Órdenes de fines generales del transistor de los chips CI electrónicos NPN de CA3046E

CA3045, CA3046

Órdenes de fines generales del transistor de NPN

Los CA3045 y los CA3046 cada uno consisten en cinco transistores de fines generales del silicio NPN en un substrato monolítico común. Dos de los transistores internamente están conectados para formar un par diferenciado conectado.

Los transistores del CA3045 y del CA3046 están bien adaptados a una amplia variedad de usos en sistemas de energía baja en DC a través de gama del VHF. Pueden ser utilizados como transistores discretos en circuitos convencionales. Sin embargo, además, proporcionan las ventajas inherentes muy significativas del circuito integrado de hacer juego eléctrico y termal cercano.

Características

• Dos transistores hechos juego

  - V_SEA el partido………………………… ±5mV

  - Partido_de I_IO. ……………………… 2µA (máximos)

• Figura de poco ruido……………. 3.2dB (tipo) en 1kHz

• 5 transistores monolíticos de fines generales

• Operación de DC a 120MHz

• Gama ancha de la corriente de funcionamiento

• Gama de temperaturas militar completa

Usos

• Tres transistores aislados y un par diferenciado conectado del transistor para la energía baja

   Usos en las frecuencias de DC a través de la gama del VHF

• Amplificadores diferenciados creados para requisitos particulares

• Amplificadores compensados temperatura

• Vea la nota de uso, AN5296 “uso del arsenal del transistor del circuito integrado CA3018”

  para los usos sugeridos

Pinout

Grados máximos absolutos

Voltaje del Colector-a-emisor (_CEO) de V………………… 15V

Voltaje de la Colector-a-base (V_CBO)…………………. 20V

Voltaje del Colector-a-substrato (V_CIO, observan 1)…………. 20V

Voltaje de la Emisor-a-base (V_EBO)……………………. 5V

Corriente de colector (I_C)…………………………. 50mA

NOTAS: 1. El colector de cada transistor del CA3045 y del CA3046 es aislado del substrato con un diodo integral. El substrato (terminal 13) se debe conectar con el punto más negativo del circuito externo para mantener el aislamiento entre los transistores y para prever la acción normal del transistor.

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