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Tipo del MOS del canal del silicio P del transistor de efecto de campo (Ⅵ de U-MOS)
TPCA8109
Usos del interruptor de la gestión del poder de los usos de la batería de ión de litio
• Pequeña huella debido al paquete pequeño y fino
• En-resistencia baja de la dren-fuente: MΩ 7 del RDS (ENCENDIDO) = (tipo.)
• Corriente baja de la salida: ΜA IDSS = −10 (máximo) (VDS = −30 V)
• Modo del aumento: Vth = −0.8 a −2.0 V (VDS = −10 V, identificación = −0.5mA)
GRADOS MÁXIMOS ABSOLUTOS (1) |
voltaje VDSS −30 V de la Dren-fuente
voltaje de la Dren-puerta (RGS = kΩ 20) VDGR −30 V
voltaje VGSS −25/+20 V de la Puerta-fuente
DC (actual del dren de la identificación −24 de la nota 1) pulsado (nota 1)
IDP −72 una disipación de poder del dren (Tc=25°C) paladio 30 W
Drene la disipación de poder (t = 10 s) (nota 2a) el paladio 2,8 W
Drene la disipación de poder (t = 10 s) (nota 2b) el paladio 1,6 W
Sola energía de la avalancha del pulso (nota 3) EAS 75 mJ
Avalancha IAR actual −24 A
°C de Tch 150 de la temperatura del canal
Gama de temperaturas Tstg −55 de almacenamiento al °C 150
|
PARTE DE LA ACCIÓN
ATMEGA328P-MU | TLP620GB |
RX73BW3ATTE620J | LPC812M101JDH20FP |
1SMA5932BT3G | ESDA6V1L |
BC856BT | TLC59283DBQR |
SN74LS244N | CA3140EZ |
ADA4528-2ARMZ | IRFZ46NPBF |
OPA07CSZ | IRF4905PBF |
742792118* | A30-400 |
OPA333AIDCKR | A30-500 |
SAK-C167CS-LMCA | A30-600 |
ATM46C3 | A30-800 |
A2C56211 | HFJ11-2450E-L21 |
U705 SDIC03 | CR2354/HFN |
BP3125 | TMS320VC5402PGE100 |
PIC16F883-I/SO | PCA9534DW |
PIC16F883-I/SO | BD677A |
IRFPE50 | TZM5237B-GS08 |
VT6315N | TZM5256B-GS08 |
SKA3/17 | TOP232PN |
STK672-040E | IS31AP4991-GRLSZ-TR |
AM29F400BT-70ED | NCS2211DR2G |
TL7705ACDR | LM4861MX |