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Transistor del Mosfet del poder

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Anterwell Technology Ltd.

Ciudad:shenzhen

Provincia / Estado:guangdong

País/Región:china

Persona de contacto:MissSharon Yang

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Amplificador de potencia de los transistores del Mosfet del poder más elevado 2SA1736, usos que cambian

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Número de modelo :2SA1736

Lugar del origen :Fábrica original

Cantidad de orden mínima :20pcs

Condiciones de pago :T / T, Western Union, PayPal

Capacidad de la fuente :12000pcs

Plazo de expedición :día 1

Detalles de empaquetado :éntreme en contacto con por favor para los detalles

Voltaje de la Colector-Base :−60 V

Voltaje del Colector-Emisor :−50 V

voltaje de la Emisor-base :−6 V

Corriente de colector :−3 A

Corriente baja :−0.6 A

Temperatura de empalme :°C 150

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2SA1736

Usos del amplificador de potencia

Usos de la transferencia del poder

• Voltaje de saturación bajo: V_CE(sentado) = −0.5 V (máximo) (I_C = −1.5 A)

• Tiempo de alta velocidad de la transferencia: _stgde t = 0,2 μs (tipo.)

• Pequeño paquete plano

• P_C = 1,0 a 2,0 W (montados en un substrato de cerámica)

• Complementario a 2SC4541

Grados máximos absolutos (TA = 25°C)

Características	Símbolo	Clasificación	Unidad
voltaje de la Colector-base	V_CBO	−60	V
voltaje del Colector-emisor	V_CEO	−50	V
voltaje de la Emisor-base	V_EBO	−6	V
Corriente de colector	I_C	−3	A
Corriente baja	I_B	−0.6	A
Disipación de poder del colector	P_C	500	mW
Disipación de poder del colector	P_C (nota 1)	1000	mW
Temperatura de empalme	T_j	150	°C
Gama de temperaturas de almacenamiento	_Stgde T	−55 a 150	°C

Nota 1: Montado en un substrato de cerámica (250 mm2 × 0,8 t)

Nota 2: El usar continuamente bajo cargas pesadas (e.g el uso de alta temperatura/de corriente/de voltaje y del cambio significativo en temperatura, el etc.) puede hacer este producto disminuir en la confiabilidad perceptiblemente incluso si las condiciones de funcionamiento (es decir temperatura de funcionamiento/corriente/voltaje, etc.) están dentro de los grados máximos absolutos.

Diseñe por favor la confiabilidad apropiada sobre el repaso del manual de la confiabilidad del semiconductor de Toshiba (“manejando concepto y los métodos de /Derating de las precauciones”) y los datos de confiabilidad individuales (es decir informe de prueba de confiabilidad y porcentaje de averías, etc estimados).

Almacene la oferta (la venta caliente)

Número de parte.

Cantidad

Marca

D/C

Paquete

PIC10F320T-I/OT	5427	MICROCHIP	16+	SOT23-6
PIC12F1501T-I/MS	5262	MICROCHIP	14+	MSOP-8
PIC12F1822-I/P	17379	MICROCHIP	14+	DIP-8
PIC12F615-I/MS	5489	MICROCHIP	16+	MSOP-8
PIC12F629-I/P	8713	MICROCHIP	16+	DIP-8
PIC12F675-I/SN	4363	MICROCHIP	14+	SOP-8
PIC16C56A-04/P	5700	MICROCHIP	16+	DIP-18
PIC16C72A-04/SP	5160	MICROCHIP	07+	DIP-28
PIC16F1503-I/ST	4595	MICROCHIP	14+	TSSOP-14
PIC16F1823-I/SL	6596	MICROCHIP	16+	SOP-14
PIC16F1829-I/SS	2033	MICROCHIP	16+	SSOP-20
PIC16F1934-I/PT	4242	MICROCHIP	13+	TQFP-44
PIC16F1936-I/SS	12473	MICROCHIP	16+	SSOP-28
PIC16F1937-I/PT	4113	MICROCHIP	15+	QFP44
PIC16F1947-I/PT	6997	MICROCHIP	15+	QFP64
PIC16F506-I/ST	6567	MICROCHIP	08+	TSSOP-14
PIC16F616-I/P	16463	MICROCHIP	16+	DIP-14
PIC16F630-I/P	3914	MICROCHIP	16+	DIP-14
PIC16F636-I/SL	12189	MICROCHIP	15+	SOP-14
PIC16F648A-I/SO	3995	MICROCHIP	15+	SOP-18
PIC16F648A-I/SS	4066	MICROCHIP	10+	SSOP-20
PIC16F676-I/P	9917	MICROCHIP	15+	DIP-14
PIC16F676-I/SL	4940	MICROCHIP	15+	SOP-14
PIC16F677-I/P	3468	MICROCHIP	16+	DIP-20
PIC16F687-I/SO	3339	MICROCHIP	13+	SOP-20
PIC16F690-I/P	4851	MICROCHIP	16+	DIP-20
PIC16F716-I/SO	6538	MICROCHIP	15+	SOP-18
PIC16F785-I/P	6011	MICROCHIP	15+	DIP-20
PIC16F818-I/SO	5233	MICROCHIP	16+	SOP-18
PIC16F819-I/SO	5231	MICROCHIP	12+	SOP-18

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