Hex. electrónico que invierte, almacenador intermediario de inversión no- de los chips CI de CD4049UBM

Hex. de CD4049UBM/CD4049UBC que invierte el almacenador intermediario

Almacenador intermediario de No-inversión del hex. de CD4050BM/CD4050BC

Descripción general

Estos almacenadores intermediarios del maleficio son circuitos integrados complementarios monolíticos del MOS (Cmos) construidos con los transistores de la n y del modo del aumento del P-canal. Estos dispositivos ofrecen la conversión llana de la lógica usando solamente un voltaje de fuente (_DDde V). La señal de entrada de alto nivel (V_IH) puede exceder el voltaje_de fuente de la_DD de V cuando estos dispositivos se utilizan para las conversiones llanas de la lógica. Estos dispositivos se piensan para el uso como almacenadores intermediarios del maleficio, Cmos a los convertidores de DTL/TTL, o como conductores actuales del Cmos, y en la_DDde V -- 5.0V, pueden conducir directamente dos cargas de DTL/TTL sobre la gama de temperaturas completa de funcionamiento.

Características

• Gama ancha 3.0V del voltaje de fuente a 15V

• Impulsión directa a 2 cargas de TTL en 5.0V sobre gama de temperaturas completa

• Alta capacidad de la corriente de la fuente y del fregadero

• La protección especial de la entrada permite los voltajes de entrada mayores que la_DDde V

Usos

• Inversor/almacenador intermediario del maleficio del Cmos

• Cmos al convertidor del maleficio de DTL/TTL

• Corriente ‘‘fregadero’ del Cmos’ o ‘‘fuente’’ conductor

• Convertidor llano de la lógica alto-a-baja del Cmos

Diagramas de conexión

Grados máximos absolutos (notas 1 y 2)

Si los militares/el espacio aéreo especificaron los dispositivos se requieren, entran en contacto con por favor la oficina de ventas del semiconductor/los distribuidores nacionales para la disponibilidad y las especificaciones.

Voltaje de fuente (_DD) de V -0.5V a +18V

Voltaje de entrada (V_ADENTRO) -0.5V a +18V

Voltaje en cualquier Pin de la salida (V_{HACIA FUERA}) -0.5V a_DD +0.5V de V

Gama de temperaturas de almacenamiento (T_S) -65 a +150℃

Disipación de poder (P_D)

  Dual-En-línea 700 mW

  Pequeño esquema 500 mW

Lleve 10 segundos de la temperatura (T_L) (que suelda,) 260℃

Condiciones de funcionamiento recomendadas (nota 2)

Voltaje de fuente (_DD) de V 3V a 15V

Voltaje de entrada (V_ADENTRO) 0V a 15V

Voltaje en cualquier Pin de la salida (V_{HACIA FUERA}) 0 a la_DDde V

Gama de temperaturas de funcionamiento (T_A)

  CD4049UBM, CD4050BM -55 a +125℃

  CD4049UBC, CD4050BC -40 a +85℃

Oferta común (venta caliente)