Oferta común (venta caliente)
| Número de parte. |
Cantidad |
Marca |
D/C |
Paquete |
| MCIMX535DVV1C |
1066 |
FREESCALE |
14+ |
BGA |
| MCIMX6S7CVM08AC |
769 |
FREESCALE |
16+ |
BGA |
| MCP100T-270I/TT |
68000 |
MICROCHIP |
15+ |
SOT23-3 |
| MCP100T-315I/TT |
57000 |
MICROCHIP |
16+ |
SOT23-5 |
| MCP100T-450I/TT |
58000 |
MICROCHIP |
10+ |
SOT23-3 |
| MCP120T-315I/TT |
24000 |
MICROCHIP |
14+ |
SOT-23 |
| MCP1252-33X50I/MS |
6935 |
MICROCHIP |
16+ |
MSOP |
| MCP1525T-I/TT |
22350 |
MICROCHIP |
14+ |
SOT23-3 |
| MCP1700T-1802E/MB |
11219 |
MICROCHIP |
16+ |
SOT-89 |
| MCP1700T-1802E/TT |
17041 |
MICROCHIP |
06+ |
SOT23-3 |
| MCP1700T-3302E/MB |
14911 |
MICROCHIP |
09+ |
SOT-89 |
| MCP1700T-3302E/TT |
87000 |
MICROCHIP |
12+ |
SOT-23 |
| MCP1700T-5002E/TT |
6249 |
MICROCHIP |
16+ |
SOT-23 |
| MCP1702T-3302E/MB |
8308 |
MICROCHIP |
13+ |
SOT-89 |
| MCP1703T-5002E/DB |
6320 |
MICROCHIP |
13+ |
SOT-223 |
| MCP1825ST-3302E/DB |
5514 |
MICROCHIP |
16+ |
SOT-223 |
| MCP1826T-3302E/DC |
6845 |
MICROCHIP |
15+ |
SOT223-5 |
| MCP2122-E/SN |
7708 |
MICROCHIP |
13+ |
SOP-8 |
| MCP23S17-E/SO |
8974 |
MICROCHIP |
15+ |
SOP-28 |
| MCP2551-I/SN |
7779 |
MICROCHIP |
16+ |
SOP-8 |
| MCP2551T-E/SN |
3957 |
MICROCHIP |
16+ |
SOP-8 |
| MCP3202-CI/SN |
5841 |
MICROCHIP |
15+ |
SOP-8 |
| MCP3202-CI/SN |
5770 |
MICROCHIP |
15+ |
SOP-8 |
| MCP3208-CI/P |
8740 |
MICROCHIP |
15+ |
INMERSIÓN |
| MCP3421AOT-E/CH |
12828 |
MICROCHIP |
16+ |
SOT23-6 |
| MCP3422AO-E/SN |
3875 |
MICROCHIP |
10+ |
SOP-8 |
| MCP3424-E/SL |
8273 |
MICROCHIP |
16+ |
SOP-14 |
| MCP3551-E/SN |
7817 |
MICROCHIP |
16+ |
SOP-8 |
| MCP41050T-I/SN |
4450 |
MICROCHIP |
11+ |
SOP-8 |
| MCP41100-I/SN |
3572 |
MICROCHIP |
15+ |
SOP-8 |
FQP30N06
MOSFET del canal N 60V
Descripción general
Estos transistores de efecto de campo del poder del modo del aumento del canal N se producen usando Fairchild propietaria, raya planar, tecnología de DMOS.
Esta tecnología avanzada se ha adaptado especialmente para minimizar resistencia del en-estado, para proporcionar funcionamiento superior de la transferencia, y para soportar pulso de la alta energía en el modo de la avalancha y de la conmutación. Estos dispositivos están bien adaptados para los usos de la baja tensión tales como convertidores automotrices, de la C.C. DC, y transferencia de la eficacia alta para la gestión del poder en productos portátiles y con pilas.
Características
• 30A, 60V, RDS (encendido) = @V 0.04ΩGS = 10 V
• Carga baja de la puerta (19 típicos nC)
• Crss bajo (40 típicos PF)
• Transferencia rápida
• avalancha 100% probada
• Capacidad mejorada de dv/dt
• grado máximo de la temperatura de empalme 175°C
Grados máximos absolutos TC = 25°C a menos que se indicare en forma diferente
| Símbolo |
Parámetro |
FQP30N06 |
Unidades |
| VDSS |
Voltaje de la Dren-fuente |
60 |
V |
| ID |
Corriente del dren - continua (TC = 25°C)
- Continuo (TC = 100°C)
|
30 |
A |
| 21,3 |
A |
| IDM |
Corriente del dren - pulsada (nota 1) |
120 |
A |
| VGSS |
Voltaje de la Puerta-fuente |
± 25 |
V |
| ECOMO |
Escoja la energía pulsada de la avalancha (nota 2) |
280 |
mJ |
| IAR |
Corriente de la avalancha (nota 1) |
30 |
A |
| EAR |
Energía repetidor de la avalancha (nota 1) |
7,9 |
mJ |
| dv/dt |
Recuperación máxima del diodo dv/dt (nota 3) |
7,0 |
V/ns |
| PD |
Disipación de poder (TC = 25°C)
- Reduzca la capacidad normal sobre 25°C
|
79 |
W |
| 0,53 |
W/°C |
| TJ, TSTG |
Funcionamiento y gama de temperaturas de almacenamiento |
-55 a +175 |
°C |
| TL |
Temperatura máxima para los propósitos que sueldan, 1/8" de la ventaja del caso por 5 segundos |
300 |
°C |
