Anterwell Technology Ltd.

Anterwell Technology Ltd. Large Original stock of IC Electronics Components, Transistors, Diodes etc. High Quality, Reasonable Price, Fast Delivery.

Manufacturer from China
Miembro del sitio
10 Años
Casa / Productos / Power Mosfet Transistor /

Mosfet complementario de la energía baja del mosfet del poder de la transferencia del transistor de poder de MJD122G Darlington

Contacta
Anterwell Technology Ltd.
Ciudad:shenzhen
Provincia / Estado:guangdong
País/Región:china
Persona de contacto:MissSharon Yang
Contacta

Mosfet complementario de la energía baja del mosfet del poder de la transferencia del transistor de poder de MJD122G Darlington

Preguntar último precio
Número de modelo :MJD122G
Lugar del origen :Original
Cantidad de orden mínima :50pcs
Condiciones de pago :T/T, Western Union, Paypal
Capacidad de la fuente :5200PCS
Plazo de expedición :día 1
Detalles de empaquetado :éntreme en contacto con por favor para los detalles
VCEO :100 VDC
VCB :100 VDC
VEB :5 VDC
IC :8 16 ADC
IB :mAdc 120
more
Contacta

Add to Cart

Buscar vídeos similares
Ver descripción del producto

Mosfet complementario de la energía baja del mosfet del poder de la transferencia del transistor de poder de MJD122G Darlington


Mosfet complementario de la energía baja del mosfet del poder de la transferencia del transistor de poder de MJD122G DarlingtonDiseñado para el amplificador de fines generales y los usos de poca velocidad de la transferencia.

 

Características

• Ventaja formada para los usos superficiales del soporte en fundas plásticas • Reemplazos superficiales del soporte para las series 2N6040−2N6045, las series TIP120−TIP122, y las series TIP125−TIP127

• Construcción monolítica con los resistores de desviación de Built−in Base−Emitter

• Alto aumento actual de DC: hFE = 2500 (tipo) @ IC = 4,0 ADC

• El epóxido resuelve UL 94 V−0 @ 0,125 adentro

• Grados del ESD: Modelo del cuerpo humano, modelo de máquina de 3B 8000 V, C 400 V

• Los paquetes de Pb−Free están disponibles

 

 

 

 

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS TÍPICAS

Mosfet complementario de la energía baja del mosfet del poder de la transferencia del transistor de poder de MJD122G Darlington

 

LISTA COMÚN 

TLV2382IDRG4 19004 TI 14+ SOP-8
TLV2772CDR 19704 TI 16+ SOP-8
TLV27L2IDR 20112 TI 14+ SOP-8
TPS2013DR 13152 TI 07+ SOP-8
TPS2041DR 48796 TI 16+ SOP-8
TPS3705-33DR 15280 TI 12+ SOP-8
TPS5410DR 24072 TI 16+ SOP-8
TPS54231DRG4 7750 TI 14+ SOP-8
TPS54560DDAR 2879 TI 14+ SOP-8
TPS7150QDR 20068 TI 10+ SOP-8
TPS7350QDR 20201 TI 16+ SOP-8
TPS76625DR 2698 TI 11+ SOP-8
TPS92210DR 25584 TI 16+ SOP-8
UC2843AD8 16308 TI 16+ SOP-8
UC2844AD8TR 6348 TI 13+ SOP-8
UC2845AD8TR 31816 TI 11+ SOP-8
UC3844AD8 3232 TI 16+ SOP-8
UC3844D8TR 12766 TI 11+ SOP-8
UC3845AD8TR 5712 TI 16+ SOP-8
UC3845D8TR 32100 TI 16+ SOP-8
UCC25600DR 2916 TI 16+ SOP-8
UCC2808DTR-2 13320 TI 06+ SOP-8
UCC28600DR 32384 TI 14+ SOP-8
TPC8213-H 13888 TOS 16+ SOP-8
TC7W125FU 9158 TOSHIBA 16+ SOP-8
TPC8117 9422 TOSHIBA 11+ SOP-8
TP4056 9734 TP 16+ SOP-8
UP6103S8 9378 PUI 16+ SOP-8
UP6281BSU8 3640 PUI 16+ SOP-8
SFH6325 14508 VISHAY 16+ SOP-8
SI4134DY-T1-GE3 9246 VISHAY 13+ SOP-8
SI4378DY-T1-E3 7552 VISHAY 16+ SOP-8
SI4412DY-T1-E3 22728 VISHAY 12+ SOP-8
SI4423DY-T1-E3 9224 VISHAY 16+ SOP-8
SI4431BDY-T1-E3 10166 VISHAY 15+ SOP-8
SI4490DY-T1 9076 VISHAY 16+ SOP-8
SI4490DY-T1-E3 6360 VISHAY 14+ SOP-8
SI4532ADY-T1-E3 9180 VISHAY 10+ SOP-8
SI4562DY-T1-E3 9158 VISHAY 08+ SOP-8
SI4800BDY 9136 VISHAY 16+ SOP-8
Carro de la investigación 0