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Transistor del Mosfet del poder

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Anterwell Technology Ltd.

Ciudad:shenzhen

Provincia / Estado:guangdong

País/Región:china

Persona de contacto:MissSharon Yang

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Canal N de fines generales del transistor del Mosfet del poder del mosfet de IRF7601PBF

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Número de modelo :IRF7601PBF

Lugar del origen :Fábrica original

Cantidad de orden mínima :10pcs

Condiciones de pago :T / T, Western Union, PayPal

Capacidad de la fuente :9000pcs

Plazo de expedición :día 1

Detalles de empaquetado :éntreme en contacto con por favor para los detalles

pulsado de la corriente del dren :30 A

Disipación de poder :1,8 W

Factor que reduce la capacidad normal linear :14 mW/°C

Voltaje de la Puerta-a-fuente :±12 V

máximo de la recuperación dv/dt del diodo :5,0 V/ns

Temperatura del empalme y de almacenamiento :-55 + al °C 150

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MOSFET del poder de IRF7601 HEXFET®

• Tecnología de la generación V

• En-resistencia ultrabaja

• MOSFET del canal N

• Paquete muy pequeño de SOIC

• Perfil bajo (<1>

• Disponible en cinta y carrete

• Transferencia rápida

Descripción

La quinta generación HEXFETs del rectificador internacional utiliza técnicas de proceso avanzadas para alcanzar extremadamente - en-resistencia baja por área del silicio. Esta ventaja, combinada con la velocidad de transferencia rápida y el diseño construido sólidamente del dispositivo que los MOSFETs del poder de HEXFET son bien sabido para, provee del diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para el uso en una amplia variedad de usos.

El nuevo paquete Micro8, con mitad del área de la huella del SO-8 estándar, proporciona la huella más pequeña disponible en un esquema de SOIC. Esto hace el Micro8 un dispositivo ideal para los usos donde está el espacio impreso de la placa de circuito en un premio. El perfil bajo (<1>

Grados máximos absolutos

	Parámetro	Máximo.	Unidades
I_D @ T_A = 25°C	Corriente continua del dren, V_GS @ 4.5V	5,7	A
I_D @ T_A = 70°C	Corriente continua del dren, V_GS @ 4.5V	4,6	A
I_DM	pulsado de la corriente del dren	30	A
@T_de P_DA = 25°C	Disipación de poder	1,8	W
	Factor que reduce la capacidad normal linear	14	mW/°C
V_GS	Voltaje de la Puerta-a-fuente	± 12	V
dv/dt	máximo de la recuperación dv/dt del diodo	5,0	V/ns
T_J, T_STG	Gama de temperaturas del empalme y de almacenamiento	-55 a + 150	°C

Oferta común (venta caliente)

Número de parte.

Cantidad

Marca

D/C

Paquete

LD1117S25TR	39000	ST	13+	SOT-223
LD1117S33CTR	32000	ST	16+	SOT-223
LD39015M18R	8024	ST	16+	SOT23-5
LD39300PT33-R	6785	ST	14+	TO-252
LD7531AMGL	16615	LD	16+	SOT23-6
LD7830GR	9996	LD	15+	SOP-8
LDB212G4005C-001	56000	MURATA	14+	SMD
LF25CDT	21498	ST	13+	TO-252
LF347MX	7640	NS	00+	SOP-14
LFB212G45SG8A192	40000	MURATA	16+	SMD
LFCN-400+	1736	MINI	14+	SMD
LFCN-80+	3554	MINI	15+	SMD
LFCN-900+	3324	MINI	15+	SMD
LFE2M100E-6FN900C-5I	256	ENREJADO	16+	BGA900
LFXP2-8E-5TN144C	1363	ENREJADO	16+	QFP144
LH1518AABTR	3172	VISHAY	04+	SMD-6
LH1520AAC	8563	VISHAY	13+	SOP-8
LH1540AABTR	5958	VISHAY	00+	SOP-6
LH5116NA-10	14603	AGUDO	13+	SOP-24
LHI878/3902	14674	HEIMANN	10+	CAN-3
LIS2DH12TR	7611	ST	15+	LGA12
LIS3DHTR	4847	ST	14+	LGA16
LL4004	15000	ST	16+	LL41
LL4148-GS08	45000	VISHAY	15+	LL34
LLQ2012-F56NJ	12000	TOKO	16+	SMD
LM1086CSX-3.3	21569	NS	15+	TO-263
LM1086CT-3.3	15605	NS	15+	TO-220
LM111J-8	5202	NSC	15+	CDIP-8
LM19CIZ	4073	NS	16+	TO-92
LM201AN	4387	EN	16+	DIP-8

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