VCC Voltaje de fuente – 0,6 4,0 V
VESD Voltaje de la descarga electrostática (modelo del cuerpo humano) (2) – 2000 2000 V

1. Obediente con JEDEC Std J-STD-020C (para el pequeño cuerpo, asamblea de SnPb o del Pb), la especificación del ST ECOPACK® 7191395, y el directorio europeo en restricciones en las sustancias peligrosas (RoHS) 2002/95/EU.

2. JEDEC Std JESD22-A114A (C1 = 100 PF, R1 = Ω 1500, R2 = Ω 500).

 

 

 

 

Oferta común (venta caliente)

Número de parte. Cantidad Marca D/C Paquete
MBM29LV004TC-90PTN 696 FUJITSU NUEVO TSOP
DS90C383AMTDX 688 NS NUEVO SSOP
VN05NSP 688 ST NUEVO SOP10
MDM9225M-OVV 684 QUALCOMM NUEVO BGA
K4T56163QI-ZCF7 682 SAMSUNG NUEVO BGA
AR5210B-00 680 ATHEROS NUEVO BGA
ICS8752CYLFT 680 ICS NUEVO QFP
REG710NA-5/3K 670 TI NUEVO SOT23-6
FLI2200 660 GÉNESIS NUEVO QFP
T8F09TB-0001 652 TOSHIBA NUEVO BGA
S71WS256NDOB 648 SPANSIO NUEVO BGA
MAX3243ECRHBR 646 TI NUEVO QFN
AK4384ET-E2 639 AKM NUEVO TSSOP
MSM8994-BVV 639 QUALCOMM NUEVO BGA
BQ4847MT 636 BENCHMARQ NUEVO DIP24
AMC2576-5.0DDFT 630 ADDTEK NUEVO TO-263
AM29LV128ML-123REI 625 AMD NUEVO TSSOP
DG413DY 622 VISHAY NUEVO SOP16
IMP560ESA 611 IMP NUEVO SOP8
STA50513TR-LF 600 ST NUEVO SSOP
M29W128GH70N6E 596 ST NUEVO TSOP
IS42S16800D 587 ISS NUEVO TSSOP
XCF32PFSG48C 573 XILINX NUEVO BGA
S29GL256P11TFI020D 569 SPANSION NUEVO TSOP-56
LM4808MX 567 NSC NUEVO SOP8
PI49FCT3805DQE 567 PERICO NUEVO SSOP
SI7450DP-T1-E3 559 VISHAY NUEVO SO-8
PAD50 557 VISHAY NUEVO TO-18
ST20184CA-I1 540 ST NUEVO QFP
IRF7313TRPBF 532 IR NUEVO SOP-8

 

 

 

 

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