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Memoria del programa del microprocesador del circuito integrado de los componentes electrónicos de TD62004AFG IC

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Ciudad:shenzhen
Provincia / Estado:guangdong
País/Región:china
Persona de contacto:MissSharon Yang
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Memoria del programa del microprocesador del circuito integrado de los componentes electrónicos de TD62004AFG IC

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Número de modelo :TD62004AFG
Lugar del origen :China
Cantidad de orden mínima :10pcs
Condiciones de pago :T/T, Western Union, Paypal
Capacidad de la fuente :5120PCS
Plazo de expedición :día 1
Detalles de empaquetado :Carrete
Rango de temperatura :– 55°C a +150°C
término del pago :T / T, Paypal, Western Union
tensión :−0.5 a 50 V
Actual :500mA
Paquete :SOP-16
paquete de la fábrica :Carrete
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Silicio bipolar del circuito integrado de TOSHIBA Digital monolítico

TD62001APG, TD62001AFG, TD62002APG, TD62002AFG, TD62003APG, TD62003AFG, TD62004APG, TD62004AFG

conductor del fregadero de 7-channel Darlington

 

 

Características

 

corriente de salida de z (de salida única): 500 mA (de máximo)

alto sosteniendo voltaje de z hecho salir: 50 V (minuto)

diodos de la abrazadera de la salida de z

z entra compatible con los diversos tipos de lógica

tipo APG del paquete de z: Perno DIP-16 (paquete libre del Pb) AFG: Perno SOP-16 (paquete libre del Pb)

 

Descripción general

 

Las series de TD62001APG/AFG son conductores de alto voltaje, de gran intensidad del darlington comprendidos de siete pares del darlington de NPN. Todas las unidades ofrecen los diodos integrales de la abrazadera para cambiar cargas inductivas. Los usos incluyen conductores de la retransmisión, del martillo, de la lámpara y de la exhibición (LED). El (G) del sufijo añadido al número de parte representa un avance (Pb) - producto libre.

 

GRADOS MÁXIMOS ABSOLUTOS (1)
Haga salir el voltaje de mantenimiento VCE (SUS) −0.5 a 50 V
Corriente de salida IOUT 500 mA/ch
Voltaje de entrada VIN (nota 1) −0.5 a 30 V
Corriente de entrada IIN (nota 2) 25 mA
Voltaje reverso VR 50 V del diodo de la abrazadera
El diodo de la abrazadera remite la corriente SI 500 mA
Paladio 0,625 de la disipación de poder de APG 1,47 AFG (nota 3) W
Temperatura de funcionamiento Topr −40 al °C 85
Temperatura de almacenamiento Tstg −55 al °C 150

 
PARTE DE LA ACCIÓN

Artículo NO. Artículo NO.
TP3057WMX IRFB4332PBF
MPX5700DP LM35CZ
SN74LVC2T45DCTR MOC3021M
LMC555CN HFA08TB60PBF
ICM7555IPAZ L7812ABD2T-TR
INA118UB M74HC153M1R
INA118U P82B96DGKR
ADS7809U PIC18F4550-I/PT
EPCS1SI8N T1235-600G-TR
LM741H DF12C (3,0) - 50DS-0.5V (81)
XCF02SV020C SIM800F
BSM50GP120 CY7C1041G30-10ZSXI
HCPL-J312 SIM5300E
MT9V024IA7XTM B2P-VH-FB-B (LF) (SN)
CLRC63201T/OFE PIC12F1822-I/SN
AD8041ARZ ATTINY45-20SU
AD8138ARZ ATTINY24A-SSU
AD820AR AT91SAM7S64C-AU
AD8361ART ATTINY2313A-SU
AD8400ARZ10 UC3843ADTR
AD9220ARSZ SKKT92B12E
ADF4113HVBRUZ BDX33B
ADG333ABRSZ TL3695DR
ERA-4SM+ PC929J00000F

Memoria del programa del microprocesador del circuito integrado de los componentes electrónicos de TD62004AFG IC 

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