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Conductor monolítico del puente del silicio del microprocesador del circuito integrado de TA8409F

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Ciudad:shenzhen
Provincia / Estado:guangdong
País/Región:china
Persona de contacto:MissSharon Yang
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Conductor monolítico del puente del silicio del microprocesador del circuito integrado de TA8409F

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Número de modelo :TA8409F
Lugar del origen :Fábrica original
Cantidad de orden mínima :10pcs
Condiciones de pago :T / T, Western Union, PayPal
Capacidad de la fuente :7600pcs
Plazo de expedición :día 1
Detalles de empaquetado :éntreme en contacto con por favor para los detalles
Voltaje de fuente :25 V
Voltaje de la impulsión del motor :25 V
Voltaje de la referencia :25 V
Temperatura de funcionamiento :−30 al °C 75
Temperatura de almacenamiento :−55 al °C 150
Paquete :SIP-9, SOP-10
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Silicio linear bipolar del circuito integrado de TOSHIBA monolítico

TA8409S, TA8409F

 

Conductor del puente

 

TA8409S y TA8409F son conductor del puente con control del voltaje de salida.

 

Características

• Modos disponibles (CW/CCW/STOP/BRAKE)

• Corriente de salida hasta 0,4 A (avenida) y 1,0 A (PICO)

• Amplia gama del voltaje de funcionamiento

  Vcc V (del opr.) = 4,5 a 20

  VS V (del opr.) = 0 a 20

  el *Please considera la pérdida interna (Vsat) actuar IC aunque el mínimo CONTRA se define cero.

  Vreferencia de V (opr.) = 0 a 20 (≤ VS de lareferenciade V)

• Cierre termal incorporado

• Modo espera disponible (MODO de la PARADA)

• Histéresis para todas las entradas.

  Conductor monolítico del puente del silicio del microprocesador del circuito integrado de TA8409F

 

Bloque diagrama

Conductor monolítico del puente del silicio del microprocesador del circuito integrado de TA8409F

 

Grados máximos absolutos (TA = 25°C)

Características Símbolo Clasificación Unidad
Voltaje de fuente VCC 25 V
Voltaje de la impulsión del motor VS 25 V
Voltaje de la referencia Referencia V 25 V
Corriente de salida PICO IO (PICO) 1,0 A
Avenida. IO(AVENIDA.) 0,4
Disipación de poder TA8409F PD 0,735 (nota) W
TA8409S 0,95
Temperatura de funcionamiento Topr −30 a 75 °C
Temperatura de almacenamiento Tstg −55 a 150 °C

Nota: Este grado es obtenido montando en 50 × del × 50 el PWB de 1,6 milímetros que ocupó sobre el 30% de área de cobre.

 

 

 

Oferta común (venta caliente)

Número de parte. Cantidad Marca D/C Paquete
MMBT5551LT1G 15000 LRC 16+ SOT-23
MMBT6427 9000 FSC 08+ SOT-23
MMBTA06-7-F 9000 DIODOS 15+ SOT-23
MMBTA13LT1G 9000 EN 16+ SOT-23
MMBTA14 6000 FSC 05+ SOT23-3
MMBTA42LT1G 9000 LRC 15+ SOT-23
MMBZ5230BLT1G 18000 LRC 16+ SOT-23
MMBZ5234BLT1G 18000 EN 15+ SOT-23
MMBZ5248BLT1G 18000 LRC 16+ SOT-23
MMBZ5257BLT1G 18000 LRC 15+ SOT-23
MMBZ5V6ALT1G 18000 EN 10+ SOT-23
MMSZ2V4T1G 12000 EN 14+ SOD-123
MMSZ2V7T1G 9000 EN 16+ SOD-123
MMSZ4681T1G 12000 EN 15+ SOD-123
MMSZ4684T1G 12000 EN 15+ SOD-123
MMSZ4689T1G 9000 EN 16+ SOD-123
MMSZ5234B-7-F 12000 DIODOS 12+ SOD-123
MMSZ5243BT1G 21000 LRC 15+ SOD-123
MMSZ5250BT1G 21000 EN 16+ SOD-123
MMSZ5254BT1G 9000 EN 14+ SOD-323
MMSZ5255B 9000 DIODOS 16+ SOD-123
MMSZ6V2T1G 9000 EN 13+ SOD-123
MOC3022S-TA1 22000 LITEON 15+ SMD
MOC3023M 14343 FSC 16+ DIP-6
MOC3023SR2M 7397 FSC 16+ SOP-6
MOC3023S-TA1 30000 LITEON 14+ SMD-6
MOC3030 6391 FSC 14+ DIP-6
MOC3041M 18232 FSC 16+ INMERSIÓN
MOC3052VM 19226 FAIRCHILD 16+ DIP-6
MOC3063SR2M 12126 FSC 15+ COMPENSACIÓN

 

 

 

 

Carro de la investigación 0