MOS del canal N del silicio de los MOSFETs del transistor del Mosfet del poder de TK10P60W

MOS del canal N del silicio de los MOSFETs ( de DTMOS)

TK10P60W

Usos

• Reguladores de voltaje de la transferencia

Características

(1) en-resistencia baja de la dren-fuente: R_{DS(ENCENDIDO)} = 0,327 Ω (tipo.)

     por utilizado a la estructura estupenda del empalme: DTMOS

(2) fácil controlar la transferencia de la puerta

(3) modo del aumento: _Th V = 2,7 a 3,7 V (V_DS = 10 V, I_D = 0,5 mA)

Empaquetado y circuito interno

Grados máximos absolutos (nota) (TA = 25℃ salvo especificación de lo contrario)

Nota: El usar continuamente bajo cargas pesadas (e.g el uso de alta temperatura/de corriente/de voltaje y del cambio significativo en temperatura, el etc.) puede hacer este producto disminuir en la confiabilidad perceptiblemente incluso si las condiciones de funcionamiento (es decir temperatura de funcionamiento/corriente/voltaje, etc.) están dentro de los grados máximos absolutos.

Diseñe por favor la confiabilidad apropiada sobre el repaso del manual de la confiabilidad del semiconductor de Toshiba (“dirigiendo”/de “de las precauciones que reduce la capacidad normal concepto y los métodos”) y los datos de confiabilidad individuales (es decir informe de prueba de confiabilidad y porcentaje de averías, etc estimados).

Observe

1: Asegúrese de que la temperatura del canal no exceda 150℃. Observe

2: VDD = 90 V, Tch = 25℃ (inicial), L = 33,9 Mh, RG = 25 Ω, IAR = 2,5 A

Oferta común (venta caliente)