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Transistor del Mosfet del poder

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Anterwell Technology Ltd.

Ciudad:shenzhen

Provincia / Estado:guangdong

País/Región:china

Persona de contacto:MissSharon Yang

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AMPLIFICADOR DE POTENCIA AUDIO de alta fidelidad del transistor 32W del Mosfet del poder de TDA2050V

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Número de modelo :TDA2050V

Lugar del origen :Fábrica original

Cantidad de orden mínima :10pcs

Condiciones de pago :T / T, Western Union, PayPal

Capacidad de la fuente :8900pcs

Plazo de expedición :día 1

Detalles de empaquetado :éntreme en contacto con por favor para los detalles

Voltaje de fuente :±25 V

De tensión de entrada :±25 V

Voltaje de entrada diferenciada :±15 V

Corriente máxima de la salida (internamente limitada) :5 A

Disipación de poder Tcase = 75°C :25 W

Temperatura del almacenamiento y de empalme :°C -40 a 150

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TDA2050

AMPLIFICADOR DE POTENCIA AUDIO de alta fidelidad 32W

• PODER DE ALTO RENDIMIENTO (REGLAS del IEC 268,3 del PODER de la MÚSICA 50W)

• ALTO VOLTAJE de FUENTE de FUNCIONAMIENTO (50V)

• ESCOJA O PARTA LAS OPERACIONES DE LA FUENTE

• DISTORSIÓN MUY BAJA

• PROTECCIÓN DEL CORTOCIRCUITO (HACIA FUERA A LA TIERRA)

• CIERRE TERMAL

DESCRIPCIÓN

El TDA 2050 es un circuito integrado monolítico en el paquete de Pentawatt, previsto para el uso como amplificador audio de la clase AB audio. Los gracias a su capacidad del poder más elevado el TDA2050 pueden proporcionar hasta la potencia RMS verdadera 35W en carga de 4 ohmios @ THD el = 10%, CONTRA = ±18V, f = 1KHz y hasta 32W en la carga 8ohm @ THD el = 10%, CONTRA = ±22V, f = 1KHz. Por otra parte, el TDA 2050 entrega típicamente poder de la música 50W en carga de 4 ohmios durante 1 sec en VS= 22.5V, f = 1KHz.

El poder más elevado y muy bajo la distorsión del armónico y de la cruce (THD = 0,05% mecanografían, @ CONTRA = ±22V, PO = 0,1 a 15W, RL=8ohm, f = 100Hz a 15KHz) hacen el dispositivo el más conveniente para las televisiones de alta fidelidad y de clase superior.

GRADOS MÁXIMOS ABSOLUTOS

Símbolo	Parámetro	Valor	Unidad
V_S	Voltaje de fuente	±25	V
VI	Voltaje de entrada	V_S
VI	Voltaje de entrada diferenciada	±15	V
I_O	Corriente máxima de la salida (internamente limitada)	5	A
_Bebéde P	_CASO de la disipación de poder T = 75°C	25	W
Tstg, Tj	Temperatura del almacenamiento y de empalme	-40 a 150	°C

PRUEBA Y CIRCUITO DEL USO

CONEXIÓN de PIN (visión superior)

Oferta común (venta caliente)

Número de parte.

Cantidad

Marca

D/C

Paquete

SGL-0622Z	15818	RFMD	16+	QFN
SZM-2066Z	1235	RFMD	15+	QFN
SZM-2166Z	1238	RFMD	16+	QFN
SZM-3066Z	1316	RFMD	16+	QFN
RT8010PQW	12272	RICHTEK	10+	QFN
RT8015AGQW	17386	RICHTEK	16+	QFN
RT8121GQW	35732	RICHTEK	16+	QFN
RT8152DGQW	10040	RICHTEK	13+	QFN
RT8205LZQW	36016	RICHTEK	13+	QFN
RT8207GQW	7404	RICHTEK	16+	QFN
RT8237EZQW	10324	RICHTEK	14+	QFN
RT8561BGQW	6688	RICHTEK	10+	QFN
RT8857GQW	16764	RICHTEK	16+	QFN
RT8859MZQW	14748	RICHTEK	16+	QFN
RT9026GQW	18488	RICHTEK	15+	QFN
RTL8101E-GR	24744	RICNIEK	12+	QFN
SE2603L-R	10060	SIGE	12+	QFN
SI2173-A40-GM	2795	SILICIO	10+	QFN
SI32260-C-FM1	2048	SILICIO	16+	QFN
SI3239-C-FMR	8196	SILICIO	16+	QFN
SI3239-E-ZM3	2798	SILICIO	12+	QFN
SII5723CNU	1706	SILICIO	14+	QFN
SI3402-A-GMR	2645	SILICONLA	15+	QFN
SI7005-B-GM1	1481	SILICONLA	16+	QFN
SM4108	1916	SILICONMI	14+	QFN
SIT9102AI-183N33E1	4426	SITIME	10+	QFN
SE2593A20-R	2540	SKYWORKS	14+	QFN
SKY13317-373LF	7300	SKYWORKS	15+	QFN
SKY77162	15679	SKYWORKS	16+	QFN
USB2514B-AEZC	8448	SMSC	16+	QFN

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