Chips CI programables de MT48LC32M16A2P -75IT, circuitos integrados complejos populares

Chips CI programables de MT48LC32M16A2P -75IT, circuitos integrados complejos populares

CARACTERÍSTICAS

• PC100-, y PC133-compliant

• Completamente síncrono; todas las señales se registraron en el borde positivo del reloj de sistema

• Operación canalizada interna; la dirección de columna se puede cambiar cada ciclo de reloj

• Bancos internos para el acceso/la precarga de ocultación de la fila

• Longitudes programables de la explosión: 1, 2, 4, 8, o página completa

• La precarga auto, incluye PRECARGA AUTO CONCURRENTE, y el auto restaura modos

• El uno mismo restaura modo; estándar y energía baja

• 64ms, ciclo 4.096 restauran

• entradas y salidas LVTTL-compatibles

• Sola fuente de alimentación de +3.3V ±0.3V

DESCRIPCIÓN GENERAL

El Micron® 128Mb SDRAM es un Cmos de alta velocidad, memoria de acceso aleatorio dinámica que contiene 134.217.728 pedazos. Internamente se configura mientras que una COPITA del patio-banco con un interfaz síncrono (todas las señales se registran en el borde positivo de la señal de reloj, CLK). Cada uno de los bancos del pedazo de x4 33.554.432 es organizado como 4.096 filas por 2.048 columnas por 4 pedazos. Cada uno de los bancos del pedazo de x8 33.554.432 es organizado como 4.096 filas por 1.024 columnas por 8 pedazos. Cada uno de los bancos del pedazo de x16 33.554.432 es organizado como 4.096 filas por 512 columnas por 16 pedazos

Lea y escriba los accesos a SDRAM se estallan orientó; los accesos comienzan en una ubicación seleccionada y continúan para un número programado de ubicaciones en una secuencia programada. Los accesos comienzan con el registro de un comando ACTIVO, que después es seguido por HABER LEÍDO o ESCRIBE comando. Los pedazos de la dirección registraron coincidente con el comando ACTIVO se utilizan para seleccionar el banco y la fila que se alcanzarán (BA0, BA1 seleccionan el banco; A0-A11 seleccionan la fila). Los pedazos de la dirección registraron coincidente con HABER LEÍDO o ESCRIBEN comando se utilizan para seleccionar la ubicación de la columna que comenzaba para el acceso de la explosión.

SDRAM prevé HABER LEÍDO programable o ESCRIBE longitudes de la explosión de 1, 2, 4, o 8 ubicaciones, o la página completa, con una explosión termina la opción. Una función auto de la precarga se puede permitir proporcionar una precarga selftimed de la fila que se inicie en el final de la secuencia de la explosión.

LISTA COMÚN