Productos proveedores Sign in Register

Anterwell Technology Ltd.

Anterwell Technology Ltd. Large Original stock of IC Electronics Components, Transistors, Diodes etc. High Quality, Reasonable Price, Fast Delivery.

Manufacturer from China
Miembro del sitio
10 Años
Casa Catalogo de productos Perfil de la compañía Control de calidad Contáctenos Solicitar un presupuesto
Español
Casa / Productos / Power Mosfet Transistor /

Mosfet ic del poder del transistor del Mosfet del poder de IRFB20N50KPBF

Categorías de Producto

microprocesador del circuito integrado

 [629]

chips CI programables

 [290]

Chips de la placa de circuito

 [276]

Diodo de rectificador

 [509]

Transistor del Mosfet del poder

 [450]

3 pines del transistor

 [234]

RJ45 Ethernet Jack

 [15]

Sensor de presión del IC

 [55]

Módulo de potencia MOSFET

 [72]

SMD núcleo de ferrita

 [113]

el smd llevó el diodo

 [42]

Resistencias SMD

 [31]

Chips electrónicos IC

 [509]

componentes de la electrónica

 [204]
Contacta
Anterwell Technology Ltd.
Ciudad:shenzhen
Provincia / Estado:guangdong
País/Región:china
Persona de contacto:MissSharon Yang
Ver detalles de contacto
Contacta
China Mosfet ic del poder del transistor del Mosfet del poder de IRFB20N50KPBF wholesale
  • China Mosfet ic del poder del transistor del Mosfet del poder de IRFB20N50KPBF wholesale

Mosfet ic del poder del transistor del Mosfet del poder de IRFB20N50KPBF
Preguntar último precio
Número de modelo :IRFB20N50KPBF
Lugar del origen :Fábrica original
Cantidad de orden mínima :10pcs
Condiciones de pago :T / T, Western Union, PayPal
Capacidad de la fuente :6900pcs
Plazo de expedición :día 1
Detalles de empaquetado :éntreme en contacto con por favor para los detalles
Corriente pulsada del dren :80 A
Disipación de poder :280 W
Factor que reduce la capacidad normal linear :2,2 W/°C
Voltaje de la Puerta-a-fuente :± 30 V
Recuperación máxima dv/dt del diodo :6,9 V/ns
Temperatura de funcionamiento del empalme y de almacenamiento :-55 a + 150°C
more
Contacta

Add to Cart
Buscar vídeos similares
Ver descripción del producto

Oferta de acciones (Venta caliente)

Nº de pieza Cantidad Marca CORRIENTE CONTINUA Paquete
MMBT4403LT1G 24000 LRC 16+ SOT-23
MMBT5401LT1G 27000 EN 16+ SOT-23
MMBT5550 9000 FSC 08+ SOT-23
MMBT5551LT1G 15000 LRC 16+ SOT-23
MMBT6427 9000 FSC 08+ SOT-23
MMBTA06-7-F 9000 DIODOS 15+ SOT-23
MMBTA13LT1G 9000 EN 16+ SOT-23
MMBTA14 6000 FSC 05+ SOT23-3
MMBTA42LT1G 9000 LRC 15+ SOT-23
MMBZ5230BLT1G 18000 LRC 16+ SOT-23
MMBZ5234BLT1G 18000 EN 15+ SOT-23
MMBZ5248BLT1G 18000 LRC 16+ SOT-23
MMBZ5257BLT1G 18000 LRC 15+ SOT-23
MMBZ5V6ALT1G 18000 EN 10+ SOT-23
MMSZ2V4T1G 12000 EN 14+ SOD-123
MMSZ2V7T1G 9000 EN 16+ SOD-123
MMSZ4681T1G 12000 EN 15+ SOD-123
MMSZ4684T1G 12000 EN 15+ SOD-123
MMSZ4689T1G 9000 EN 16+ SOD-123
MMSZ5234B-7-F 12000 DIODOS 12+ SOD-123
MMSZ5243BT1G 21000 LRC 15+ SOD-123
MMSZ5250BT1G 21000 EN 16+ SOD-123
MMSZ5254BT1G 9000 EN 14+ SOD-323
MMSZ5255B 9000 DIODOS 16+ SOD-123
MMSZ6V2T1G 9000 EN 13+ SOD-123
MOC3022S-TA1 22000 Liteon 15+ SMD
MOC3023M 14343 FSC 16+ DIP-6
MOC3023SR2M 7397 FSC 16+ SOP-6
MOC3023S-TA1 30000 Liteon 14+ SMD-6
MOC3030 6391 FSC 14+ DIP-6

IRFB20N50KPbF SMPS MOSFET

MOSFET de potencia HEXFET

Aplicaciones

  • Fuente de alimentación de modo conmutado (SMPS)
  • Fuente de poder ininterrumpible
  • Conmutación de energía de alta velocidad
  • Circuitos duros y de alta frecuencia
  • Sin plomo

Beneficios

  • Carga baja de la puerta Qg da como resultado un requisito de unidad simple
  • Puerta Mejorada, Avalancha y Robustez Dynamicdv / dt
  • Voltaje y corriente de la capacitancia y de la avalancha completamente caracterizados
  • Low R DS (en)

Índices absolutos máximos

Parámetro Max. Unidades
I D @ T C = 25 ° C Corriente continua de drenaje, V GS @ 10V 20 UN
I D @ T C = 100 ° C Corriente continua de drenaje, V GS @ 10V 12 UN
me DM Corriente de drenaje pulsado 80 UN
P D @T C = 25 ° C Disipación de potencia 280 W
Factor Derating Lineal 2.2 BAÑO
V GS Voltaje puerta a fuente ± 30 V
Dv dt Recuperación del diodo máximo dv / dt 6,9 V / ns

T J

T STG

Junction de operación y

Rango de temperatura de almacenamiento

-55 a + 150 DO
Temperatura de soldadura, durante 10 segundos (1,6 mm de la caja) 300 DO
Par de montaje, tornillo 6-32 o M3 10 norte

Etiquetas de productos:

irf520 mosfet

p55nfo power mosfet

power mosfet ic
Carro de la investigación 0

Home Products Suppliers About Us Contact Us Help Site Map 公司介绍 联系我们

Français Русский язык Español 日本語 Português

China Hot Products: A | B | C | D | E | F | G | H | I | J | K | L | M | N | O | P | Q | R | S | T | U | V | W | X | Y | Z | 0~9

Copyright © 2009-2025 Everychina.com. All rights reserved. 京ICP备09074326号-4