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MOSFET eléctrico del poder del ic HEXFET del transistor del Mosfet del poder de IRL3713PBF

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Ciudad:shenzhen
Provincia / Estado:guangdong
País/Región:china
Persona de contacto:MissSharon Yang
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MOSFET eléctrico del poder del ic HEXFET del transistor del Mosfet del poder de IRL3713PBF

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Número de modelo :IRL3713PBF
Lugar del origen :Fábrica original
Cantidad de orden mínima :20pcs
Condiciones de pago :T / T, Western Union, PayPal
Capacidad de la fuente :8300pcs
Plazo de expedición :día 1
Detalles de empaquetado :éntreme en contacto con por favor para los detalles
voltaje de la Dren-fuente :30 V
Voltaje de la Puerta-a-fuente :± 20 V
Corriente pulsada del dren :A 1040
Factor que reduce la capacidad normal linear :2,2 W/°C
Temperatura de empalme :-55 a +175°C
Temperatura de almacenamiento :-55 a +175°C
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IRL3713PbF IRL3713SPbF IRL3713LPbF

MOSFET de potencia HEXFET

MOSFET SMPS

Aplicaciones

  • Convertidores DC-DC aislados de alta frecuencia con rectificación síncrona para telecomunicaciones y uso industrial
  • Convertidores de alta frecuencia de Buck para la energía del procesador de la computadora
  • 100% RG probado
  • Sin plomo

Beneficios

  • Impedancia de puerta ultrabaja
  • Muy bajo R DS (on) en 4.5VV GS
  • Voltaje y corriente de avalancha completamente caracterizados

Índices absolutos máximos

Símbolo Parámetro Max Unidades
V DS Voltaje del drenaje-fuente 30 V
V GS Voltaje puerta a fuente ± 20 V
I D ^ { T } C = 25 ° C Corriente de drenaje continua, V GS @ 10V 260 UN
I _ { D } _ { T } C = 100ºC Corriente de drenaje continua, V GS @ 10V 180 UN
Yo amo Corriente de drenaje pulsado 1040 UN
P $ _ { D} $ C $ _ $ = 25 ° C Dissipación máxima de energía 330 W
P $ _ { D} $ C = 100 ° C Dissipación máxima de energía 170 W
Factor Derating Lineal 2.2 BAÑO
T J , T STG Rango de Temperatura de Junction y Storage -55 a +175 DO

Oferta de acciones (Venta caliente)

Nº de pieza Cantidad Marca CORRIENTE CONTINUA Paquete
G5V-1-DC9 6255 OMRON 15+ INMERSIÓN
G5V-2-12VDC 7727 OMRON 14+ INMERSIÓN
G60N100BNTD 3498 Faquir 13+ TO-264
G65SC51P-2 6939 CMD 16+ DIP-28
G6K-2F-Y-5VDC 10509 OMRON 13+ SOP-8
GAL16V8D-25LP 5311 ENREJADO 16+ DIP-20
GBL08-E3 / 51 13704 Vishay 14+ DIP-4
GBPC3508W-E4 / 51 8669 Vishay 16+ DIP-4
GBU408 90000 SEP 13+ ZIP-4
GBU6K 14556 LRC 13+ SIP-4
GBU8M 17593 Vishay 15+ DIP-4
GE865-QUAD 1285 TELIT 14+ GPRS
GIPS20K60 2254 ST 13+ MÓDULO
GL34A 4000 DIOTEC 13+ DO-213AA
GL41D 20000 GS 13+ LL41
GL852G-MNG12 7574 GENESYS 15+ LQFP-48
GL865 DUAL 1174 TELIT 10+ GPRS
GLL4760-E3 / 97 24000 Vishay 10+ N / A
GP1S094HCZ0F 5752 AGUDO 13+ DIP-4
GS2978-CNE3 2125 GENNUM 15+ QFN16
GS2984-INE3 1336 GENNUM 13+ QFN
GS2988 - INE3 6693 GENNUM 16+ QFN16
GS3137-08-TAZ 2008 CONEXANTE 09+ TSSOP
GSIB2580-E3 / 45 4938 Vishay 16+ GSIB-5S
GSOT03C-GS08 7000 Vishay 15+ SOT-23
GVA - 63 + 8824 MINI 15+ SOT-23
GVA - 84 + 4397 MINI 14+ SOT-89
H11AA1SR2M 14966 FAIRCHILD 14+ SOP-6
H11AA _ {4} 15037 FAIRCHILD 14+ INMERSIÓN
H11AG1SR2M 4006 FAIRCHILD 14+ SOP-6

Carro de la investigación 0