Oferta común (venta caliente)
| Número de parte. |
Cantidad |
Marca |
D/C |
Paquete |
| LM2662MX |
5344 |
TI |
16+ |
SOP-8 |
| LM2663M |
6856 |
NS |
16+ |
SOP-8 |
| LM2675MX-5.0 |
5274 |
TI |
16+ |
SOP-8 |
| LM2675MX-ADJ |
5415 |
TI |
15+ |
SOP-8 |
| LM2734YMK |
12799 |
TI |
16+ |
SOT23-6 |
| LM2767M5X |
6927 |
NSC |
16+ |
SOT23-5 |
| LM2825N-ADJ |
1525 |
NSC |
06+ |
DIP-24 |
| LM2842YMK-ADJL |
4655 |
TI |
16+ |
SOT23-6 |
| LM285MX-1.2 |
5929 |
NS |
16+ |
SOP-8 |
| LM2901DR2G |
104000 |
EN |
13+ |
COMPENSACIÓN |
| LM2902DR2G |
77000 |
EN |
15+ |
COMPENSACIÓN |
| LM2903DR2G |
107000 |
EN |
15+ |
COMPENSACIÓN |
| LM2903IMX |
13191 |
FSC |
11+ |
SOP-8 |
| LM2904DR2G |
82000 |
EN |
16+ |
SOP-8 |
| LM2904MX |
11700 |
NS |
15+ |
SOP-8 |
| LM2904P |
20000 |
TI |
16+ |
TSSOP-8 |
| LM2904QPWRQ1 |
6065 |
TI |
14+ |
TSSOP-8 |
| LM2907N-8 |
8781 |
NS |
97+ |
DIP-8 |
| LM2917N-8 |
6580 |
NS |
13+ |
DIP-8 |
| LM2931AD-5.0R2G |
19723 |
EN |
16+ |
SOP-8 |
| LM2931CDR2G |
14829 |
EN |
16+ |
SOP-8 |
| LM2931CDR2G |
10000 |
EN |
15+ |
SOP-8 |
| LM2936MPX-3.3 |
9351 |
TI |
14+ |
SOT-223 |
| LM2936Z-5.0 |
3406 |
NS |
05+ |
TO-92 |
| LM2937ESX-3.3 |
9135 |
NSC |
07+ |
TO-263 |
| LM2937IMPX-3.3 |
1862 |
TI |
16+ |
SOT-223 |
| LM2940CSX-5.0 |
8095 |
NS |
14+ |
TO-263 |
| LM2940S-5.0 |
10367 |
NS |
16+ |
TO-263 |
| LM2940SX-5.0 |
8852 |
NS |
15+ |
TO-263 |
| LM2941CT |
5900 |
NS |
00+ |
TO-220 |
IR21091 y (PbF)
CONDUCTOR DEL SEMIPUENTE
Características
• El canal de flotación diseñó para la operación del tirante completamente - operativa a +600V tolerante al voltaje transitorio negativo dV/dt inmune
• Gama de la fuente de la impulsión de la puerta de 10 a 20V
• Cierre del Undervoltage para ambos canales
• lógica de la entrada 3.3V, 5V y 15V compatible
• lógica de la prevención de la Cruz-conducción
• Retraso de propagación hecho juego para ambos canales
• Alta salida lateral en fase con EN la entrada
• Lógica y poder molidos +/- compensación 5V.
• Muerto-tiempo 500ns, y programable internos hasta 5us con un resistor externo del RDT
• Baje el conductor de la puerta de di/dt para una mejor inmunidad de ruido
• La entrada dual del perno de la función DT/SD apaga ambos canales.
• Disponible en sin plomo
Descripción
Los IR21091 son alto voltaje, conductores de alta velocidad del MOSFET del poder y de IGBT con los canales de salida referida dependientes del lado del cielo y tierra. Las tecnologías inmunes propietarias de HVIC y del cierre Cmos permiten la construcción monolítica construida sólidamente.
La entrada de la lógica es compatible con salida estándar del Cmos o de LSTTL, abajo a la lógica 3.3V. Los conductores de la salida ofrecen una etapa de almacenador intermediario actual del alto pulso diseñada para el crossconduction mínimo del conductor. El canal de flotación se puede utilizar para conducir un MOSFET o un IGBT del poder del canal N en la alta configuración lateral que actúa hasta 600 voltios.
Resumen del producto
V máximoCOMPENSADO 600V.
IO +/- 120 mA/250 mA
VHACIA FUERA 10 - 20V
tonelada/(tipo.) de 680 y de 170 ns
Tiempo muerto 500 ns
(programable hasta 5uS)
Grados máximos absolutos
Los grados máximos absolutos indican los límites continuos más allá de los cuales el daño al dispositivo puede ocurrir. Todos los parámetros del voltaje son voltajes absolutos referidos a COM. Los grados de la resistencia termal y de la disipación de poder se miden bajo tablero montado y todavía ventilan condiciones.
| Símbolo |
Definición |
Minuto |
Máximo |
Unidades |
| VB |
Alto lado que flota voltaje absoluto |
-0,3 |
625 |
V |
| VS |
Voltaje compensado flotante de la fuente del alto lado |
VB - 25 |
VB + 0,3 |
| VHO |
Alto voltaje de salida flotante lateral |
VS - 0,3 |
VB + 0,3 |
| VCC |
Voltaje de fuente fijo bajo del lado y de la lógica |
-0,3 |
25 |
| VLO |
Voltaje de salida lateral bajo |
-0,3 |
VCC + 0,3 |
| DT/SD |
Muerto-tiempo y voltaje programables del perno de la parada |
VSS - 0,3 |
VCC + 0,3 |
| VADENTRO |
Voltaje de entrada de la lógica |
VSS - 0,3 |
VCC + 0,3 |
| dVS/dt |
Transeúnte permisible del voltaje de fuente de la compensación |
- |
50 |
V/ns |
| PD |
≤ +25°C de la disipación de poder del paquete @ TA |
(8 ventaja PDIP) |
- |
1,0 |
W |
| (8 ventaja SOIC) |
- |
0,625 |
| RthJA |
Resistencia termal, empalme a ambiente |
(8 ventaja PDIP) |
- |
125 |
°C/W |
| (8 ventaja SOIC) |
- |
200 |
| TJ |
Temperatura de empalme |
- |
150 |
°C |
| TS |
Temperatura de almacenamiento |
-50 |
150 |
| TL |
Segundos (que sueldan, 10) de la temperatura de la ventaja |
- |
300 |
Paquetes
Conexión típica
