Semiconductor integrado programado placa de circuito de la electrónica de MC14584BDR2G

Semiconductor integrado programado placa de circuito de la electrónica de MC14584BDR2G

Oferta común (venta caliente)

MC14584B

Disparador de Schmitt del hex.

El disparador de Schmitt del hex. de MC14584B se construye con MOS P−channel y los dispositivos del modo del aumento de N−channel en una sola estructura monolítica. Estos dispositivos encuentran el uso primario donde se desea la disipación de energía baja y/o la alta inmunidad de ruido. El MC14584B se puede utilizar en lugar del inversor del maleficio de MC14069UB para la inmunidad de ruido aumentada “ajusta para arriba” formas de onda lentamente cambiantes.

Características

• Gama del voltaje de fuente = 3,0 VDC a 18 VDC

• Capaz de conducir dos cargas de Low−power TTL o una carga de Low−power Schottky TTL sobre la gama de temperaturas clasificada

• Protección del diodo doble en todas las entradas

• Puede ser utilizado para substituir MC14069UB

• Para la mayor histéresis, uso MC14106B que es reemplazo de Pin−for−Pin para CD40106B y MM74Cl4

• Los paquetes de Pb−Free están disponibles

GRADOS MÁXIMOS (voltajes referidos a V_SS)

Las tensiones que exceden grados máximos pueden dañar el dispositivo. Los grados máximos son grados de la tensión solamente. La operación funcional sobre las condiciones de funcionamiento recomendadas no se implica. La exposición extendida a las tensiones sobre las condiciones de funcionamiento recomendadas puede afectar a confiabilidad del dispositivo.

1. Temperatura que reduce la capacidad normal:

    Paquetes del plástico “P y D/DW”: – 7,0 mW/°C de 65°C a 125°C 

Este dispositivo contiene el conjunto de circuitos de la protección para guardar contra el daño debido a los altos voltajes estáticos o a los campos eléctricos. Sin embargo, las precauciones se deben tomar para evitar usos de cualquier voltaje clasificado más arriba que máximo del voltaje a este circuito del high−impedance. Para la operación apropiada, V_adentro y V_{hacia fuera} se deben obligar a la_DD de la gama V_SS (V_adentro o V_{hacia fuera}) V.

Las entradas inusitadas se deben atar siempre a un nivel voltaico apropiado de la lógica (DD e.g., de V SS_o de V_). Las salidas inusitadas se deben dejar abiertas.