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Transistor transistor de efecto de campo dual de N del Mosfet del poder de NDS9952A y del P-canal

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Ciudad:shenzhen
Provincia / Estado:guangdong
País/Región:china
Persona de contacto:MissSharon Yang
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Transistor transistor de efecto de campo dual de N del Mosfet del poder de NDS9952A y del P-canal

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Número de modelo :NDS9952A
Lugar del origen :Fábrica original
Cantidad de orden mínima :20pcs
Condiciones de pago :T / T, Western Union, PayPal
Capacidad de la fuente :9200pcs
Plazo de expedición :día 1
Detalles de empaquetado :éntreme en contacto con por favor para los detalles
voltaje de la Dren-fuente :30 o -30 V
Voltaje de la Puerta-Fuente :± 20 V
Disipación de poder para la operación dual :2 W
Funcionamiento y temperatura de almacenamiento :°C -55 a 150
Resistencia termal, Empalme-a-ambiente :78 °C/W
Resistencia termal, Empalme-a-caso :40 °C/W
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NDS9952A

Transistor de efecto de campo dual del modo del aumento de N y del P-canal

 

Descripción general

 

Este los transistores duales de la n y de efecto de campo del poder del modo del aumento del P-canal se producen usando Fairchild propietaria, alta densidad de célula, tecnología de DMOS. Este proceso muy de alta densidad se adapta especialmente para minimizar resistencia del en-estado, para proporcionar funcionamiento superior de la transferencia, y para soportar pulsos de la alta energía en los modos de la avalancha y de la conmutación. Estos dispositivos se adaptan particularmente para los usos de la baja tensión tales como gestión del poder del ordenador portátil y otros circuitos con pilas donde están necesarios la transferencia rápida, el apagón en línea bajo, y la resistencia a los transeúntes.

 

Características

  • Canal N 3.7A, 30V, RDS(ENCENDIDO) =0.08W @ VGS =10V.
  • P-canal -2.9A, -30V, RDS(ENCENDIDO) =0.13W @ VGS =-10V.
  • Diseño de alta densidad de la célula o extremadamente - R bajoDS(ENCENDIDO).
  • Poder más elevado y capacidad de dirección actual en un paquete superficial ampliamente utilizado del soporte.
  • Se dobla (N y P-canal) el MOSFET en el paquete superficial del soporte.

 

Grados máximos absolutos TA = 25°C a menos que se indicare en forma diferente

Símbolo Parámetro Canal N P-canal Unidades
VDSS Voltaje de la Dren-fuente 30 -30 V
VGSS Voltaje de la Puerta-fuente ± 20 ± 20 V
ID

Corriente del dren - continua (nota 1a)

- Pulsado

± 3,7 ± 2,9 A
± 15 ± 150
PD Disipación de poder para la operación dual 2 W

Disipación de poder para la sola operación (nota 1a)

(Nota 1b)

(Nota 1c)

1,6
1
0,9  
TJ, TSTG Funcionamiento y gama de temperaturas de almacenamiento -55 a 150 °C

Notas: 1. RdelθJA es la suma del empalme-a-caso y de la resistencia termal caso-a-ambiente donde se define la referencia termal del caso pues la superficie de montaje de la soldadura de los pernos del dren. RdelθJC es garantizado por diseño mientras que elθCAde R es determinado por el diseño del tablero del usuario.

Transistor transistor de efecto de campo dual de N del Mosfet del poder de NDS9952A y del P-canal

R típicodelθJA para la sola operación del dispositivo usando las disposiciones del tablero mostradas abajo en 4,5"” PWB de FR-4 x5 en un ambiente de aire inmóvil:

a. 78℃/W cuando está montado en un 0,5 enel cojín2 del cpper 2oz.

b. 125℃/W cuando está montado en un 0,02 enel cojín2 del cpper 2oz.

c. 135℃/W cuando está montado en un 0,003 enel cojín2 del cpper 2oz.

Transistor transistor de efecto de campo dual de N del Mosfet del poder de NDS9952A y del P-canal

Escala 1: 1 en el papel de 216 x 280 mm

 

Transistor transistor de efecto de campo dual de N del Mosfet del poder de NDS9952A y del P-canal

 

 

 

Oferta común (venta caliente)

Número de parte. Cantidad Marca D/C Paquete
LTC4301CMS8 4300 LINEAR 16+ MSOP-8
LTC4311ISC6 3092 LT 15+ SC70
LTC4357CMS8#PBF 3990 LINEAR 16+ MSOP-8
LTC4365CTS8 4339 LINEAR 16+ SOT-23
LTC4365CTS8#TRPBF 4310 LINEAR 15+ SOT23-6
LTC4425EMSE#TRPBF 2954 LINEAR 16+ MSOP-12
LTC6903CMS8#PBF 6610 LT 14+ MSOP-8
LTC6903IMS8#PBF 5190 LT 11+ MSOP-8
LTC6908IS6-1 3669 LT 16+ SOT23-6
LTC6930CMS8-4.19#PBF 6620 LT 16+ MSOP-8
LTM8045IY#PBF 2038 LINEAR 12+ BGA40
LTST-C150KSKT 12000 LITEON 13+ SMD
LTST-C170KGKT 9000 LITEON 15+ LED
LTST-C171KRKT 9000 LITEON 16+ SMD
LTST-C190KGKT 9000 LITEON 15+ SMD0603
LTST-C191KGKT 12000 LITEON 16+ SMD
LTST-C193KRKT-5A 21000 LITEON 15+ SMD
LTST-S220KRKT 116000 LITE-ON 16+ LED
LTV354T 18000 LITEON 14+ SOP-4
LTV-356T 119000 LITEON 14+ SMD-4
LTV356T-D 47000 LITEON 14+ SOP-4
LTV4N25 72000 LITEON 16+ INMERSIÓN
LTV817C 12000 LITEON 14+ INMERSIÓN
LTV-817S-TA1-A 56000 LITE-ON 13+ SMD-4
LTV827 62000 LITEON 16+ DIP-8
LTV847S 19474 LITEON 13+ SOP-16
LX6503IDW 9119 MSC 09+ SOP-16
LXT6234QE BO 4013 INTEL 16+ QFP100
LXT980AHC 740 INTEL 13+ QFP208
M13S2561616A-5T 9090 ESMT 14+ TSSOP

 

 

 

 

Carro de la investigación 0