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Características
• Corriente de salida de alto pico: 3A
• Rango de operación ancho del voltaje de fuente de la entrada: - 4.5V a 18V
• Alta capacidad de impulsión capacitiva de la carga: - 1800 PF en 25 ns
• Tiempos de retraso corto: <40 ns="">
• Tiempos hechos juego de la subida/caída
• Corriente baja de la fuente: - Con la lógica ‘1" entrado
– 3,5 mA (de máximo) - con la lógica ‘0" entrado
– µA 350 (máximo) • Impedancia de salida baja: 3.5Ω (tipo)
• Cierre-Para arriba protegido: Soportará la corriente reversa 1.5A
• La entrada de la lógica soportará el oscilación negativo hasta 5V
• ESD protegido: 4 kilovoltios
• Pin compatible con los dispositivos de TC1426/TC1427/TC1428, de TC4426/TC4427/TC4428 y de TC4426A/TC4427A/TC4428A.
• Paquete del ahorro de espacio 8-Pin 6x5 DFN
Usos
• Cambie las fuentes de alimentación del modo
• Impulsión del transformador del pulso • Línea conductores
Descripción general
Los dispositivos TC4423/TC4424/TC4425 son una familia de 3A, conductores de la dual-salida buffers/MOSFET. El Pin compatible con el TC1426/27/28, TC4426/27/28 y TC4426A/27A/28A se doblan las familias del conductor 1.5A, la familia TC4423/24/25 tiene un grado actual creciente del cierre-para arriba de 1.5A, haciéndolo aún más robusto para la operación en ambientes eléctricos duros. Como conductores del MOSFET, el TC4423/TC4424/TC4425 puede cargar fácilmente capacitancia de la puerta de 1800 PF adentro bajo 35 nanosegundos, proporcionando bajo bastantes impedancias en ambos los estados por intervalos para asegurarse que el estado previsto del MOSFET no será afectado, incluso por los transeúntes grandes. Las entradas TC4423/TC4424/TC4425 se pueden conducir directamente de TTL o de Cmos (2.4V a 18V). Además, los 300 milivoltio de histéresis incorporada proporciona inmunidad de ruido y permite que el dispositivo sea conducido de formas de onda lentamente de levantamiento o descendentes.
GRADOS MÁXIMOS ABSOLUTOS (1) |
Voltaje de fuente ................................................................ +22V
Voltaje de entrada, EN A o EN B ................................................ (VDD + 0.3V) a (tierra – 5V)
Disipación de poder del paquete (≤ de TA 70°C)
Nota 2 de DFN .........................................................................
PDIP ....................................................................... 730 mW SOIC ....................................................................... 470 mW
|
PARTE DE LA ACCIÓN
AP5100WG-7 | CASQUILLO ELCO 150/50 EEEFK1H151P |
MBI5024GP | CASQUILLO ELCO 470UF/EEEFK1E471P |
APM5953KC | DIODO SM15T36CA |
ULN2803AFWG | BZX84-B2V4 |
74HC595D | BZX84-B5V6 |
74HC138D | CER 1K/50V 0805 EL 5% X7R CL21B102JBANNNC |
DSI 45-16AR | CL10C5R6BB8NNNC |
DSEP-30-06BR | Diodo Minimelf Zener 12V ZMM12V |
SGP30N60HS | Diodo Minimelf Zener 5V1 ZMM5V1 |
IR2117S | Diodo Minimelf Zener 7V5 ZMM7V5 |
MMBZ5240BL | Diodo Minimelf Zener 10V ZMM10V |
2SA1298 | GOTA 1K el 25% 0603 ROHS PBY160808T-102Y-N |
2SC3265 | CASQUILLO 10u X5R CL10A106KP8NNNC |
MMBT3904 | CASQUILLO 4.7u x 10v X5R CL10A475KP8NNNC |
MMBT3906 | CASQUILLO 1u X7R CL10B105KA8NNNC |
S1G | GOTA 10R el 25% PBY160808T-100Y-N |
1N5920 | GOTA 120R el 25% PBY160808T-121Y-N |
R3060P2 | DFLS120L-7 |
IRFB20N50KPBF | SPC6332S36RGB |
TLC555CDR | DIO US1A-13-F |
DS1307Z+T&R | CASQUILLO BUJÍA MÉTRICA 10UF 50V 2220 X7R el 20% C5750X7R1H106M000N |
MAX3491EESD (+T) | CASQUILLO BUJÍA MÉTRICA 10UF/16V X5R CL21A106KAYNNNE |
DS1816-10+T&R | CASQUILLO CER 18pF 50V el 5% GRM1885C1H180JA01D |
ISL60002BIH325Z-TK | CASQUILLO BUJÍA MÉTRICA 2.2NF/50V X7R EL 5% CL21B222JBNC |
SLB9635TT1.2-FW3.16 | MC34063ADR2G |
DS2438AZ | BD136 |
SN74ALVC164245DGG | Diodo SMA ES2Ca-13-F |
ADL5501AKSZ | DIODO LL4148 |
PIC18F2520-I/SO | NPO del CASQUILLO 0805 8,2PF 50V CL21C8R2DBANNNC |
MAX3485ESA | Casquillo 0805 4,7uF el 20% 16V 0805F475M160NT |