Oferta común (venta caliente)
| Número de parte. |
Cantidad |
Marca |
D/C |
Paquete |
| REF5025AIDGKR |
7693 |
TI |
15+ |
MSOP-8 |
| REF5025AIDR |
5866 |
TI |
16+ |
SOP-8 |
| REG113NA-3/3K |
6375 |
TI |
15+ |
SOT23-5 |
| RFANT5220110A2T |
48000 |
WALSIN |
16+ |
SMD |
| RGP02-20E-E3/54 |
82000 |
VISHAY |
16+ |
DO-41 |
| RHRP3060 |
17467 |
FSC |
14+ |
TO-220 |
| RJH60F7DPQ |
7148 |
RENESAS |
13+ |
TO-247 |
| RN1907FE |
161000 |
TOSHIBA |
15+ |
SOT-563 |
| RPR-220 |
3874 |
ROHM |
14+ |
DIP-4 |
| RR264MM-400TR |
12000 |
ROHM |
15+ |
SOD-123 |
| RS1J-E3/61T |
45000 |
VISHAY |
16+ |
DO-214AC |
| RS3MB-13-F |
18000 |
DIODOS |
16+ |
DO-214AA |
| RS507 |
88000 |
SEPT |
16+ |
DIP-4 |
| RSA5MG |
164000 |
ROHM |
16+ |
SOD-123 |
| RSX101VA-30TR |
66000 |
ROHM |
15+ |
SOD-323 |
| RT314012 |
3836 |
TYCO |
13+ |
DIP-8 |
| RT7257AHZSP |
7602 |
RICHTEK |
14+ |
SOP-8 |
| RT8011APQW |
20000 |
RICHTEK |
14+ |
QFN |
| RT8250GSP |
19368 |
RICHTEK |
13+ |
SOP-8 |
| RT8289GSP |
6446 |
RICHTEK |
12+ |
SOP-8 |
| RT9161A-33PG |
40000 |
RICHTEK |
15+ |
SOT-223 |
| RT9162-33PX |
66000 |
RICHTEK |
14+ |
SOT-89 |
| RT9167A-33GB |
11000 |
RICHTEK |
13+ |
SOT23-5 |
| RT9167A-50GB |
23060 |
RICHTEK |
16+ |
SOT23-5 |
| RT9701PBL |
90000 |
RICHTEK |
13+ |
SOT23-5 |
| RT9715EGB |
67000 |
RICHTEK |
11+ |
SOT23-5 |
| RTC72421A |
6330 |
EPSON |
14+ |
DIP-18 |
| RTD2271CW-CG |
3861 |
REALTEK |
12+ |
QFP128 |
| RTL8111F-CG |
3855 |
REALTEK |
14+ |
QFN48 |
| RU190N08Q |
16236 |
RUICHIPS |
16+ |
TO-247 |
TRANSISTOR DE PODER DEL SILICIO 2SA1412-Z
TRANSISTOR DIFUNDIDO TRIPLE DEL SILICIO DE PNP
DESCRIPCIÓN
El 2SA1412-Z se diseña para la transferencia de alto voltaje, especialmente en circuitos integrados híbridos.
CARACTERÍSTICAS
• Alto voltaje: VCEO = −400 V
• Velocidad: μs del ≤ 0,7 del tf
• Complemento a 2SC3631-Z
GRADOS MÁXIMOS ABSOLUTOS (TA = 25°C)
Colector al voltaje bajo VCBO −400 V
Colector alCEO −400 Vdel voltaje V del emisor
Base al voltaje VEBO −7 V del emisor
Corriente de colector (DC) IC(DC) −2.0 A
Nota 1 IC(pulso) −4.0 Ade la corrientede colector (pulso)
Disipación de poder total (TA = 25°C) nota 2 PT 2,0 W
°C de la temperatura de empalme Tj 150
Stg −55 de la temperaturade almacenamiento T al °C +150
Notas ms del ≤ 10 de 1. picovatios, ≤ el 50% del ciclo de trabajo
2. Cuando está montado en el substrato de cerámica de 7,5 cm2s de × 0,7 milímetros
DIBUJO del PAQUETE (unidad: milímetro)
