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MOSFET dual de PowerTrench de la lógica del canal N del transistor del Mosfet del poder de FDS6990A

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Ciudad:shenzhen
Provincia / Estado:guangdong
País/Región:china
Persona de contacto:MissSharon Yang
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MOSFET dual de PowerTrench de la lógica del canal N del transistor del Mosfet del poder de FDS6990A

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Número de modelo :FDS6990A
Lugar del origen :Fábrica original
Cantidad de orden mínima :10pcs
Condiciones de pago :T / T, Western Union, PayPal
Capacidad de la fuente :7000PCS
Plazo de expedición :día 1
Detalles de empaquetado :éntreme en contacto con por favor para los detalles
voltaje de la Dren-fuente :30 V
Voltaje de la Puerta-Fuente :± 20 V
Temperatura de empalme de funcionamiento :– °C 55 a +150
Temperatura de almacenamiento :– °C 55 a +150
Resistencia termal, Empalme-a-ambiente :78 °C/W
Resistencia termal, Empalme-a-caso :40 °C/W
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MOSFET dual de PowerTrench de la lógica del canal N del transistor del Mosfet del poder de FDS6990A

 

Descripción general

Estos MOSFETs del nivel de la lógica del canal N se producen usando el proceso avanzado de PowerTrench del semiconductor de Fairchild que se ha adaptado especialmente para minimizar la resistencia del en-estado pero mantener funcionamiento superior de la transferencia.

 

Estos dispositivos están bien adaptados para la baja tensión y los usos con pilas donde se requieren el apagón en línea bajo y la transferencia rápida.

 

Características

· 7,5 A, 30 V.RDS(ENCENDIDO) = 18 mW @ VGS = 10 V

                        RDS(ENCENDIDO) = 23 mW @ VGS = 4,5 V

· Velocidad de transferencia rápida

· Carga baja de la puerta

· Tecnología del foso del alto rendimiento para extremadamente - R bajoDS(ENCENDIDO)

· Poder más elevado y capacidad de dirección actual

 

Grados máximos absolutos TA =25℃ a menos que se indicare en forma diferente

Símbolo Parámetro Grados Unidades
VDSS Voltaje de la Dren-fuente 30 V
VGSS Voltaje de la Puerta-fuente ± 20 V
ID

Corriente del dren – continua (nota 1a)

– Pulsado

7,5 A
20
PD

Disipación de poder para la sola operación (nota 1a)

                                                               (Nota 1b)

                                                               (Nota 1c)

1,6 W
1,0
0,9
TJ, TSTG Funcionamiento y gama de temperaturas de empalme del almacenamiento – 55 a +150

 

MOSFET dual de PowerTrench de la lógica del canal N del transistor del Mosfet del poder de FDS6990A

 

MOSFET dual de PowerTrench de la lógica del canal N del transistor del Mosfet del poder de FDS6990A

 

 

 

 

Oferta común (venta caliente)

Número de parte. Cantidad Marca D/C Paquete

 

G5V-1-DC9 6255 OMRON 15+ INMERSIÓN
G5V-2-12VDC 7727 OMRON 14+ INMERSIÓN
G60N100BNTD 3498 FAIRCHILD 13+ TO-264
G65SC51P-2 6939 CMD 16+ DIP-28
G6K-2F-Y-5VDC 10509 OMRON 13+ SOP-8
GAL16V8D-25LP 5311 ENREJADO 16+ DIP-20
GBL08-E3/51 13704 VISHAY 14+ DIP-4
GBPC3508W-E4/51 8669 VISHAY 16+ DIP-4
GBU408 90000 SEPT 13+ ZIP-4
GBU6K 14556 LRC 13+ SIP-4
GBU8M 17593 VISHAY 15+ DIP-4
GE865-QUAD 1285 TELIT 14+ GPRS
GIPS20K60 2254 ST 13+ MÓDULO
GL34A 4000 DIOTEC 13+ DO-213AA
GL41D 20000 GS 13+ LL41
GL852G-MNG12 7574 GENESYS 15+ LQFP-48
GL865 SE DOBLAN 1174 TELIT 10+ GPRS
GLL4760-E3/97 24000 VISHAY 10+ NA
GP1S094HCZ0F 5752 AGUDO 13+ DIP-4
GS2978-CNE3 2125 GENNUM 15+ QFN16
GS2984-INE3 1336 GENNUM 13+ QFN
GS2988-INE3 6693 GENNUM 16+ QFN16
GS3137-08-TAZ 2008 CONEXANT 09+ TSSOP
GSIB2580-E3/45 4938 VISHAY 16+ GSIB-5S
GSOT03C-GS08 7000 VISHAY 15+ SOT-23
GVA-63+ 8824 MINI 15+ SOT-23
GVA-84+ 4397 MINI 14+ SOT-89
H11AA1SR2M 14966 FAIRCHILD 14+ SOP-6
H11AA4 15037 FAIRCHILD 14+ INMERSIÓN
H11AG1SR2M 4006 FAIRCHILD 14+ SOP-6

 

 

 

Carro de la investigación 0